Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Teknologi implan medis pada saat ini telah menjadi bagian penting dalam suatu metode monitoring kondisi tubuh dari suatu makhluk hidup. Dalam sistem teknologi implan medis yang dijalankan secara nirkabel,diperlukan sistem Wireless Power Transfer. Sistem Pada sistem WPT terdapat 2 bagian penting, yaitu transmitter dan reciever. Pada bagian transmitter memiliki peran penting untuk proses amplifikasi daya, dibagian transmitter yang memiliki peran tersebut adalah Power Amplifier (PA). Topologi PA yang digunakan adalah Class-J yang dikenal memiliki liniearity yang baik tanpa mengorbankan efisiensi yang dimiliki, lalu terdapat komponen MOSFET yang bertugas sebagai switching tegangan-arus yang mengalir diterapkan dalam PA, spesifikasi MOSFET diharapkan memiliki kemampuan switching yang cepat dan memiliki efek parasitik dan resistansi yang rendah. PA akan dioperasikan dengan parameter frekuensi masukan sebesar 13,56 MHz sebagai spesifikasi dari penerapan untuk alat implant biomedis. Desain PA dilakukan dengan menggunakan perangkat lunak Advance System Design 2020 (ADS 2020) untuk mendapatkan efisiensi yang tinggi dengan parameter yang diharapkan. Hasil dari desain merupakan dengan target mendapatkan nilai PAE setinggi-tingginya dengan keluaran daya juga yang besar dalam hal ini Power Gain (dBm), dan hasil penguatan dalam decibel (dB) sebesar-besarya agar daya tidak hilang ketika ditransfer melalui coil menuju reciever. Melalui desain ini diperoleh output power atau P1dB sebesar 12,3 dBm sedangkan pada hasil simulasi P1dB sebesar 32 dBm..

---

Medical implant technology at this time has become an important part in a method of monitoring the body condition of a living being. In a medical implant technology system that runs wirelessly, a Wireless Power Transfer system is needed. System In the WPT system there are 2 important parts, namely transmitter and receiver. The transmitter section has an important role for the power amplification process, the transmitter section has a Power Amplifier (PA) role. The PA topology used is Class-J which is known to have good linearity without sacrificing its efficiency, then there is a MOSFET component that acts as a current-voltage switching applied in the PA, the MOSFET specification is expected to have fast switching capabilities and has parasitic and parasitic effects. low resistance. The PA will be operated with an input frequency parameter of 13.56 MHz as a specification of the application for biomedical implant devices. The PA design was carried out using the Advance System Design 2020 (ADS 2020) software to obtain high efficiency with the expected parameters. The result of the design is with the target of getting the highest PAE value with a large power output in this case Power Gain (dBm), and the maximum gain in decibels (dB) so that power is not lost when transferred through the coil to the receiver. Through this design, the output power or P1dB is 12.3 dBm, while the P1dB simulation results are 32 dBm."

"ABSTRAKPower amplifier merupakan salah satu subsistem dalam rangkaian transmitter yang sangat penting. Power amplifier berfungsi untuk menaikkan daya dari sinyal yang akan dikirimkan sehingga sinyal masih mampu dideteksi oleh rangkaian penerima. Power Amplifier yang dirancang diperuntukan sebagai bagian dari sistem transmitter Indonesian Inter University Satellite (Iinusat). Iinusat merupakan sebuah satelit berkriteria nano yang dikembangkan oleh beberapa perguruan tinggi di Indonesia. Power amplifier yang akan dirancang didisain sehingga memiliki Maximum Available Gain (MAG) > 17 dB pada frekuensi downlink 436.9 MHz dengan faktor kestabilan (K) > 1. Selain itu, parameter yang juga harus diperhatikan dari perancangan power amplifier ini adalah nilai Voltage Standing Wave Ratio (VSWR) yang memiliki nilai 1≤VSWR≤1.2, dimana hal ini merepresentasikan banyaknya nilai sinyal terpantul. Pada kedua port power amplifier, baik input maupun output, diberikan rangkaian matching agar nilainya menjadi konjugasi dari nilai impedansi sistem untuk memaksimalkan daya yang mampu diteruskan oleh divais. Proses perancangan dilakukan dengan menggunakan piranti lunak advanced design system (ADS). Berdasarkan simulasi, hasil akhir rangkaian adalah bandwidth sebesar 1.5 MHz, faktor kestabilan 1.187, dan nilai VSWR sebesar 1.147.

---

ABSTRACTPower amplfier is one of many subsystems in transmitting circuitry which can be considered very important. Power amplifier can boost signal?s power up in order to be able to be transmitted in a quite long distance and still can be well detected by the receiver?s circuit. This Power amplifier is designed as a part of transmitter system in Indonesian Inter University Satellite (Iinusat). Iinusat is a nanosatellite built by several Indonesian universities. The designed power amplifier has maximum available gain (MAG) >17 dB and stability factor (K)>1. other parameter that is being considered in the design is the Voltage Standing Wave Ratio (VSWR), which the value is 1≤VSWR≤1.2. A making of microstrip line as a path of the signal and a connector between two components is required in this project to obtain a better result in designing the power amplifier subsystem. Both in the input and output port of this power amplifier, there are matching networks which are used as matching system so that the input and output port values are the conjugation of the system impedance. Advanced design system (ADS) is used in the designing process. The simulation yields bandwidth of the signal 1.5 MHz, stability factor 1.187, and the VSWR 1.147."

"Pada skripsi ini dilakukan rancang bangun high power amplifier (HPA) yang beroperasi pada frekuensi 2,3 GHz dan 2,6 GHz secara bersamaan. Rangkaian input matching dan output matching dirancang dengan rangkaian matching khusus yang beresonansi pada kedua frekuensi. Tujuan dari rancang bangun ini adalah mencapai S21 yang lebih besar dari 15 dB dan S11 dibawah -15 dB untuk kedua frekuensi. Spesifikasi rancang bangun dual band HPA antara lain: daya keluaran 100 mWatt, daya masukan 5 - 20 mWatt, efisiensi 50%, arus drain yang kecil dengan tegangan supply 5 Volt, standar kestabilan K > 1, dan return of loss (RoL < -15 dB). Transistor yang digunakan yaitu NE662M04 yang merupakan transistor frekuensi tinggi tipe NPN. Rancangan ini disimulasikan menggunakan program Advanced Design System (ADS). Dari hasil simulasi, diperoleh frekuensi tengah HPA pada 2,35 GHz dan 2,65 GHz. Secara berturut-turut, diperoleh S11 = -31,732 dB dan -30,238 dB, VSWR = 1,053 dan 1,063, dan S21 = 19,341 dB dan 16,783 dB. Hasil fabrikasi HPA mengalami pergeseran frekuensi ke frekuensi 2,108 GHz dan 2,484 GHz. Secara berturut-turut, diperoleh S11 = -14,807 dB dan -14 dB, VSWR = 1,232 dan 1,4, dan S21 = -9 dB dan -3,9 dB (dual stage); untuk S21 rangkaian single stage adalah sebesar 6,823 dB pada frekuensi 2,093 GHz.; dan untuk S21 rangkaian dual stage dengan coupling kapasitor 22 pF adalah sebesar 1,64 dB pada frekuensi 2,481 GHz.

---

In this project, a dual band power amplifier which operates at two specific frequencies of 2.3 GHz and 2.6 GHz simultaneously is designed. The input matching and output matching circuit is designed with a special matching network which resonates at two frequencies. The objective of this design is to achieve S21 at a point higher than 15 dB and S11 below -15 dB for both frequencies. The other important specification for this dual band high power amplifier is: 100 mWatt output power, 5 - 20 mWatt input power, 50% efficiency, low drain flow with 5 Volt supply voltage, fulfill the stability standard K > 1, and return of loss (RoL < -15 dB). The transistor used is NE662M04, a NPN silicon high frequency transistor. The design is simulated with Advanced Design System (ADS) software. From the simulation, the center frequency of HPA is at 2.35 GHz and 2.65 GHz. Respectively, S11 = -31,732 dB and -30,238 dB, VSWR = 1,053 and 1,063, and S21 = 19,341 dB and 16,783 dB. After fabrication, there is a frequency shift to 2,108 GHz and 2,484 GHz. Respectively, S11 = -14,807 dB and -14 dB, VSWR = 1,232 and 1,4, and S21 = -9 dB and -3,9 dB (dual stage); for single stage circuit, S21 = 6,823 dB at 2,093 GHz.; and for dual stage circuit with 22 pF capacitor coupling, S21 = 1,64 dB at 2,481 GHz."

"Dalam perkembangan pesat teknologi informasi dan komunikasi, power amplifier memainkan peran yang sangat penting dan krusial dalam sistem komunikasi nirkabel karena merupakan komponen utama yang menentukan efisiensi dan keandalan sistem transmisi. Power amplifier mengambil daya terbesar dalam sistem transmiter, sehingga efisiensi dan keandalannya sangat mempengaruhi kinerja keseluruhan. Penelitian ini berfokus pada power amplifier kelas E yang dikenal memiliki efisiensi daya tinggi hingga 100%, menjadikannya ideal untuk aplikasi nirkabel. Frekuensi kerja 2,4 GHz sangat penting dalam teknologi komunikasi nirkabel seperti WiFi, Bluetooth Low Energy (BLE), dan Zigbee. Tujuan penelitian ini adalah merancang power amplifier kelas E dengan efisiensi tinggi pada frekuensi 2,4 GHz menggunakan simulasi dalam Advanced Design System (ADS) dari Keysight, dengan PDK TSMC RF 90 nm, tanpa implementasi fisik. Metodologi penelitian dimulai dengan studi literatur untuk memahami teori dasar dan perkembangan terkini terkait power amplifier kelas E, karakteristik transistor, matching network, dan parameter kinerja. Selanjutnya, ditentukan spesifikasi utama power amplifier dan dilakukan simulasi serta karakterisasi transistor untuk memastikan kinerja optimal. Analisis stabilitas dilakukan untuk memastikan transistor berada dalam kondisi stabil tanpa syarat. Simulasi load pull dilakukan untuk menentukan impedansi optimal yang digunakan untuk merancang matching network. Proses tuning dan optimisasi menggunakan ADS dilakukan untuk mencapai parameter kinerja yang ditargetkan. Hasil penelitian menunjukkan bahwa power amplifier kelas E yang dirancang berhasil memenuhi sebagian besar target yang ditetapkan. Pada variasi proses TT (Typical-Typical), power amplifier menunjukkan performa yang baik dengan gain sebesar 10,734 dB dan PAE sebesar 51,709%. Stabilitasnya mencapai 1,153, S21 sebesar 17,6 dB, S11 sebesar -12,218 dB, dan S22 sebesar -8,49 dB.

---

In the rapid advancement of information and communication technology, the power amplifier has become a crucial component in wireless communication systems. The power amplifier consumes the most power in the transmitter system, thus its efficiency and reliability significantly affect overall performance. This research focuses on the class E power amplifier, known for its high power efficiency of up to 100%, making it ideal for wireless applications. The 2.4 GHz operating frequency is critical in wireless communication technologies such as WiFi, Bluetooth Low Energy (BLE), and Zigbee. The objective of this research is to design a high-efficiency class E power amplifier operating at 2.4 GHz using simulations in Keysight's Advanced Design System (ADS) with the TSMC RF 90 nm PDK, without physical implementation. The research methodology begins with a literature study to understand the fundamental theory and recent developments related to class E power amplifiers, transistor characteristics, matching networks, and performance parameters. Subsequently, the main specifications of the power amplifier are determined, followed by simulations and transistor characterization to ensure optimal performance. Stability analysis is conducted to ensure the transistor operates unconditionally stable. Load pull simulations are performed to determine the optimal impedance used for designing the matching network. The tuning and optimization processes using ADS are carried out to achieve the targeted performance parameters. The research results show that the designed class E power amplifier successfully meets most of the set targets. In the TT (Typical-Typical) process variation, the power amplifier demonstrates good performance with a gain of 10.734 dB and a PAE of 51.709%. Its stability factor reaches 1.153, S21 is 17.6 dB, S11 is -12.218 dB, and S22 is -8.49 dB."

"This book presents a seamless and unified scheme for automating very complicated calculations required to design, evaluate performance characteristics of, and implement broadband and narrow band impedance matching sub-circuits. The results of these automated calculations (the component values of the impedance matching sub-circuit) are formatted as text SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) input netlists. Readers then immediately can use any available SPICE simulator to measure the performance characteristics (DC response, transient response, frequency response, RMS power transferred from source to load, reflection coefficient insertion and transmission loss, ans standing wave ratio – SWR). The text SPICE netlist can be edited easily to fine-tune the performance characteristics, and perform design space exploration and “what-if” type of analyses.- Presents details of a coherent, logical and seamless scheme to design and measure the performance characteristics of both broad and narrow band impedance matching sub-circuits;- Relieves the designer from having to manually do complex, multi-step(therefore error-prone and time-consuming) calculations, especially those related to broadband impedance matching sub-circuit design;- Provides SPICE input netlists, which enable readers to use any available SPICE simulator to estimate the performance characteristics."

"Perkembangan teknologi telekomunikasi telah membawa perubahan yang mendasar pada kehidupan manusia. Teknologi Worldwide Interoperability Mobile Access (WiMAX) mampu mentransfer data dengan kecepatan dan cakupan area yang jauh lebih baik. Saat ini teknologi WiMAX telah dikembangkan lagi menjadi teknologi untuk komunikasi bergerak yang dinamakan dengan Mobile WiMAX. Hal ini didorong dengan banyaknya permintaan dari konsumen agar tetap dapat mengadakan komunikasi di mana saja dan kapan saja. Dalam proses perancangan Mobile WiMAX tersebut, harus diperhatikan komponen-komponen yang digunakan, salah satunya yaitu High Power Amplifier (HPA). High Power Amplifier merupakan komponen akhir pada bagian pemancar dari sistem Mobile WiMAX yang berfungsi untuk menguatkan sinyal yang dikirimkan dari sumber. Penelitian ini bertujuan untuk merancang dan mensimulasikan High Power Amplifier. Pada penelitian ini HPA dibuat untuk bekerja pada frekuensi kerja 2,3 GHz. Ini merupakan frekuensi kerja untuk aplikasi Mobile WiMAX di Indonesia. Adapun spesifikasi dari HPA yang akan dirancang yaitu bekerja pada frekuensi kerja 2,3 GHz dengan output power 100mWatt, RF input 5-20 mWatt dengan penguatan (gain) 8-11 dB, efisiensi 50%, arus drain yang kecil dengan tegangan supply 9,2 volt, serta memenuhi standar kestabilan (K>1) dan return of loss ( < - 10 dB). Transistor yang digunakan yaitu transistor FLL351ME jenis MESFET. Perancangan disimulasikan dengan menggunakan software Advanced Design System (ADS). Hasil simulasi menunjukkan bahwa sistem HPA ini dalam keadaan stabil (K>1) dan menghasilkan output power 100mWatt dengan penguatan 11 dB dengan input 5-20 mWatt dan return of loss < -10 dB.

---

The development of communication technology has brought basic changes in human living. Worldwide Interoperability Mobile Access (WiMAX) technology can transfer data with the velocity and coverage area which is better than before. Nowadays, WiMAX technology has been developed again to become the technology for dynamic communication named Mobile WiMAX. This can be motivated everywhere and everytime. In the design of Mobile WiMAX process, we have to concern in the components used, for example High Power Amplifier (HPA). High Power amplifier is a component or final device in transmitter from Mobile WiMAX system which function is to strengthen the signal from the source The objective of this study is to presents a design and simulation of High Power Amplifier.

In this design, HPA is made for a work in 2.3 GHz frequency. This is a work frequency work for Mobile WiMAX application in Indonesia. The specification of power amplifier which is going to be designed is working in 3.2 GHz work frequency with 100m Watt output power, 5-20 mWatt RF input with 8-11 dB reinforcement, 50% efficiency, low drain flow with 9.2 Volt supply voltage, and fulfill the stability standard (K>1) and return of loss (< -10dB). The transistor used is FLL351ME transistor, especially MESFET. This design is simulated with Advanced Design System (ADS) software. The simulation result shows the system of HPA is stable (K>1) and produce output power 100 mWatt with gain 11 dB with input 5-20 mWatt and return of loss < - 10 dB."

"Teknologi implant biomedis menjadi salah satu teknologi yang paling banyak digunakan pada saat ini. Teknologi tersebut memanfaatkan sistem WPT untuk mentransmisikan energi nya. Salah satu bagian penting pada WPT adalah PA. Pada skripsi ini, didesain sebuah PA yang beroperasi pada frekuensi kerja 13.56 MHz yang dapat mencapai PAE hingga 80% dan gain hingga 20 dB. Pada PA ini digunakan konfigurasi Kelas A dengan menggunakan titik kerja kelas AB. PA dapat menghasilkan daya output hingga 10 dBm atau sekitar 10 mW. Tahapan desain dimulai dengan melakukan simulasi menggunakan perangkat lunak ADS (Advanced Design System) 2020 untuk menguji dan menganalisis PAE, gain, dan daya output. Berdasarkan hasil simulasi, didapatkan PAE sebesar 87.48%, gain sebesar 41.44 dBm, dan P1dB sebesar 12.39 dBm. Pada tahapan berikutnya, skematik rangkaian PA pada ADS didesain menjadi sebuah layout PCB dengan menggunakan komponen yang tersedia di pasaran. Layout PCB tersebut kemudian dicetak dan diuji. Berdasarkan pengukuran PCB, didapatkan PAE sebesar 14.58%, gain sebesar 39.1 dB, dan P1dB sebesar 12.4 dBm.

---

Biomedical implant technology is one of the most widely used technologies today. The technology utilizes the WPT system to transmit its energy. One of the important parts of WPT is PA. In this research, a 13.56 MHz PA that can reach PAE up to 80% and gain up to 20 dB has been designed. This PA used Class A configurations with Class AB operation. This PA could produce an output power up to 10 dBm or approximately 10 mW. The design process started from simulation using ADS (Advanced Design System) 2020 to observe and analyze PAE, gain, and output power. Based on simulation, this PA could reach PAE up to 87.48%, gain up to 41.44 dBm, and P1dB of 12.39 dBm. The next step of the design process is designing a PCB layout based on the schematic on ADS 2020 using available components. The PCB layout was printed and tested. Based on the PCB testing result, this PCB could reach PAE up to 14.58%, gain up to 39.1 dB, and P1dB of 12.4 dBm."

"This book discusses efforts to control the low-frequency vibration transmission of typical power equipment and pipeline systems of ships, exploring the use of active and passive hybrid vibration isolation and adjustable dynamic vibration absorption technologies. It also proposes an adaptive feed-forward control strategy and studies a distributed feed-forward control hardware system. In addition, the book presents a three-way dynamic vibration absorption theory used to design a pipeline-system adjustable dynamic vibration absorber, which offers a number of advantages, such as compact structure, easy assembly and disassembly, low power consumption, excellent vibration control effect and wide frequency band adjustable ability, etc. This book is a valuable resource for researchers and engineers in the fields of noise and vibration control, active control systems, active vibration isolation and adaptive dynamic vibration absorption."