Implementasi pemodelan energi bandgap (Eg) pada rancangan braded junction HBT Si/Si1-x Gex dengan mole fraction (x) sampai 30%

Studi tentang pengaruh doping tinggi terhadap resistansi basis dan bandgap narroeing pada Si/Si 1-2 Gex/Si heterojunction bipolar transistor

Studi tentang pengaruh doping tinggi terhadap resistansi basis dan bandgap narrowing pada Si/Si1-xGex /Si HBT

Pengaruh mole fraction (x) dan profit germanium terhadap unjuk kerja frekuensi respon dan noise figure (fn) pada Sige HBT's

Pengaruh mole fraction (X) dan profil germanium terhadap unjuk kerja frekuensi respon dan noise figure ( F n ) pada sige HBT?s