Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Kebutuhan sel surya ekonomis telah memicu perkembangan teknologi sel surya lapisan tipis dari bahan baku yang murah, berlimpah dan ramah lingkungan, salah satunya adalah sel surya Cu2ZnSnS4 (CZTS). Namun sebagai senyawa semikonduktor kuartener, pembentukan fasa tunggal CZTS cukup sulit karena melibatkan banyak elemen yang cenderung membentuk fasa-fasa yang dapat menurunkan kualitas dari sel surya CZTS. Tantangan ini memberi peluang bagi pengembangan material sel surya alternatif berbasis senyawa semikonduktor biner/tersier seperti Cu2SnS3 (CTS). Telah dilakukan sintesis serbuk senyawa CTS dalam reaksi fasa padat menggunakan bahan baku serbuk elemen Cu, Sn, dan S dengan variasi komposisi prekursor (S-rich, Sn-rich dan Cu-poor). Proses sintesis diawali dengan pencampuran serbuk Cu, Sn dan S menggunakan mortar-pestle dan rotary mixing selama 3 jam lalu dianil pada temperatur 200-600 0C dengan waktu tahan 1 jam. Mekanisme kristalisasi fasa CTS dianalisis menggunakan DTA-TGA dan XRD. Hasil analisis kualitatif dengan XRD menunjukkan bahwa metode sintesis ini belum menghasilkan fasa murni CTS. Fasa CTS mulai terbentuk pada temperatur > 340 0C melalui reaksi antar fasa-fasa biner Cu2-xS, SnS dan elemen S. Kemurnian dan kristalinitas fasa CTS paling optimal dihasilkan oleh sampel Cu-poor dengan temperatur anil optimal adalah antara 340-420°C dan 507-600°C. Hasil uji morfologi dengan SEM menunjukkan serbuk CTS polikristalin teraglomerasi dengan bentuk dan ukuran serbuk yang tidak homogen. Besar energi celah pita rata-rata yang diuji dengan Diffuse Reflectance Spectroscopy UV-VIS adalah sekitar 1,67 eV.

---

The need for economical solar cells has stimulated the development of thin film solar cell (TFSC) technology using inexpensive, earth-abundant and non-toxic photovoltaic (PV) materials, like Cu2ZnSnS4 (CZTS). However, as a quaternary semiconductor compound, the growth and the formation of a single phase CZTS is difficult because of the formation of secondary phases which will alterits PV properties. Hence, it was thought to explore the ternary semiconductor compound like CTS as an alternative PV material. CTS compound powder has been synthesized by solid state reaction using elemental powders Cu, Sn and S.. The effect of Sulfur (S) and Tin (Sn) content in precursor on the purity and crystallinity of CTS material has been investigated.

The experiment begins by mixing powders of Cu, Sn and S using mortar-pestle and rotary mixing for 3 hours and then annealed at a temperature of 200-600 0C with a hold time of 1 hour. The CTS reaction chemistry was also analyzed based on the DTA-TGA and XRD results. Qualitative analysis by XRD showed that this synthesis method is not yet produce pure phase CTS. The crystallization of CTS began at 340 0C through the reaction between Cu2-xS, SnS and S. Best quality of CTS produced by the addition of 10% S + 10% Sn in the precursors (Cu-poor) and optimal annealing temperature is between 340-420°C and 507-600°C. Morphology of powder as revealed by SEM shows the polycrystalline powder to be agglomerated with inhomogeneous shape and size. The band gap of CTS powder is found to be 1.67 eV from diffuse reflectance spectroscopy"

"Karakteristik lapisan anodik oksida hasil anodisasi sangat dipengaruhi oleh jenis elektrolit dan input tegangan yang digunakan selama proses anodisasi. Pada penelitian ini dilakukan anodisasi paduan Ti-6Al-4V di dalam larutan kalsium hidroksida pada kondisi variasi tegangan 10, 20, dan 30 V. Penelitian ini bertujuan untuk menganalisis perilaku korosi paduan akibat perlakuan anodisasi. Proses anodisasi dilakukan pada suhu 25°C selama 20 detik. Proses anodisasi direkam dengan menggunakan digital multimeter untuk menghasilkan kurva arus terhadap waktu anodisasi. Karakterisasi komposisi fasa dan unsur yang terbentuk setelah anodisasi dilakukan dengan uji XRD and EDS. Uji korosi dilakukan dengan metode elektrokimia menggunakan mode: open circuit potential (OCP), polarisasi potensiodinamik (PDP), dan spektroskopi impedansi (EIS). Dari hasil karakterisasi komposisi unsur menggunakan EDS menunjukkan fasa Oksigen yang tinggi pasca anodisasi menandakan bahwa pembentukan lapisan oksida telah terbentuk. Hasil kekerasan Vickers menunjukkan bahwa nilai kekerasan sampel Ti-6Al-4V berada pada rentang 325-380 HV. Sampel dengan variasi tegangan tertinggi (30V-Ca) memiliki ketahanan korosi tertinggi (Icorr=1,16 x10-6A/cm2; Ecorr=-0,18 V). Dalam uji imersi selama 31 hari pada larutan Ringer yang dimodifikasi belum terlihat fasa apatit dalam hasil XRD, hal ini dikarenakan permukaan paduan logam titanium yang inert baik sebelum dan setelah proses anodisasi.

---

The characteristics of the anodized anodic oxide layer are strongly influenced by the type of electrolyte and the input voltage used during the anodization process. In this study, the anodization of Ti-6Al-4V alloy in calcium hydroxide solution was conducted under various stress conditions of 10, 20, and 30 V. This study analyzed the corrosion behavior of the alloy due to anodizing treatment. The anodization process was conducted at a temperature of 25°C for 20 seconds. The anodization process was recorded using a digital multimeter to produce a current versus anodization time curve. The characterization of the phase and elemental compositions formed after anodization was conducted using XRD and EDS tests. Corrosion tests were conducted by electrochemical methods using the following modes: open circuit potential (OCP), potentiodynamic polarization (PDP), and impedance spectroscopy (EIS). The results of the characterization of elemental composition using EDS showed a high oxygen phase after anodization, indicating that the formation of an oxide layer had been formed. The sample with the highest voltage variation (30V-Ca) had the highest corrosion resistance (Icorr=1.16 x10-6A/cm2; Ecorr=-0.18 V). In the immersion test for 31 days in the modified Ringer's solution, the apatite phase was not visible in the XRD results, which was due to the inert surface of the titanium metal alloy both before and after the anodization process"