Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKUntuk mengurangi cacat pada kristal tunggal silicon dengan orientasi (100) yang telah ditumbuhkan dengan Metode Czochralski, telah dilakukan penganilan terhadap wafer-wafer kristal dengan variasi temperatur 1000, 1100 dan 1200 °C, serta waktu anil 6, 12 dan 24 jam. Metode yang digunakan dalam pengamatan cacat kristai adalah Metode Permukaan (etch pits) dengan luas efektif setiap titik pengamatan sebesar 0,11 mm2. Hasil pengamalan memperlihatkan terjadinya fluktuasi kuantitas cacat kristal dari ujung seed sampai ujung ingot: sampel tanpa proses anil mempunyai cacat yang berfluktuasi antara 4758 sampai 11495/cm2, sedangkan sampel yang dianil mempunyai cacat antara 1541 sampai 5388/cm2.

---

ABSTRACT

In reducing the crystal defects at single crystal silicon with the orientation (100) which has been grown using Czochralski Method, the annealing process of crystal wafers have been done with temperature variation of 1000, 1100 and 1200 °C and also annealing time 6, 12 and 24 hours. Etch pits method has been used to obtain the crystal defects using an effective observation area of 0.11 mm2. The result shows that the defects fluctuation occur accross the length of the sample, from the seed-end toward the bottom-end, also the samples that were not annealed having the variation of crystal defects between 4758 to 114951cm2, while the samples that were annealed showing the defects variation between 1541 to 5388/cm2."

"Telah dirancang dan dibuat sistem penumbuhan semikonduktor yang telah digunakan dalam penumbuhan semikonduktor lapisan tipis Cadmium Telleruide (CdTe). Sistem penumbuhan yang dirancang dan yang dibuat tersebut, terdiri dari tabung tempat penu nbuhan yang dibuat dari tabung kwarsa, sedangkan kumparan pemanas dibuat dari kawat kantha tipe A dengan diameter 0,508 mm dan resistivitasnya 9,915 ohm/m Sebagai dudukan source, dopant dan substrat holder dibuat dan grafit.Untuk menutup tabung tempat penumbuhan semikonduktor tersebut, dibuat penutup tabung dari bahan messing yang dilengkapi dengan sheel dan bahan apiezon grease yang digunakan untuk menghindari kebocoran pada persambungan antara tabung kwarsa dengan tutup tabung tersebut. Untuk mendeteksi keadaan temperatur yang terjadi dalam tabung kwarsa, pada masing masing lokasi source, dopant dan substrat holder digunakan thermocoupet tipe K. Untuk mengontrol temperatur yang terjadi dalam tabung kwarsa, digunakan alat kontrol temperatur yang diintegrasikan dengan triac, sebagai alat pembatas temperatur bila melebihi yang ditentukan sebelumnya.Pada penumbuhan semikonduktor tersebut, menggunakan source Cadmium Tefleruide (CdTe) dan dopant Aluminium (Al) dengan kemurnian 6N, sedangkan substrat holdernya menggunakan grafit dan gelas corning. Penumbuhan semikonduktor lapis CdTe dilakukan dalam tabung kwarsa yang divakumkan dengan metoda penguapan CVD (Chemical Vapour Deposition). Penumbuhan semikonduktor lapis ini dilakukan dengan cara source maupun dopant dipanaskan sampai menguap sedangkan substrat holder dipanaskan antara 360 samai 460 C, kemudian dialirkan gas nitrogen (N2) untuk membawa uap-uap source maupun dopant ke substrat holder. Dari hasil penumbuhan yang dilakukan diperoleh semikonduktor tipe-n dan tipe-p."