Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dibuat lapisan tipis (thin film) Seng sulfida (ZnS) dan Seng sulfida-Mangan (ZnS:Mn) pada substrat kaca dengan laju deposisi yang berbeda dengan cara evaporasi termal dan co-evaporasi termal di dalam bejana vakum. Pengukuran terhadap karakteristik impedansi lapisan tipis ZnS dan ZnS:Mn dilakukan di luar vakum untuk frekuensi yang bervariasi antara ribuan hingga jutaan hertz dan laju deposisi yang berbeda dengan ketebalan yang tetap. Ternyata pada daerah frekuensi 1 KHz sampai dengan 10 KHz terjadi penurunan impedansi yang relatif tajam, namun laju penurunan tersebut mulai berkurang pada daerah frekuensi di atas 10 KHz hingga sedikit di bawah 1 MHz. Pada daerah frekuensi di atas 1 MHz bahkan terjadi kenaikan harga impedansi yang menunjukkan telah terjadi gejala relaksasi pada lapisan tipis ZnS dan ZnS:Mn yang diamati. Hasil lain yang diperoleh bahwa permitivitas relatif (K) yang terbentuk pada lapisan tipis tersebut meningkat pengaruhnya pada frekuensi di atas 10 KHz sehingga terlihat bahwa kapasitansi lapisan tipis yang diamati memiliki harga yang tidak konstan, Selain itu nilai kapasitansi dan resistansi lapisan tipis ZnS:Mn mengalami perubahan terhadap variasi kadar Mn dari lapisan tipis tersebut."

"Telah dibuat lapisan tipis ZnS tanpa tambahan Sulfur dan dengan tambahan Sulfur dengan metode evaporasi termal. Pola difraksi yang didapat dengan karakterisasi XRD menunjukkan bahwa lapisan tipis ZnS yang dibuat dengan dan tanpa tambahan Sulfur memiliki struktur kristal kubik (Zincblende) dengan preferred orientation [111] untuk laju deposisi 6 A/s dan struktur kristal hexagonal (wurtzite) dengan preferred orientation [0021 untuk laju deposisi 20 Vs. Lapisan tipis yang didapat berbentuk polikristal, hal ini menunjukkan struktur kolumnar yang memang biasanya dimiliki oleh lapisan tipis yang dibuat dengan metode PVD. Juga diamati untuk sampel dengan laju deposisi lebih tinggi mempunyai ukuran butir yang lebih kecil.Dari analisa EDAX diketahui semua sampel kelebihan sulfur baik yang dibuat dengan tambahan Sulfur maupun tanpa tambahan Sulfur. Pengukuran konduktivitas terhadap temperatur menunjukkan lapisan tipis ZnS yang dibuat mempunyai perilaku semikonduktor. Sampel dengan laju deposisi rendah mempunyai hambatan jenis ~106 Ωcm dan sampel dengan laju deposisi tinggi mempunyai hambatan jenis ~107Ωcm untuk ZnS tanpa tambahan sulfur dan ~109Ωcm untuk ZnS dengan tambahan sulfur. Karakterisasi I-V menunjukkan adanya sifat ohmik, non ohmik dan destructive breakdown pada medan ± 3 MV/cm. Mekanisme yang terjadi pada medan rendah adalah tunneling dan pada medan tinggi (>1 MV/cm) terjadi pula electron avalanching."