Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Lead Selenide (PbSe) thin film of 5765 A thickness had been deposited by thermal evaporation in vacuum system and characterised in Physics Laboratories at FMIPA UI Depok. Optical characterisation is done with spectrophotometer MR. Using the Hishikawa method, applied in a computer program, will yield optical parameters such as index of refraction (n), extinction coefficient (k), absorption coefficient (a) and energy gap (Eg). Electrical characterisation is done by measuring the conductivity toward the temperature between 15 - 300 K, Hall Effect, energy gap, density of conduction electrons (N), and mobility (µ). The result shows a not allowed direct transition semiconductor. Different results for the band gap width is recorded between the optical and the electrical methods.

---

Dibuat lapisan tipis PbSe di atas substrat kaca, dengan tehnik pelapisan evaporasi termal dalam sistem vakum dengan ketebalan 5765 A, di laboratorium Fisika FMIPA Ul Depok. Dilakukan karakterisasi optis dengan alat spektrofotomer NIR. Dengan menggunakan metode Hishikawa yang dibuat menjadi suatu program komputer, diperoleh parameter-parameter optis seperti indeks bias (n), koefisien absorpsi (ac) dan konstanta peredaman (k) serta lebar pita terlarang (E9). Karakterisasi listrik dilakukan dengan pengukuran konduktivitas terhadap temperatur antara 15 - 300 K, pengukuran tegangan Hall (VH), menentukan lebar pita terlarang dan kerapatan pembawa muatan (N) serta mobilitas (p.). Hasilnya menunjukkan suatu semikonduktor transisi Iangsung yang tidak diijinkan. Terdapat perbedaan hasil penentuan lebar pita terlarang antara metode optis dan listrik."

"Penelitian ini bertujuan untuk mengoptimalkan performance dari peralatan yang digunakan dalam pembuatan lapisan tipis (film), yang meliputi catu daya evaporator, pengukur tekanan, pengukur temperatur dan pengukur tebal lapisan tipis, agar dapat bekerja secara terintegrasi dan terkendali.Beberapa hal yang dilakukan dalam penelitian ini adalah mendisain dan membuat rangkaian pengendali temperatur, memperbaiki rangkaian pengukur tekanan, serta memodifikasi rangkaian catu daya evaporator agar dapat dikendalikan secara otomatis oleh pengukur laju evaporasi.Pada akhir penelitian ini:1. Temperatur lapisan tipis (film) selama evaporasi dapat dijaga konstan pada temperatur tertentu yang diinginkan dengan fluktuasi ± 5 %.2. Tekanan ruang vakum dapat diukur menggunakan sebuah pengukur tekanan, baik untuk mengukur tekanan yang lebih besar dari 10-3 mbar dengan metode termal maupun tekanan yang lebih kecil dari 10-3 mbar dengan metode ionisasi. Pergantian dua metode pengukuran tekanan tersebut berlangsung secara otomatis.3. Laju evaporasi, proses pemanasan awal (pre deposisi) dan tebal akhir lapisan tipis yang diinginkan dapat diprogram sebelumnya. Daya listrik yang diberikan catu daya ke evaporator diatur sepenuhnya oleh rangkaian pengendali.Oleh karena proses pembuatan lapisan tipis dengan cara evaporasi termal ini bekerja secara otomatis maka kualitas lapisan tipis yang dihasilkannya akan lebih baik dan bersifat repetitif."

"Telah dibuat lapisan tipis ZnS tanpa tambahan Sulfur dan dengan tambahan Sulfur dengan metode evaporasi termal. Pola difraksi yang didapat dengan karakterisasi XRD menunjukkan bahwa lapisan tipis ZnS yang dibuat dengan dan tanpa tambahan Sulfur memiliki struktur kristal kubik (Zincblende) dengan preferred orientation [111] untuk laju deposisi 6 A/s dan struktur kristal hexagonal (wurtzite) dengan preferred orientation [0021 untuk laju deposisi 20 Vs. Lapisan tipis yang didapat berbentuk polikristal, hal ini menunjukkan struktur kolumnar yang memang biasanya dimiliki oleh lapisan tipis yang dibuat dengan metode PVD. Juga diamati untuk sampel dengan laju deposisi lebih tinggi mempunyai ukuran butir yang lebih kecil.Dari analisa EDAX diketahui semua sampel kelebihan sulfur baik yang dibuat dengan tambahan Sulfur maupun tanpa tambahan Sulfur. Pengukuran konduktivitas terhadap temperatur menunjukkan lapisan tipis ZnS yang dibuat mempunyai perilaku semikonduktor. Sampel dengan laju deposisi rendah mempunyai hambatan jenis ~106 Ωcm dan sampel dengan laju deposisi tinggi mempunyai hambatan jenis ~107Ωcm untuk ZnS tanpa tambahan sulfur dan ~109Ωcm untuk ZnS dengan tambahan sulfur. Karakterisasi I-V menunjukkan adanya sifat ohmik, non ohmik dan destructive breakdown pada medan ± 3 MV/cm. Mekanisme yang terjadi pada medan rendah adalah tunneling dan pada medan tinggi (>1 MV/cm) terjadi pula electron avalanching."

"Sebagai bahan semikonduktor. CuInSe2 yang berbentuk serbuk ( powder ) telah dibuat menjadi lapisan tipis dengan menggunakan metode evaporasi thermal. Lapisan yang dihasilkan, didapat dari dua kali evaporasi dengan temperatur substrat yang berbeda masing-masing 150 °C dan 200 °C. Untuk lapisan tipis dengan temperature substrat 150 °C diannealing pada atmosfir Selenium. sedangkan lapisan tipis dengan temperatur substrat 200 °C diannealing dalam ruang vakum selama 10 menit pada temperatur 200 °C. Selanjutnya pengukuran sifat optik dan sifat listrik dilakukan terhadap ketiga bagian sampel. antara lain; sampel lapisan tipis yang belum diannealing dalam ruang vakum/diannealing pada atmosfir Selenium, yang diannealing dalam ruang vakum dan yang diannealing pada atmosfir Selenium yaitu untuk dikarakterisasi. Dari hasil pengkarakterisasian dilaporkan bahwa, dengan proses annealing pada atmosfir Se dan ruang vakum bentuk spektrum transmisi dan reflektansi terlihat lebih halus. Kedua lapisan tipis ini baik yang diannealing dalam ruang vakum maupun diannealing pada atmosfir Selenium memiliki resistivitas sekitar ( 2.2 s/d 2.5 ) ohm cm dengan type konduktivitasnya cenderung lebih banyak type - N dari pada type - P."