Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Hasil Pencarian

Ditemukan 1 dokumen yang sesuai dengan query
cover
Khotimatul Fauziah
Pengaruh panjang co-doped dan intrinsic region terhadap subthreshold swing (SS) pada divais lateral p-n dan p-i-n berskala nano = Impact of co-doped and intrinsic region length on subthreshold swing (SS) in si nanoscale lateral p-n and p-i-n devices
" Tunnel Field Effect Transistor (TFET) merupakan struktur divais yang menggunakan mekanisme transport band-to-band tunneling untuk proses injeksi carrier. Hal ini berbeda dengan MOSFET yang menggunakan thermionic emission untuk mengalirkan arus. Dengan mekanisme transport yang berbeda ini,TFET dapat mencapai nilai subthreshold swing (SS) lebih rendah dari 60 mV/dec, lebih kecil dari transistor konvensional. Rendahnya nilai SS ini penting untuk penskalaan tegangan dengan arus switching yang ideal. Pada tesis ini dilakukan analisa karakteristik tunnel FET pada divais ... "
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2014
T38976
UI - Tesis Membership  Universitas Indonesia Library