Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Material Seng Oksida ( ZnO) adalah salah satu material semikonduktor yang sedang banyak diteliti yang banyak diaplikasikan pada devais optoelektronik dan aplikasi fotokatalitik. Material ZnO dapat diubah sifatnya melalui penambahan doping. Dalam penelitian ini, nanorod ZnO disintesis dengan lima variasi doping Cu (0%, 1%, 4%, 7% dan 10%) melalui 2 tahap yaitu tahap deposisi lapisan benih di atas subtrat indium tin oxide (ITO) menggunakan metode ultrasonic spray pyrolisis dan tahap penumbuhan nanorod ZnO menggunakan metode hidrotermal. Karakterisasi nanorod ZnO meliputi morfologi permukaan oleh scanning electron microscopy (SEM), struktur kristal oleh x-ray diffraction (XRD), dan sifat optik oleh ultraviolet-visible spectroscopy (UV-Vis) dan fotoluminisen (PL). Hasil penelitian menunjukkan bahwa nanorod ZnO ditumbuhkan dengan bentuk hexagonal dan orientasi tumbuh beragam. Umumnya penambahan doping Cu menyebabkan peningkatan densitas, penurunan diameter, penurunan parameter kisi dan volume kristal nanorod ZnO. Penambahan konsentrasi doping Cu menurunkan absorbansi pada daerah panjang gelombang ultraviolet, meningkatkan nilai bandgap dan menurunkan puncak luminisensi di daerah ultra violet dan cahaya tampak. Dari hasil ini penulis menyimpulkan bahwa penambahan Cu sebesar 4 % pada struktur nanorod ZnO paling optimal untuk aplikasi devais optoelektronik dan fotokatalisis karena tingginya absorbansi di daerah ultraviolet dan rendahnya cacat yang terbentuk.

---

Material Zinc Oxide (ZnO) is a semiconductor material that has been researched widely for optoelectronic devices and photocatalytic applications. The characteristic ZnO material can be changed by the addition of doping. In this study, the nanorod ZnO were synthesized with five variations of doping Cu (0%, 1%, 4%, 7% and 10%) through two phases: the deposition of seed layer over a substrate of indium tin oxide (ITO) using ultrasonic spray pyrolisis and the growth of ZnO nanorod using hydrothermal method. The characterization of ZnO nanorod include surface morphology by scanning electron microscopy (SEM), the crystal structure by x-ray diffraction (XRD), and optical properties by ultraviolet-visible (UV-Vis) and photoluminisence (PL) spectroscopy. The results showed that ZnO nanorod were grown with a hexagonal shape with diverse growth orientation. Generally, the addition of Cu doping led to an increase in density, diameter reduction, a decrease in the lattice parameter and crystal volume of ZnO nanorod. The addition of Cu doping also decreases the absorbance at ultraviolet wavelength region, increasing the band gap and reducing luminesence peak in the region of ultraviolet and visible light. From these results the author concluded that the addition of 4% Cu on ZnO nanorod stucture is the most optimal for optoelectronic devices and photocatalytic applications due to the high absorbance in the ultraviolet region and the low defects are formed.

Abstrak :
ABSTRAK
Pada senyawa semikonduktor InGaAsP (Indium - Galium - Arsenit-Phosfor) yang ditumbuhkan diatas substrat InP (Indium-Phosfor), lapisan aktif Ins-xGaxAsyPI-y akan menentukan emisi foton pada panjang gelombang L untuk harga x dan y tertentu.

Lapisan aktif yang mempunyai energi gap Eg = 0,8 eV ditumbuhkan sesuai kisi substrat p-InP dari struktur jamak ganda InGaAsP/InP akan menghasilkan spektrum emisi spontan pada daerah panjang gelombang X = 1,55 mm. Doping konsentrasi aseptor Na lapisan p-InP akan menentukan puncak panjang gelombang Xp dari pada spektrum emisi spontan. Spektrum emisi spontan pada puncak panjang gelombang Xp = 1,55 pm memungkinkan untuk ditransmisikan melalui media serat optik yang terbuat dari bahan serat silika optik mode tunggal.

Pada penulisan tugas thesis ini dilakukan simulasi spektrum emisi spontan relatif R dari lapisan aktip terhadap perubahan dari konsentrasi aseptor Na menggunakan perangkat lunak Borland delphi.

Analisa hasil simulasi menunjukkan spektrum emisi spontan relatif R pada puncak panjang gelombang 7-p = 1,55 pm terjadi pada konsentrasi aseptor Na = 150 x 1017 Cm-9 dan parameter band tail = 0,072 eV.

---

In semiconductor compound of InGaAsP (Indium--Gallium--Arsenit-Phosfor) being growing on InP (Indium--Phosfor) substrate, the active layer of Ini-xGaxAsyPI-y is going to determine photon emission at wavelength of k for values certain of x and y.

The active layer having gap energy of Eg = 0.8 eV lattice-matched to InP of double heterostructure InGaAsP/InP yield spontaneous emission spectrum at wavelength region of X = 1.55 pm. Doping acceptor concentration of Na for p--InP layer would determine on peak wavelength of kp for spontaneous emission spectrum. The spontaneous emission spectrum on the peak wavelength of Xp = 1.55 pm is possible for use as transmitted through single mode fiber optic which made of optic silica material. In the writing this thesis, the relative spontaneous emission spectrum of R from active layer simulated with various of Na acceptor concentrations by using delphi borland software.

Simulation result analyzing show that relative spontaneous emission of R on peak wavelength of Xp = 1.55 pm is happened for acceptor concentration of Na = 150 x 1017 Cm-3 and band tail parameter of 77 = 0.072 eV.