Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Dalam penelitian ini telah berhasil dilakukan pembuatan thin film Zn excimer pada substrat Safir (α-Al2O3) dengan teknik rekombinasi ion pada sistem electron assisted PVD. Modifikasi level elektronik pada Zn dengan eksitasi memungkinkan untuk mendapatkan struktur kristal yang berbeda dan akan merubah sifat material. Salah satu variabel utama dalam kontrol pembentukan Zn excimer dengan metode rekombinasi ion adalah kontrol energi insiden elektron. Kontrol energi tersebut berkaitan dengan fenomena densitas elektron yang ditembakkan ke substrat. Distribusi densitas muatan elektron tersebut tergantung pada posisi substrat sehingga akan berpengaruh pada pembentukan lapisan film Zn excimer. Sampel lapisan film tersebut dikarakterisasi dengan pengujian seperti X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) pada lokasi sampel yang berbeda. Karakterisasi dengan XPS akan membantu untuk memahami pengaruh densitas muatan elektron terhadap lapisan film Zn excimer.

---

In this study have been successfully performed the manufacture of thin film Zn * on a substrate Sapphire (α-Al2O3) by ion recombination techniques in electronassisted PVD system. Modifications electronic level in Zn with excitation makes it possible to get different crystal structure and properties. The main variable for control formation of Zn excimer is the energy incident electron. These related to the phenomenon of electron density that irradiated into the substrate. Electron charge density distribution depends on the position of the substrate that will affect the formation of thin film Zn excimer. The samples were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) at different sample locations. Characterization by XPS will help to understand the influence of the electron charge density of the thin film Zn excimer."

"ABSTRAKTesis ini membahas mengenai faktor koreksi rekombinasi ion untuk bilik ionisasi pada berkas foton FFF Flattening-Filter-Free kemudian membandingkan hasilnya dengan berkas foton konvensional. Evaluasi faktor koreksi rekombinasi ion dilakukan untuk bilik ionisasi FC65-G, SNC600c dan CC13. Pengukuran menggunakan ketiga bilik ionisasi dilakukan di dalam fantom air dan menggunakan foton FFF dan foton konvensional 6 MV dari pesawat Varian Trilogy. Nilai faktor koreksi rekombinasi ion untuk ketiga bilik ionisasi kemudian diperoleh dari perhitungan dengan menggunakan metode dua tegangan sederhana dan fitting kurva Jaffe plot. Pengukuran juga dilakukan untuk beberapa variasi kedalaman dan variasi ukuran lapangan. Nilai faktor rekombinasi ion yang diperoleh secara keseluruhan dari ketiga bilik ionisasi menunjukkan bahwa nilai koreksi pada berkas foton FFF memilliki nilai yang lebih besar dibandingkan berkas foton konvemsional dengan perbedaan < 0,5 . Sementara dengan menggunakan beberapa variasi kedalaman dan ukuran, diketahui bahwa nilai koreksi rekombinasi ion berkurang dengan bertambahnya kedalaman variasi < 0,3 dan meningkat dengan bertambahnya ukuran lapangan variasi < 0,1 . Nilai koreksi rekombinasi ion yang diperoleh dari fitting kurva Jaffe plot linier memiliki perbedaan sebesar le; 7,649 bila dibandingkan dengan metode dua tegangan. Sementara perbedaan nilai koreksi rekombinasi ion yang diperoleh dari fitting kurva kuadratik dan fitting kurva kuadratik eksponensial terhadap metode dua tegangan adalah sebesar le; 0,5882 dan le; 1,798 . Selain koreksi rekombinasi ion, pada penelitian ini juga dilakukan evaluasi terhadap nilik faktor koreksi polaritas pada berkas foton FFF. Nilai koreksi polaritas berkas foton FFF dengan berkas foton konvensional memiliki perbedaan sebesar < 0,15 .. Nilai koreksi rekombinasi ion maupun koreksi polaritas untuk ketiga bilik ionisasi tidak memiliki perbedaan yang dignifikan bila dibandingan antara berkas foton konvensional dengan foton FFF.

---

ABSTRACT

This study focused on ion recombination factor for ionization chambers in FFF flattening filter free photon beams and then compared the result against conventional photon beams. The evaluation of ion recombination correction factor was performed using FC65 G, SNC600c, and CC13 ionization chambers. Measurements using the three ionization chambers were performed within the water fantom and using 6 MV FFF and conventional photon beams from the Varian Trilogy linac. The ion recombination correction factor value for the three ionization chambers were obtained from the calculation using the simple two voltage method and Jaffe plot curve fitting. Measurements were also performed for several depth and field size variations. The ion recombination factor value obtained from all three ionization chambers were higher for FFF photon beams than for the conventional photon beams with a difference of 0.5 . While using several variations of depth and size, the results showed that the ion recombination correction value decreased with increasing depth with variation 0.3 and increased with increasing field size with variation 0.1 . The ion recombination correction value obtained from the linear Jaffe plot curve fitting had a difference le 7.649 when compared to the two voltage method. While differences in ion recombination correction values obtained from quadratic curve fitting and exponential quadratic curve fitting to two voltage methods were le 0.5882 and le 1.798 . In addition to ion recombination correction, this study also evaluated the polarity correction factor in the FFF photon beams. The polarity correction value of FFF photon beam with conventional photon beam had a difference 0.15 . The value of ion recombination and polarity correction for the three ionization chambers in FFF photon beams has no significant difference compared to conventional photon beams."