Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Penelitian ini bertujuan untuk merancang dan membangun sistem pelapisan logam menggunakan metode plasma sputtering, salah satu metode deposisi uap fisik (PVD) yang memanfaatkan ionisasi gas argon untuk membombardir target logam, sehingga atom-atom logam terlepas dan mengendap pada substrat yang akan dilapisi. Sistem yang dirancang terdiri dari ruang vakum, sumber tegangan tinggi, dan sistem pengaturan gas. Ruang vakum diperlukan untuk menjaga kestabilan plasma dan meminimalkan kontaminasi. Sumber tegangan tinggi digunakan untuk menghasilkan plasma dengan energi yang cukup untuk proses sputtering, dan pengaturan gas argon dilakukan untuk memastikan konsentrasi yang optimal selama proses berlangsung.

Hasil penelitian menunjukkan bahwa sistem pelapisan dengan metode plasma sputtering telah berhasil dibangun. Dalam waktu 7,5 menit, tabung vakum dapat mencapai tekanan terendah sebesar 1887 mikron. Plasma mulai tampak pada tabung vakum saat tekanan 37500 mikron dengan tegangan sebesar 12500 Volt. Dengan tegangan 2500 Volt, plasma mulai tampak pada tekanan 19827 mikron. Glow discharge plasma dapat terjadi pada tekanan 4082 mikron. Meskipun endapan tembaga hasil sputtering tidak ditemukan pada substrat, endapan ditemukan pada besi anoda. Nilai hambatan pada kaca preparat sebelum dan sesudah sputtering adalah OL (overload), sedangkan nilai hambatan pada besi anoda berubah dari 0,3 Ohm menjadi 1,8 Ohm, menunjukkan adanya endapan pada besi anoda.

---

This research aims to design and build a metal coating system using the plasma sputtering method, a physical vapor deposition (PVD) technique that utilizes argon ionization to bombard the metal target, causing metal atoms to be released and deposited on the substrate to be coated. The designed system consists of a vacuum chamber, a high voltage source, and a gas control system. The vacuum chamber is necessary to maintain plasma stability and minimize contamination. The high voltage source is used to generate plasma with sufficient energy for the sputtering process, and the argon gas control ensures optimal concentration during the process. The research results indicate that the metal coating system using the plasma sputtering method has been successfully built. Within 7.5 minutes, the vacuum chamber achieved a minimum pressure of 1887 microns. Plasma appeared in the vacuum chamber at a pressure of 37500 microns with a voltage of 12500 Volts. At a voltage of 2500 Volts, plasma appeared at a pressure of 19827 microns. Glow discharge plasma occurred at a pressure of 4082 microns. Although copper deposition from sputtering was not found on the substrate, deposition was found on the iron anode. The resistance values on the glass slide before and after sputtering were 0L (overload), while the resistance value on the iron anode changed from 0.3 Ohms to 1.8 Ohms, indicating deposition on the iron anode."

"Penelitian ini dilakukan untuk meningkatkan kerja sebuah ruang vakum yang dapat melakukan pemvakuman dan penahanan vakum yang lebih baik dibandingkan penelitian terkait sebelumnya, selain itu juga mengatasi kurangnya daya pada plasma yang terbentuk serta kurangnya dielectric strength yang menyebabkan plasma tidak terbentuk pada posisi yang diharapkan. Dengan mengatasi masalah tersebut, diharapkan penelitian ini dapat membuat munculnya endapan dari hasil plasma sputtering yang dilakukan. Peningkatan kinerja dilakukan dengan menempatkan elektroda di atas dan bawah dengan penempatan kabel seluruhnya di luar ruang vakum. Ruang vakum dirancang agar dapat dibongkar pasang supaya penggantian elektroda dan peletakan substrat, target, serta magnet lebih mudah dilakukan. Untuk membangkitkan plasma digunakan beberapa cara untuk melihat cara mana yang dapat menghasilkan plasma terbaik. Cara yang digunakan yaitu dengan menggunakan metode power supply dc variable, rangkaian ballast dan starter, rangkaian trafo dengan dioda rectifier serta kapasitor, dan rangkaian trafo dengan dioda rectifier serta kapasitor dan ballast. Hasil ruang vakum yang dibuat memiliki peningkatan dalam melakukan pemvakuman dibanding penelitian sebelumnya, dimana ruang vakum yang dibuat dapat mencapai tekananan rata-rata 855.4 mikron waktu 1 jam, dengan tekanan rata-rata 1398.2 mikron dalam waktu 5 menit, sedangkan rata-rata tekanan yang dicapai ruang vakum pada penelitian sebelumnya dalam waktu 5 menit adalah 2607.6 mikron. Cara terbaik untuk pembangkitan plasma yaitu dengan menggunakan rangkaian trafo dengan dioda rectifier serta kapasitor dan ballast, dimana plasma yang tercipta akan stabil dan plasma yang terhasilkan pekat yang menandakan besarnya daya pada plasma yang dihasilkan. Plasma dapat terbentuk pada jarak yang dekat maupun jauh pada posisi yang diharapkan menandakan bahwa dielectric strength sistem ruang vakum yang dibuat telah meningkat.

---

This research was carried out to improve the work of a vacuum chamber which can carry out better vacuuming and vacuum holding compared to previous related research, apart from that it also overcomes the lack of power in the formed plasma and the lack of dielectric strength which causes the plasma not to form in the expected position. By overcoming this problem, it is hoped that this research can cause deposits to appear from the results of the plasma sputtering carried out. Performance improvement is carried out by placing the electrodes at the top and bottom with the cable placed completely outside the vacuum chamber. The vacuum chamber is designed so that it can be disassembled so that replacing electrodes and placing substrates, targets and magnets is easier. To generate plasma, several methods are used to see which method can produce the best plasma. The method used is by using a dc variable power supply method, a ballast and starter circuit, a transformer circuit with rectifier diodes and capacitors, and a transformer circuit with rectifier diodes as well as capacitors and ballast. The results of the vacuum chamber created have an increase in vacuuming compared to previous research, where the vacuum chamber created can reach an average pressure of 855.4 microns in 1 hour, with an average pressure of 1398.2 microns in 5 minutes, while the average pressure achieved the vacuum in previous research within 5 minutes was 2607.6 microns. The best way to generate plasma is to use a transformer circuit with rectifier diodes as well as capacitors and ballasts, where the plasma created will be stable and the resulting plasma is concentrated which indicates the amount of power in the resulting plasma. Plasma can form at near or far distances at the desired position indicating that the dielectric strength of the vacuum chamber system being created has increased."