Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
ABSTRAK
Salah satu aplikasi penerapan foto detektor ultraviolet UV di bidang biologi adalah deteksi biological agents dan germicidial yang efektif penerapannya pada panjang gelombang 254 nm. Perancangan foto detektor ultraviolet didasarkan pada kemampuan divais tersebut bekerja secara efektif pada panjang gelombang 254 nm. Pemilihan material yang dipilih adalah material semikonduktor kelompok nitrida III-V khususnya material dengan band gap yang lebar, yaitu AlN dan GaN yang dipadukan dengan struktur campuran alloys AlGaN sebagai active layer dengan komposisi Al0.62Ga0.38N/AlN/GaN. Komposisi tersebut kemudian disimulasikan dengan software simulasi ATLAS Silvaco TCAD. Peak spectral response terjadi pada panjang gelombang 257 nm sampai dengan 260 nm, nilai dark current yang dihasilkan sangat kecil, yaitu dibawah 0,25 x 10-40 A pada catu 1,82 V dan photocurrent pada peak spectral response sebesar 1.08 x 10-8 A dengan arus katoda sebesar 2,04 x 10-9 A dan panjang gelombang 257 nm. Dengan nilai dark current yang dihasilkan dibawah 0,25 x 10-40 A, quantum efficiency 55 dan responsivity 0,117 A/W memungkinkan divais bekerja dengan kinerja yang tinggi.

---

ABSTRACT
One of application of the ultraviolet photo detector application UV PD in the biology is the detection of biological agents and germicidial. That is effectiveimplementation at a wavelength of 254 nm. Designing ultraviolet photo detectorsare based on the device 39 s ability to work effectively at a wavelength of 254 nm.Selection of the preferred material is group III V nitride semiconductor material,especially with a width band gap, ie AIN and GaN combined with the AlGaN asactive layer with a composition Al0.62Ga0.38N AlN GaN. The composition isthen simulated with ATLAS Silvaco TCAD simulation software. Device can workswith a peak spectral response of 257 nm until 260 nm, maximal of dark currentvalue is 0.25 x 10 40 A at bias 1.82 V, photocurrent at peak spectral response of1.08 x 10 8 A with a cathode current of 2.04 x 10 9 A and a wavelength of 257 nm,quantum efficiency is 55 and responsivity 0.117 A W. This result allows thedevice to work with high performance.

Abstrak :
ZnO nanorods adalah salah satu material semikonduktor yang banyak digunakan dalam fotodetektor karena memiliki luas area aktif yang besar, serapan cahaya yang tinggi, dan mudah difabrikasi. Namun demikian, arus gelap yang tinggi menjadi masalah utamanya. Untuk itu, salah satu upaya yang dilakukan adalah dengan membuat heterostructure ZnO dengan material semikonduktor lain. Dalam penelitian ini dibuat fotodetektor zinc oxide (ZnO) dengan jua jenis MoS₂ yaitu MoS₂ few-layer dan MoS₂ many-layer yang akan dideposisi diatas ZnO dengan metode spin coat. Pengujian fotodetektor dilakukan dibawah penyinaran sinar UV (365 nm) dan cahaya tampak (505, 625 nm) pada tegangan 2V. Hasil penelitian menunjukkan adanya peningkatan kinerja dari segi sensitivitas, responsivitas, dan detektivitas setelah penmabahan MoS₂. Peningkatan kinerja ini diakibatkan oleh penurunan arus gelap yang mungkin disebabkan oleh pasivasi permukaan yang dapat menekan jumlah muatan bebas dari defect ZnO.

---

ZnO nanorod is a semiconductor material that is widely used in photodetector device because it has large active area, high light absorption, and  easy to manufacture. However, the high dark currents were the main problem. For that, one of the efforts made is to make the ZnO heterostructure with other semiconductor materials. In this research, zinc oxide (ZnO) photodetector was made with two types of MoS₂, namely multiple-layer MoS2 and many-layer MoS2 which will be deposited on ZnO with the spin coat method. Photodetector testing was carried out under UV light (365 nm) and visible light (505, 625 nm) at a voltage of 2V. The results showed an increase in performance in terms of sensitivity, responsivity, and detectivity after the deposition of MoS₂. The increase in performance is due to decrease in dark currents which may be due to surface passivation which can reduce the amount of free charge from the ZnO defect.

Abstrak :
ABSTRAK Telah dibuat suatu sistem kontrol (Elektronik dan software) untuk alat pembuat jalur sobekan dan cacahnya berbasiskan microcontroller. Sistem control ini dirancang dengan tujuan untuk mempermudah pekerjaan pada perusahaan-perusahaan percetakan kalangan kecil dan menengah yang masih menggunakan peralatan yang masih manual untuk proses pembuatan jalur sobekan kertasnya. Pada alat ini digunakan keypad dan sensor optocoupler yang berfungsi untuk mendeteksi adanya kertas yang melewatinya.. Photoemitter yang biasanya digunakan sebagai pemancar atau transmitter yaitu led dan photodetector digunakan sebagai receiver-nya. Inputan dari keypad dan outputan dari sensor optocoupler kemudian digunakan untuk manjalankan actuator yang berupa motor dc dan motor ac untuk bergerak sesuai dengan fungsinya. Selain itu untuk memperjelas hasil proses microcontroller maka ditampilkan pula dalam tampilan LCD.

---

ABSTRACT Have been made an control systems (software and electronic) for the appliance of paper line cutting tracker and its count bases of microcontroller. This Control system is designed as a mean to helpdown work at middle and small printing office company which still use equipments which still manual to the process of its cutting line tracker. This appliance is used by keypad and three sensor functioning optocoupler to detect the existence of paper passing it. This Sensor consist of photodetector and photoemitter. Photodetector usually used as a transmitter and Photoemitter used as a receiver. Input and output from keypad and optocoupler then used to run of actuator which in the form of dc motor and ac motor to make a move as according to its function. Besides to clarify result of microcontroller process also presented in LCD display.

Abstrak :
Pada penelitian ini telah dilakukan sintesis ZnO nanorods (NR) 4 jam dan ZnO nanotubes (NT) dengan variasi waktu self-etching 18 jam dan 22 jam dan diapikasikan sebagai devais detektor UV 365 nm. Nanomaterial ini telah disintesis menggunakan metode ultrasonic spray pyrolysis (USP) dan hydrothermal. ZnO NT telah berhasil disintesis melalui proses self-etching ZnO NR yang tidak mengalami perubahan fasa kristal, parameter kisi maupun energi band gap. Namun demikian ZnO NT yang dihasilkan memiliki lebih banyak cacat kristal yang diindikasikan dengan kurva absorbansi optik yang lebih lebar pada daerah cahaya tampak. Hal ini menyebabkan penurunan photocurrent yang lebih tinggi daripada penuruan dark current , yang menyebabkan penurunan kinerja fotodetektor UV. Nilai sensitivitas ZnO NR menurun dari 43,74% menjadi 29,20% dan 30,80% pada sampel ZnO NT 18 jam dan 22 jam. Demikian pula nilai responsivitas menurun dari 5,83 A/W menjadi 3,09 A/W dan 4,06 A/W dan nilai detektivitas menurun dari 1,20×106 Jones menjadi 0,71×106 Jones dan 0,84×106 Jones. ......In this study, the synthesis of ZnO nanorods (NR) and ZnO nanotubes (NT) with variations in self-etching time of 18 h and 22 h was carried out and applied as a UV detector device. This nanomaterial has been synthesized using ultrasonic spray pyrolysis (USP) and hydrothermal methods. ZnO NT has been successfully synthesized through the self-etching process of ZnO NR which does not change the crystal phase, lattice parameters or band gap energy. However, the resulting ZnO NT has more crystal defects indicated by a wider optical absorbance curve in the visible light region. This results in a higher photocurrent IL than an dark current ID, leading to a decrease in the performance of the UV photodetector. The sensitivity of ZnO NR decreased from 43.74% to 29.20% and 30.80% in samples of ZnO NT 18 h and 22 h. Likewise, the responsivity value decreased from 5.83 A/W to 3.09 A/W and 4.06 A/W and the detectivity value decreased from 1.20×106 Jones to 0.71×106 Jones and 0.84×106. Jones.

Abstrak :
Fotodetektor UV berbasis nanostruktur ZnO dengan konfigurasi logam-semikonduktor-logam (MSM) menarik banyak minat karena pembuatannya yang sederhana. Namun, mereka menghadapi masalah seperti laju rekombinasi tinggi dan mobilitas pembawa muatan rendah. Penelitian ini secara menyeluruh mengkaji efek dari paparan UV-O3 selama 15 menit pada struktur ZnO/MoS2. Penambahan nanosheets MoS2 dan UV-O3 treatment secara signifikan meningkatkan seluruh parameter kinerja fotodektektor. ZnO/MoS2UVo menunjukkan hasil yang paling baik, dengan peningkatan enam kali lipat dalam Sensitivitas di bawah cahaya UV dibandingkan dengan ZnO NR murni. Responsivitas, Detektivitas, dan Efisiensi Kuantum juga menunjukkan peningkatan hingga 102%. Peningkatan ini secara umum disebabkan oleh penurunan arus gelap (dark current) setelah penambahan nanosheets MoS2 pada ZnO NR. Penurunan ini mungkin disebabkan oleh pengurangan jumlah kekosongan oksigen ( ) karena terisi oleh atom tepi belerang S dari MoS2. Selain itu, penurunan arus gelap secara lebih lanjut setelah paparan UV-O3 disebabkan oleh semakin berkurangya dalam ZnO. UV-O3 ­treatment memperkenalkan atom oksigen baru, menggantikan atom tepi belerang pada kekosongan tersebut, yang kemudian membentuk lapisan molybdenum oksida (MoO3) pada permukaan ZnO/MoS2. Meskipun demikian, banyaknya sambungan antara ZnO, MoS2, dan MoO3 memperlambat transfer muatan ke elektroda. ......UV photodetectors based on ZnO nanostructures, using a metal-semiconductor-metal (MSM) configuration, are popular due to their simple fabrication. However, they face issues like a high recombination rate and low charge carrier mobility. This study thoroughly examines the effects of 15 min UV-O3 exposure on the ZnO/MoS2 structure. The integration of MoS2 nanosheets and UV-O3 treatment significantly boosts all performance parameters. ZnO/MoS2UVo displays the most remarkable results, with a six-fold increase in Sensitivity under UV light compared to pure ZnO NR. It also demonstrates up to a 102% enhancement in Responsivity, Detectivity, and Quantum efiiciency. This enhancement is primarily attributed to the decline in dark current after applying a MoS2 coating on ZnO. This decrease is attributed to the reduction of oxygen vacancies ( ) as sulfur edge atoms from MoS2 fill these vacancies. Furthermore, additional dark current reduction post UV-O3 treatment is due to a substantial reduction in oxygen vacancies within the ZnO. The UV-O3 treatment introduces new oxygen atoms, replacing the sulfur edge atoms at these vacancies, forming a molybdenum oxide (MoO3) layer on the ZnO/MoS2 surface. Despite these improvements, the multiple junctions between ZnO, MoS2, and MoO3.