Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"The Optical Properties of Cadmium Sulfide Thin Films Prepared by co-evaporation Deposition Methods of CdS and Sulfur. Cadmium Sulfide Thin Films have been deposited by thermal co-evaporation methods of CdS + S. The films were prepared on glass substrate and were varied by changing these deposition rates into 4-16 AIs. The thickness of the films and the real part of refractive indexes have been determined based on interference method using maximum and minimum of reflectance spectrum. The optical parameters a of these films have been determined by reflectance and transmittance spectrum using Hishikawa formulation of T/(1-R). The real part of refractive index and optical parameter a reduce with the higher deposition rate for transparency region - (E<2.6 eV). The optical gap almost did not show a certain tendency by deposition rate variation. The complex dielectric functions of these films reflect the real part of refractive indexes and extinction coefficients.

---

Lapisan tipis CdS telah dideposisi dengan metode co-evaporasi termal CdS+S. Lapisan tipis dideposisi di atas substrat kaca dan divariasi laju deposisinya 4 -16 AIs. Ketebalan dan indeks bias lapisan tipis ditentukan berdasarkan prinsip interferensi dengan menggunakan maksimum dan minimum spektrum reflektansi. Parameter optis a lapisan tipis ditentukan dari spektrum reflektansi dan transmitansi dengan menggunakan formulasi Hishikawa T/(1-R). Indeks bias rill dan parameter optis a berkurang dengan meningkatnya laju deposisi di daerah transparan (E < 2.6 eV). Gap optis tidak menunjukkan kecenderungan tertentu dengan variasi laju deposisi. Fungsi dielektrik kompleks lapisan tipis CdS mewakili indeks bias riil dan koefisien ekstinksi."

"Film tipis ZnO telah dideposisi dengan metode evaporasi termal. Film tipis dideposisi di atas substrat kaca pada laju deposisi 4, 6 dan 8 A/s serta dianil di udara pada temperatur 200, 300 don 400 °C selama 1 jam. Parameter optis ditentukan dari spektrum rejlektansi dan transmitansi dengan menggunakan fungsi minimal. Hasil yang diperoleh adalah indeks bias riil n dan koefisien absorpsi a cenderung berkurang dengan bertambahnya laju deposisi dan temperatur anil. Lebar gap optis juga menunjukkan kecenderungan berkurang dengan bertambahnya laju deposisi, sedangkan variasi temperatur anil memberikan pengaruh yang berbeda pada labar gap. Pada temperatur anil 200 °C lebar gap bertambah besar tapi setelah dianil 300 dan -100 °C lebar gap cenderung makin berkurang. Sedangkan dari pengamatan menggunakan XRD diketahui hahwa film tipis ZnO yang dihasilkan berstruktur amorf"

"ABSTRACTThe role of excitons in semiconducting materials carries potential applications. Excitonic signals usually do not appear clearly in optical absorption spectra of semiconductor systems with narrow gap, such as Gallium Arsenide, which makes experimental analyses on excitons in such systems become very challenging. On the iii iv theoretical side, calculation of optical spectra based purely on Density Functional Theory DFT without taking electron hole interactions into account does not lead to the appearance of any excitonic signal. Meanwhile, existing DFT based algorithms that include a full vertex correction through Bethe Salpeter equation may reveal an excitonic signal, but the algorithm has not provided a way to analyze the excitonic signal further. Motivated to provide a way to isolate the excitonic effect in the optical response theoretically, we develop a method of calculation for the optical conductivity of a narrow band gap semiconductor GaAs within the k.p 8 band model, that includes electron hole interactions through first order electron hole vertex correction. The k.p model is chosen because it provides a description of 8 energy bands 2 conduction and 6 valence bands in which the role of spin orbit coupling is also taken into account. We expect that this first order vertex correction reveals how the optical spectral weight redistributes as a function of temperature.

---

ABSTRAKPeran eksiton pada material semikonduktor membawa banyak potensi aplikasi. Sinyal eksiton tidak terlalu jelas kemunculannya pada spektrum absorbsi optis semikonduktor bercelah sempit, seperti Gallium Arsenite, sehingga analisis keberadaan eksiton secara eksperimen menjadi cukup menantang. Dari segi teori, perhitungan dengan metode Density Functional Theory DFT yang tidak melibatkan interaksi electron-hole belum dapat menunjukan keberadaan eksiton. Sedangkan untuk perhitungan DFT yang mengikutsertakan koreksi vertex secara lengkap dengan metode Bethe-Salpeter equation BSE dapat memunculkan sinyal eksiton, namun algoritma yang ada belum dapat memberi cara untuk menganalisis eksiton lebih jauh. Dengan motifasi tersebut, kami mengembangkan metode perhitungan konduktifitas optis semikonduktor bercelah sempit material Gallium Arsenite dengan menerapkan model k.p 8 pita, dengan mengikutsertakan interaksi electronhole melalui koreksi verteks orde pertama. Metode k.p di pilih karena metode ini dapat menjelaskan 8 pita 2 pita konduksi dan 6 pita valensi dan turut melibatkan faktor spin orbit coupling."