Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dikaji pengaruh kelembaban terhadap sifat optik film gelatin yang dibuat dengan teknik casting melalui proses sol-gel. Film gelatin dikaji sifat optiknya terhadap perlakuan variasi kondisi kelembaban. Respon optik yang diamati berupa transmisi dan absorpsi optik pada spektrum cahaya tampak yang diperoleh dari spektrofotometer UV-Vis (Ultraviolet ? Visible). Hasil pengukuran transmisi dan perhitungan absorpsi optik memperlihatkan bahwa respon optik film gelatin berada pada pita cahaya tampak yang lebar dalam rentang 530 ? 680 nm, dengan respon cukup nyata pada pita spektrum 580 ? 650 nm. Perlakuan kelembaban berbeda memberikan perubahan karakteristik optik yang signifikan, yaitu spektrum transmitansi dan absorbansi optik film gelatin berubah terhadap perubahan kelembaban. Intensitas transmitansi optik film gelatin naik terhadap kenaikan kelembaban pada selang 580 ? 650 nm, sebaliknya spektrum absorbansi optiknya turun terhadap kenaikan kelembaban pada selang tersebut. Kurva intensitas transmisi dan absorpsi optik terhadap variasi kelembaban dari 37%RH hingga 99%RH pada 610 nm memperlihatkan lineritas yang cukup baik. Dua sampel film gelatin yang diuji memperlihatkan karakteristik yang sama.

---

Humidity Dependence of Optical Properties of Gelatin Films. Humidity dependence of optical properties of gelatin films prepared by casting technique has been investigated. Gelatin films was investigated its optical properties to varied humidity condition. Optical responses investigated are optical transmission and absorption at visible light spectrum measured utilizing a UV-Vis (Ultraviolet ? Visible) spectrophotometer. The results of optical transmittance and absorbance obtained shows an optical response of gelatin films in widely visible light spectrum within range 530 ? 680 nm, with most clearly response in a spectrum band in 580 ? 650 nm. Different humidity treatment cause a significantly change of optical characteristics, that is the transmittance and absorbance change in to humidity. Transmittance of gelatin films increase with increasing humidity in a range 580 ? 650 nm, in contrast with absorbance that is decrease with increasing humidity. Plot of transmission and absorption intensity with varied humidity from 37%RH to 99%RH at 610 nm exhibited a good linearity. Two samples showed same characteristics."

"Studi karakterisasi optis lapisan tipis amorf silikon karbon hasil metode deposisi glowdischarge dilakukan dengan menggunakan spektroskopi ultra violet-visible (uv-vis). Indeks bias n dihitung dengan formula Swanepoel menggunakan spektrum transmitansi kemudian dilanjutkan dengan simulasi numerik. Densitas lapisan tipis a-SiC:H cenderung berkurang dengan bertambahnya komposisi karbon. Peningkatan lebar gap optis dengan bertambahnya komposisi karbon memperlihatkan peningkatan transparansi lapisan tipis a-SiC:H. Baik bagian riil maupun imajiner fungsi dielektrik memperlihatkan harga yang cenderung berkurang dengan peningkatan komposisi karbon.

---

Optical Properties of a-SiC:H Films Deposited by Glowdischarge Methods. The optical properties of amorphous silicon carbon films deposited by glowdischarge method have been studied using ultra violet-visible (uv-vis) spectroscopy. The refractive index was calculated by Swanepoel?s formula using transmission data then followed by numerical simulation. The films density tends to decrease with increasing carbon content. The widening of the optical gap by increasing carbon content indicates the enhancement of film?s transparence. Both real and imaginary parts of the dielectric constant show variation in magnitude as the carbon content increase."

"The electronic and optical properties of a-Al2O3 after induced by 3-keV Ar+ sputtering have been studied quantitatively by use of reflection electron energy loss spectroscopy (REELS) spectra. The band gap values of a-Al2O3 was determined from the onset values of the energy loss spectrum to the background level of REELS spectra as a function of time Ar+ bombardment. The bandgap changes from 8.4 eV before sputtering to 6.2 eV after 4 minutes of sputtering.The optical properties of α-Al2O3 thin films have been determined by comparing the experimental cross section obtained from reflection electron energy loss spectroscopy with the theoretical inelastic scattering cross section, deduced from the simulated energy loss function (ELF) by using QUEELS-ε(k)-REELS software. The peak assignments are based on ELF and compared with reported data on the electronic structure of α-Al2O3 obtained using different techniques. The results demonstrate that the electronic and optical properties before and after surface reduction will provide further understanding in the fundamental properties of α-Al2O3 which will be useful in the design, modeling and analysis of devices applications performance."

"Nanorod Seng Oksida (ZnO) dengan pemberian variasi doping tunggal Mg sebesar 0%, 1%, 4%, 7% dan 10% disintesis di atas substrat kaca tranparan berlapis indium tin oxide (ITO). Dalam penelitian ini, benih nanorod ZnO dideposisi dengan waktu 10 menit menggunakan metode ultrasonic spray pyrolisis dan ditumbuhkan selama 2 jam dengan metode hidrotermal. Hasil karakterisasi FE-SEM menunjukkan terbentuknya nanorod ZnO dengan ukuran yang beragam dan arah tumbuh yang mayoritas acak. Hasil spektroskopi UV-Vis menunjukkan nilai absorbansi yang cukup tinggi di daerah panjang gelombang ultraviolet. Pemberian doping Mgterbukti mampu meningkatkan nilai lebar celah pita energi meskipun hasil yang didapatkan pada penelitian ini cukup jauh dari nilai lebar pita teoritis (~3.37 eV).

---

Zinc Oxide (ZnO) nanorods were grown on the transparent indium tin oxide (ITO) with the variation of Magnesium (Mg) doping (0%, 1%, 4%, 7% and 10%). In this study, ZnO nanoseeds were deposited in 10 minutes using ultrasonic spray pyrolisis method and were grown for 2 hours using hydrothermal method.

The characterization of surface morfology using field emission scanning electron microscopy (FESEM) exhibits ZnO nanorods with various diameter and random growth direction. The optical properties were studied through UV-Vis and shows high absorption in ultraviolet spectrum area.Mg dopant could increase the bandgap of ZnO nanorods, though it’s still lower from the theoritical bandgap (~3.37 eV)."

"Molybdenum disulfide (MoS2), yang merupakan bagian dari kelompok material yang disebut dengan transition metal dichalcogenides, menarik banyak perhatian dikarenakan sifat-sifat fisis yang unik yang dimilikinya. Single layer material ini mengalami transisi indirect band gap ke direct band gap, yang karenanya dapat dimanfaatkan untuk berbagai aplikasi optoelektronik. Untuk mempelajari struktur pita (band structure) dari material ini secara detail. pendekatan first-principles seperti density functional theory (DFT) menjadi pilihan populer. Namun, terdapat tantangan yang besar untuk menggunakan pendekatan tersebut untuk menghitung dengan benar efek yang ditimbulkan akibat korelasi kuat antar elektron. Saat ini, telah diperkenalkan sebuah pendekatan yang menggabungkan DFT dengan apa yang disebut dengan GW+BSE untuk menghitung efek interaksi elektron-elektron dan elektron-hole. Dalam tesis ini, kami mempelajari sifat-sifat optik 1H- dan distorted 1T'-MoS2 dengan mengikutsertakan dalam perhitungan interaksi antar elektron dalam kerangka GW dan elektron-hole dengan menyelesaikan persamaan Bethe-Salpeter (BSE).

---

Molybdenum disulfide (MoS2), which belongs to transition metal dichalcogenides, has attracted great attention mainly due to their unique physical properties. A single layer of this material undergoes indirect to direct band gap transition, which enables a wide range of optoelectronic applications. To explore the details of the band structure of this material. a first-principles approach such as density functional theory (DFT) has become a popular choice. However, apart from its well-established formulation, it remains a big challenge to use such an approach to capture effects arising from correlations among the electrons correctly. Nowadays, an approach to combine DFT with a so-called GW+BSE to address the effects of electron-electron and electron-hole interactions, has been introduced. In this thesis, we study the optical properties of 1H- and distorted 1T-MoS2 taking into account electron-electron interaction within GW approximation and electron-hole interaction by solving Bethe-Salpeter equation (BSE)."

"Guna mengetahui perubahan sifat optis dan struktur terhadap laju deposisi pembuatan lapisan tipis dan juga terhadap anil, dibuat lapisan Cds dengan co-evaporasi termal CdS dan S diatas substrat kaca. Laju deposisi dibuat pada 4 A/s, 8 A/s, 12 As dan 16 A/s. Anil dilakukan pada setiap laju deposisi dengan 3 macam teinperatur yaitu: 200°C, 300°C dan 400°C. Ketebalan lapisan yang dibuat berkisar 7000 A. Konstanta optis yaitu koefisien absorpsi dan indek bias dihitung dari reflektansi R dan transmisi T berdasarkan metode fungsi minimal dengan menggunakan persamaan O.S. Heavens. Dad kurva koefisien abrsoipsi terhadap energi foton dibuat lebar pita terlarang CdS. Pengukuran nilai R dan T dilakukan dengan alat UV-VIS Spektrofotometer pada panjang gelombang 400 nm - 800 nm. Dari penelitian didapatkan bahwa laju deposisi mempengaruhi sifat optis material. Didapatkan nilai indek bias nyata pada laju deposisi 4 Als, 8 A/s, 12 A/s dan 16 A/s pada panjang gelombang 550 nm masing masing 2,534; 2,503; 2,46; 2,505 dan koefisien absorpsi masing-masing adalah 1,15 x 103; 5,96 x 103; 4,38 x I03; 7,33. x 103 /cm dan lebar pita terlarang masing-masing adalah 2,46 eV, 2,44 eV, 2.42 eV dan 2,40 eV. Besar butir menurun dengan meningkatnya laju deposisi. Besar butir pada laju deposisi 4 Als. 8 A/s, 12 AN dan 16 A/s berturut-turut adalah 816 A , 291,5 A, 256,7 A dan 251,1 A. Proses anil memberikan basil bahwa dari suhu 200 0C sampai 400 oC terjadi perobahan sifat optis dan struktur. Pada laju deposisi 4 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200°C, 300°C dan 400°C indek bias nyata n adalah 2,513; 2,56; 2,54 dan 2.53 dan nilai koefisien absorpsi adalah 1,15x103; 6 x 103; 7 x 103; 4 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,42 eV. Piida laju deposisi 8 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200°C, 300°C dan 400°C indek bias nyata n adalah 2,503; 2,527; 2,504 dan 2,505 dan nilai koefisien absorpsi adalah 5.96x 103; 6,5 x 103; 7,17 x 103; 3,37 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,44 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,41 eV. Pada laju deposisi 12 A/s berturut-turut tmtuk proses tanpa anil, anil 200°C, 300°C dan 400°C indek bias nyata n adalah 2,46; 2,546: 2,495 dan 2,485 dan nilai koefisien absorpsi adalah 4,38 x 103; 1,27 x 103; 0,15 x 103; 0,23 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV dan 2,44 eV. Pada laju deposisi 16 A/s berturut-turut untuk proses tanpa aril, aril .200°C, 300°C dan 400°C indek bias nyata n adalah 2,505; 2,498; 2,499 dan 2.497 dan nilai koefisien absorpsi adalah 7,33 x 103; 2,9 x 103; 1,7 x 103; 1,95 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,40 eV, 2,41 eV, 2,42 eV dan 2,43 eV. Stniktur kristal lapisan tipis CdS yang terbentuk adalah heksagonal dengan prefi-'rred 0i-lank-Ilion (002). Proses anil inerubah besar ukuran butir. Pada sampel dengan laju deposisi 4 A/s anil 400°C inerubah besar butir dart 816 A ke 193,5 A. Sampel dengan laju deposisi 8 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 291,5 A ke 168 A. Sampel dengan laju deposisi l2 A/s anil 400°C merubah besar butir dari 256,7 A ke 198,2 A. Sampel dengan laju deposisi 16 A/s anif 400 oC merubah besar butir dari 251,1 Ake 235,9 A.

---

Investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode.To investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode. The deposition rates were adjusted to 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s and the annealing temperatures were to 200°C, 300°C and 400°C. The thickness of thin films were around 7000 A. The optical constant and band gap energy were calculated from the Reflectance ( R ) and Tansmittance (T) by using O.S. Heavens formula. The value of R and T were obtained from UV-VIS Spectrofotometre with the wavelength from 400 inn to 800 run. From the calculations it was found that the deposition rate affected the optical properties and structures. At wave length 550 nm, the deposition rates 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s give the real refractive index n 2.534; 2.503; 2.46; 2.505 respectively and the absorption coefficient a 1.15 x 103, 5.96 x 103, 4.38 x 103, 7.33 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,46 eV, 2,44 eV, 2,42. eV, 2.40 eV respectively and the grain sizes 816 4 A, 291.5 A, 256.7 A, 251.1 A respectively. The annealing process to 200°C, 300°C and 400°C also affected the optical properties and structures. At deposition rate 4 A/s the process without annealing, annealing to 200°C, 300°C and 400°C give the real refraction index 2.513, 2.56, 2.54, 2.53 respectively and the absorption coefficient l .15x 103, 6 x 103, 7 x 103, 4 x 103 /cm respectively and the band-gap energy 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV, 2,42 eV respectively. At deposition rate 8 A/s the process without annealing, annealing to 200°C, 300°C and 400°C give the real refraction index n 2.503, 2.527, 2.504, 2.505 respectively and the absorption coefficient 5.96x103, 6.5 x I03, 7.17 x l03 , 3-37 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,44 eV, 2,43 eV, 2.40 eV, 2,41 eV respectively. At deposition rate 12 A/s the process without annealing, annealing to 200°C, 300°C and 400°C give the real refraction index n 2.46, 2.546, 2.495, 2.485 respectively and the absorption coefficient 4.38 x 103, 1.27 x 103, 0.15 x 103, 0.23 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV, 2,44 eV respectively. At deposition rate 16 A/s the process without annealing, annealing to 200°C. 300°C and 400°C give the real refraction index n 2.505, 2.498, 2.499, 2.497 respectively and the absorption coefficient 7.33 x 103, 2.9 x 103, 1.7 x 103, 1.95 x 103 1cm respectively and the band gap energy 2,40 eV, 2,41: eV, 2,4.2 eV, 2,43 eV respectively. The c3-stall structures of thin film are found to be hexagonal with preferred orientation (002). The annealing processes affect the grain size. At the deposition rate 4 A's, the annealing process to 400°C changed the grail? size from 816 A to 193,5 A. At the deposition rate 8 A/s, the amtealing process to 400 0C changed the grain size from 291,5 A to 168 A. At the deposition ratel2 A/s, the annealing process to 400°C changed the grain size from 256,7 A to 198,2 A. At the deposition rate 16 A/s, the annealing process to 400°C also changed the grain size from 251,1 A to 235,9 A."

"Graphene merupakan material tipis yang paling umum dan paling banyak dipelajari saat ini. Graphene adalah material yang hampir transparan dengan nilai penyerapan cahaya sekitar 2,3% sehingga tidak terlalu cocok untuk aplikasi fisis yang melibatkan penyerapan cahaya. Dengan menggunakan salah satu varian struktur dielektrik berlapis tecermin, yaitu dielektrik berulang dua lapis, penelitian sebelumnya telah menunjukkan bahwa sifat optik graphene, terutama absorpsi cahayanya, dapat diperkuat hingga 50%. Namun, variasi lebih lanjut dari struktur dielektrik berlapis tercermin, seperti tiga dielektrik berulang atau empat dielektrik berulang, belum diketahui apakah akan mampu memperkuat penyerapan cahaya oleh graphene atau tidak Pada tugas akhir ini, kami mempelajari struktur dielektrik berlapis tercermin berupa tiga lapis berulang dan empat lapis berulang untuk memahami seberapa pengaruh struktur tersebut terhadap material tipis, lebih spesifiknya, lapisan graphene tunggal, yang dijepit di tengah struktur tersebut. Dari studi ini, kita akan melihat bahwa untuk struktur berlapis dengan menggunakan tiga dielektrik, nilai dari absorpsi cahaya oleh material tipis yang diapit berosilasi antara dua nilai tertentu. Sementara itu, untuk struktur berlapis dengan menggunakan empat dielektrik, nilai absorpsi cahaya oleh material tipis dapat diperkuat. Penggunaan jumlah dielektrik yang lebih banyak dalam hal ini membuka peluang untuk melakukan pengaturan secara halus pada sifat optis material tipis apapun sehingga struktur dapat menghasilkan nilai yang diinginkan pada perangkat optoelektronik tertentu.

---

Graphene is the most commonly known and studied material that are really thin. Graphene is an almost transparent material with a value of light absorption of about 2.3% so that it is not really suitable for physical applications involving light absorption. By using a variant of mirrored multilayer dielectric structures, i.e. the two-layer repeating dielectrics, a previous research has shown that the optical properties of graphene, especially its light absorption, can be amplified up to 50%. However, further variations of the mirrored multilayer dielectric structures, for example three layers of repeated dielectrics or four layers of repeated dielectrics, are not yet known whether they will be able to strengthen the light absorption by graphene. In this final project, we study the mirrored multilayer dielectric structures in the forms of three repeated layers and four repeated layers to understand how they influence optical absorption of the thin layer of material that is sandwiched inside them, more specifically, a single layer of graphene. From this study, we will see that for a layered structure using three dielectrics that value of light absorption in the sandwiched thin material oscillates between two certain values. Meanwhile, for the layered structure using four dielectrics, the light absorption by thin material can be strengthened. The use of a greater number of dielectrics in this case opens up the opportunity to fine-tune the optical properties of any arbitrary thin material so that the structure can produce the desired values of light absorption for precise optoelectronic applications. "