Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKSampai saat ini penelitian untuk meningkatkan efisiensi solar cell silikon masih terus dilakukan. Dalam perkembangan penelitian di bidang struktur solar cell juga terus dilakukan, yang terakhir dengan struktur PERL dicapai efisiensi 24,7%. Untuk menghasilkan rancangan struktur solar cell silikon dengan efisiensi di atas 24,7%, maka pada penelitian ini dirancang dan disimulasikan lapisan graded Si1-xGex pada daerah basis solar cell silikon dengan nilai fraksi mol tertentu pada lapisan Si1-xGex.Landasan perancangan adalah bahwa bahan semikonduktor Si1-xGex ini mempunyai koefisien absorpsi yang besar dan bandgap yang lebih rendah dari silikon pada panjang gelombang > 500 nun, sehingga diharapkan pada daerah deplesi akan terjadi peningkatan carrier generation. Dengan demikian efisiensi dari divaispun akan meningkat. Penggunaan bahan Si1-xGex pada daerah basis ini juga akan meningkatkan arus hubung singkat (short-circuit current) dari solar cell. Peningkatan efisiensi dapat diperlihatkan dengan memperhatikan tiga parameter yang mempengaruhinya, yaitu arcs hubung singkat, tegangan hubung terbuka (open circuit voltage) dan fill factor.Dari analisa hasil simulasi perancangan dan hasil simulasi implementasi terbukti bahwa kombinasi fraksi mol dan ketebalan lapisan Si1-xGex, yang menghasilkan efisiensi paling tinggi terjadi pada solar cell silikon dengan teknik penumbuhan lapisan Si1-xGex secara bertahap (step graded) sebanyak 3 tahap, yaitu x = 0,3 dan ketebalan lapisan Si1-xGex = 0,0062 gm pada R(2); x sebesar 0,28 dan ketebalan lapisan Si1-xGex = 0,9808 gm pada R(3); sedangkan x = 0,275 dan ketebalan lapisan Si1-xGex = 0,013 gm pada R(4). Fill factor yang dihasilkan adalah lebih besar dari 0,7. Dengan menggunakan kombinasi fraksi mol (x) dan ketebalan lapisan Si1-xGex di atas dapat meningkatkan efisiensi solar cell silikon PSi/nSi1-xGex/n+Si. Semakin banyak tahap penumbuhan lapisan Si1-xGex pada data Pvicell.prm dan data bluepvicell.pnn, semakin balk unjuk kerja solar cell silikon PSi/nSi1-xGex/n+Si pada kedua data tersebut.

---

ABSTRACT

Nowadays researches for increasing silicon solar cell efficiency still continuously done. Concerning the research development in field of solar cell structure is constantly also made. The last structure is PERL (passivated emitter rear locally diffused) structure, which produces the 24.7% efficiency. For the design of having more than 24.7% efficiency silicon solar cell structure, the graded Si1-xGex layer on base silicon solar cell with certain fraction mole of Si1-xGex layer it designed and simulated at this research.

This Si1-xGex semiconductor material has the absorption coefficient higher than silicon and the band-gap is lower than silicon at wavelength > 500 nm, so it is hoped at the depletion region will occur a generous carrier generation. Thus the device efficiency also increases. Utilization of Si1-xGex material at this base region will also enhance the short-circuit current of the solar cell. Efficiency enhancement can be shown by three parameters, which affects it, namely short-circuit current, open circuit voltage and fill factor.

From the analysis of the design and implementation of the simulation's result, it is shown that combination of fraction mol and thickness of Si1-xGex layer, which produce the highest efficiency at pSilnSi,_5Gejn+Si silicon solar cell is grown by using step graded Si1-xGex layer technique. This technique has 3 steps, they are x = 0.3 and thickness of Si1-xGex layer = 0.0062 p.m at R(2), x = 0.28 and thickness of Si1-xGex layer 0.9808 gm for R(3), while x = 0.275 and thickness of Si1-xGex layer = 0.013 gm at R. The Fill factor, is also higher than 0.7. By using the above combinations of fraction mole (x) and Si1-xGex Iayer thickness, the efficiency of PSi/nSi1-xGex/n+Si silicon solar cell can be increased. The more step of Si1-xGex layer growth in Pvcell.prm and bluepvcell.prm data, the higher performance of PSi/nSi1-xGex/n+Si silicon solar cell can be improved at those both data."

"State of Charge (SoC) baterai merupakan parameter yang digunakan untuk mengetahui keadaan isi baterai, dan dijadikan pedoman untuk memantau kapasitas terkini dari baterai. Estimasi nilai SoC menjadi sulit dilakukan karena adanya ketidaklinieran dalam reaksi kimia baterai ditambah SoC tidak dapat diukur secara langsung. SoC dapat diperoleh melalui nilai resistansi internal baterai yang saling berkorelasi sesuai dengan besaran tegangan terminal dan tegangan open circuit yang terjadi karena adanya arus baik saat proses charging maupun discharging. Modifikasi metode coulomb counting dalam memperoleh nilai resitansi internal adalah mudah dilakukan melalui pendekatan persamaan yang didapatkan melalui interpolasi dari data hasil eksperimen. Metode ini berhasil mendapatkan korelasi antara nilai SoC terhadap resistansi internal untuk dua keadaan yaitu charging dan discharging. Proses estimasi nilai SoC, dilakukan dengan cara mengestimasi nilai SoC saat terjadinya efek recovery untuk mendapatkan nilai maksimum/minimumnya selama periode tertentu.Metode yang dikembangkan berhasil mengestimasi nilai SoC bateri dengan pengukuran secara tidak langsung melalui resistan dalam baterai di saat proses charging atau discharging.

---

Battery State of Charge (SoC) is a parameter used to determine the state of charge battery, and is used as a guideline for monitoring the current capacity of the battery. Estimating the value of SoC becomes difficult because of the nonlinearity in the reaction battery chemistry plus SoC cannot be measured directly. SoC can be obtained through the value of the internal resistance of the battery which is correlated according to the magnitude of the terminal voltage and the open circuit voltage that occurs due to the battery current both during the charging and discharging process. Modification of the coulomb counting method in obtaining internal resistance values ​​is easily done through the equation approach obtained through interpolation of experimental data. This method succeeded in obtaining a correlation between the SoC value and the internal resistance for two conditions, namely charging and discharging. Estimating the SoC value, by looking at the initial SoC value when the effect recovery occurs to get the maximum/minimum value for a certain period. The method developed has succeeded in estimating the SoC value of a battery by indirectly measuring the resistance in the battery during the charging or discharging process"