Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Penelitian ini dilakukan untuk mengetahui seberapa jauh pengaruh pemberian variasi tekanan maupun penambahan unsur lain yakni Cu dan Bi pada karakteristik fasa Sn di dalam material Sn, SnCu dan SnCuBi3. Analisa yang dilakukan berupa tinjauan terhadap perubahan kristalografi dan kerapatan elektronnya. Variasi tekanan yang dilakukan dalam penellitian ini meliputi tekanan 0 ton, 5 ton, 10 ton dan 15 ton. Sedangkan variasi pada penambahan unsur lain selain Sn berupa penambahan Cu pada paduan SnCu dan penambahan Cu-Bi pada paduan SnCuBi3, dimana kedua paduan ini kemudian akan dibandingkan terhadap material Sn mumi. ......This research is performed to determine the effect of varied pressure and addition of Cu and Bi to the phase characteristic of Sn in Sn, SnCu and SnCuBi3 material. Crystallographic and electron density change were analyzed. Pressure variation of 0, 5, 10 and 15 tons were applied. As for addition of Cu and Bi for SnCu and SnCuBi3 respectively to compare against pristine Sn material were also analyzed.

Abstrak :
Polikristal AgGaSe2 adalah senyawa (I-III-VI2) suatu semikonduktor sebagai bahan dasar pembuatan lapisan tipis (thin film) untuk sel surya. Polikristal tersebut telah berhasil ditumbuhkan dengan metoda tungku Bridgmann tegak, dengan memanaskan sampai temperatut 850°C kemudian didinginkan perlahan-lahan sampai temperatur kamar. Hasil yang didapatkan berupa ingot (batangan) dengan panjang lebih kurang 3 cm dan diameter 13 mm. Dengan menggunakan XRay Refraction didapatkan komposisi masing masing unsur berat % adalah Ag = 29,3996 %, Ga = 36,8123 % dan Se = 30,29 % sedangkan pengukuran dengan X-Ray Difraction didapatkan parameter kisinya dihitung a = 4,4112 Å, c = 8, 8854 Å dan c/a = 2,01426.

---

Optic Properties on AgGaSe2 Polycristal Fabrication. Polycristal AgGaSe2, is compound (I-III-VI2) a semiconductor as basic material for thin film for solar cell. Polycristal was succesfully grown using Bridgmann Method, heated on sequential temperature treatment until 850°C and cooled down slowly until room temperature. Results observed were in the form of ingot (bars) with more or less 3 cm length and 13 mm in diameter. By using X-Ray Fefraction, composition obtained of each element (weight %) was Ag = 29,3996 %, Ga = 36,8123 % and Se = 30,29 % while using X-Ray Difraction lattice parameter obtained/calculated a = 4,4112 Å, c = 8,8854 Å, and c/a = 2,01426.

Abstrak :
Material quarternair CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2 merupakan material dasar yang digunakan dalam fabrikasi solar sel. Material tersebut memiliki koefisien absorpsi yang tinggi sekitar 103 ? 105 cm-1 dan rentang energi gap 1-5 eV. Pada penelitian ini telah dibuat lapisan tipis dengan menggunakan metode evaporasi Flash dari butiran-butiran quarternair material CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2 yang dievaporasi agar menempel di substrat kaca. Setelah lapisan tipis diperoleh kemudian dilakukan karakteristik optik dan listrik lapisan tipis tersebut. Spektroskopi X-Ray Diffraction (XRD) digunakan untuk memperoleh parameter kisi dan struktur kristal lapisan tipis tersebut. Hasil XRD memperlihatkan bahwa struktur lapisan tipis CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2 adalah chalcopyrite. Koefisien absorpsi dan energi gap lapisan tipis dihitung dari pola kurva transmitansi dan reflektansi hasil pengukuran difraktrometer UVVIS. Dengan menggunakan Energy Dispersive Spectroscopy (EDS), komposisi lapisan tipis dapat diketahui, sedangkan dengan menggunakan Hall Effect dapat dihitung resistivitas, mobilitas dan pembawa muatan mayoritas lapisan tipis CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2.

---

Quarternair CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2 Thin Films Fabrication Using Flash Evaporation. Quarternair materials CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2 are the basic materials to solar cell fabrication. These materials have high absorption coefficients around 103 ? 105 cm-1 and band gap energy in the range of 1-5 eV. In this research, the films were made by flash evaporation method using quarternair powder materials of CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2 to adhere in a glass substrate. After the films were obtained, the properties of these films will be characterized optically and electrically. The lattice parameter of the films and the crystalline film structure were obtained using X-Ray Diffraction (XRD) spectroscopy. The XRD results show that the quarternair CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2 films have a chalcopyrite structure. The absorption coefficient and the band gap energy of the films were calculated using transmittance and reflectance patterns that measured using UV-VIS Difractometer. The films composition can be detected by using the Energy Dispersive Spectroscopy (EDS), while the films resistivity, mobility and the majority carrier of the films were obtained from Hall Effect experiments.

Abstrak :
Pengaruh variasi persen berat Bi di dalam sistem material Sn-Cu-Bi dan pemberian tekanan pada material solder SnCu terhadap parameter kisi dan ukuran kristal masing-masing sampel material telah diteliti dalam penelitian ini. Material Sn-Cu-Bi yang digunakan memiliki 5 komposisi berbeda dengan variasi persen berat Bi antara 1.2 % hingga 12%. Material SnCu yang digunakan memiliki komposisi 99.3Sn-0.7Cu kemudian diberikan variasi tekanan 5-15ton. Semua material yang digunakan dipreparasi dengan metode solid solution dengan teknik peleburan. Karakterisasi XRD digunakan untuk melihat sifat struktural, fasa yang terbentuk, ukuran kristal serta regangan mikro masing-masing sampel tiap material. Untuk material Sn-Cu-Bi, hasil refinement data XRD menggunakan metode Le Bail menunjukan bahwa pada komposisi Sn-Cu-Bi dengan persen berat Bi kurang dari 3% membentuk suatu paduan dengan satu fasa Sn. Untuk persen berat Bi lebih dari 6% campuran Sn-Cu-Bi membentuk campuran yang memiliki 2 fasa yaitu fasa Sn dan Bi. Parameter kisi dan ukuran kristal pada sistem material Sn-Cu-Bi berubah seiring dengan bertambahnya persen berat Bi dalam campuran. Untuk material paduan SnCu, pemberian tekanan pada material tersebut memberikan pengaruh pada hasil data XRD tiap-tiap material. Hasil XRD menunjukan penambahan tekanan memberikan pengaruh pada pergeseran puncak difraksi dan pelebaran puncak difraksi. Gambaran paling jelas terlihat pada puncak difraksi bidang 112. Pelebaran dan pergeseran puncak difraksi itu menunjukan pengaruh pada ukuran dan regangan mikro kristal. ......In this research, efffects of weight percent of Bi (Bismuth) variations and various pressure addition on the lattice parameter and crystallite size of Sn-Cu-Bi and Sn-Cu material system was investigated. Sn-Cu-Bi alloys and Sn-Cu alloys were manufactured using fusion solid solution method with five various composition SnCuBi and pressure addition about 5-15 ton on Sn-Cu alloy. XRD characterization was used to observe the structural properties, type of phase, crystallite size and microstrain. For material Sn-Cu-Bi, refinement XRD data pattern result using Le Bail method shown that material SnCuBi that consist weight percent Bi lower than 3%, formed an alloy with single phase, Sn. For material SnCuBi that consist weight percent Bi upper than 6.5%, mix material that has 2 phase, Sn and Bi phase was formed. Based on refinement XRD data pattern result, lattice parameter Changde along with the change of Bi concentration. The crystallite size and microstrain would change when the Bi composition increased. For SnCu alloys,the various pressure that was applied to materials could change the XRD pattern. The XRD?s result shown that diffraction?s peaks pattern become broader. The clearest figure about broadener peaks pattern was shown by diffraction?s peak plane 112 (Sn phase).