Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Heterojunction adalah sambungan yang dibentuk antara dua material semikonduktor dengan bandgap yang berbeda yang mempunyai ketipisan di bawah 50nm yang menumbuhkan lapisan campuran Si1-xGex sebagai basis. Sambungan tersebut dapat berupa sambungan yang abrupt atau graded. Pada penelitian ini dipelajari formulasi dari pengaruh konsentrasi doping terhadap tahanan basis dan bandgap narrowing pada Si/Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor dengan sambungan emitter-basis yang abrupt, selain memperhatikan mobilitas dan lebar basis pada resistansi basis juga pengaruh fraksi mole pada energi bandgap. Dari hasil perhitungan menunjukkan bahwa penambahan konsentrasi doping dari NB=5.1018 cm-3 menjadi NB=5.1020 cm-3 pada basis dapat menurunkan nilai resistansi basis sebesar 3.6 %, menaikkan bandgap narrowing sebesar 0.126, dan meningkatkan kerapatan arus kolektor sebesar 1.36 kali pada Ge sebesar 24%.

---

Study About High Influence Doping to Base Resistance and Bandgap Narrowing at Si/Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor. Heterojunction is a link formed bedween two semiconductor materials and differend bandgap which has thinness under 50nm and grow the mixture of plate SiGe as bases. The link is an abrupt link or graded one. In this research learnt formulation of doping concentration influence to basis resistance and bandgap narrowing through Si/Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor with abrupt emitter-basis link, besides taking care to mobility and basis wide to basis resistance, it is also influence of mole fraction to bandgap power. From the result shows that doping concentration addition of NB=5.1018 cm-3 to NB=5.1020 cm-3 in basis can decrease resistance basis value about 3.6%, increase bandgap narrowing about 0.126, and increase collector current density for about 1.36 times to Ge 24%.

Abstrak :
Heterojunction adalah sambungan yang dibentuk antara dua material semikonduktor dengan bandgap yang barbeda. Sambungan tersebut dapat berupa sambungan yang abrupt atau graded. Heterojunction Bipolar Transistor merupakan bipolar transistor yang mempunyai ketipisan di bawwh 50nm yang menumbuhkan lapisan campuran Si1.xGex sebagai basis. Kandungan Ge sampai 50% dapat digabungkan dengan Si standard BJT (bipolar junction transistor), dengan ketipisan 10 sampai 50 nm pada basis. Pada penelitian ini dibuat rancangan Heterojunction Bipolar Transistor Si/Si1_xGex/Si dengan memperhitungkan mobilitas hole dengan doping yang tinggi sehingga diperoleh nilai resistansi basis yang rendah yang dapat memberikan nilai frekuensi maximum (Fmax) yang optimum .Untuk mendapatkan nilai resistansi basis yang rendah pada divais digunakan doping yang tinggi NB=5.I02° cm-3. Di samping nilai resistansi basis yang rendah juga diperlukan nilai frekuensi transit (fr) yang tinggi. Untuk memperoleh frekuensi transit yang tinggi tersebut digunakan model struktur divais dengan NE=1018 cm-3, NB=5.1020 cm-3 dan WE=50 nm. Lebar basis dibuat bervariasi antara 10-50 nm dengan kenaikan 10 nm dan fraksi mole (x) Ge dibuat bervariasi antara 0.04 sampai 0.20 dengan kenaikan 0.04. Dari rancangan HBT yang diteliti tersebut hasil perhitungan menunjukkan bahwa pengurangan lebar basis dari 50 nm menjadi 10 nm pada HBT dengan NE=10' cm 3, NB=5.102° cm-3, WE =50 nm dan x=0.20 dapat meningkatkan frekuensi Transit dari 46 GHz menjadi 173 GHz, sedangkan besarnya frekuensi maximum dari 102 GHz menjadi 196 GHz.

Abstrak :
Jika dua bahan semikonduktor yang tidak sama digabungkan, sambungannya disebut heterojunction. Karena kedua bahan semikonduktor tersebut mempunyai bandgap yang berbeda, akan terjadi diskontinuitas energi pada persambungannya. Sambungan yang terbentuk dapat berupa sambungan abrupt atau graded. Sambungan abrupt terjadi jika perubahan dari satu bahan ke bahan lainnya terjadi secara tiba-tiba, sedangkan sambungan graded terjadi jika perubahan dari bahan satu ke bahan lainnya terjadi secara perlahan-lahan. Pada penelitian ini dibuat rancangan HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) Si/SiGe sambungan abrupt yang dapat memberikan frekuensi transit (fT) dan penguatan arus yang optimum. Untuk memperoleh frekuensi transit tersebut digunakan model struktur divais dengan NE=I01 S cm-3, NB=5.1019cm"3, dan WE=-50 nm. Lebar basis W8 dibuat bervariasi antara 10 - 50 nm dengan kenaikan 10 nm dan fraksi mol Ge dibuat bervariasi antara 0.15 sarnpai 0.25 dengan kenaikan 0.025. Dalam perancangan digunakan model HBT yang memasukkan mekanisme drift, difusi dan emisi termionik. Model tersebut juga digunakan untuk menentukan densitas arus basis, arus kolektor dan penguatan arus untuk lebar basis dan fraksi mol Ge yang bervariasi. Hasil perhitungan menunjukkan bahwa pada HBT yang diteliti komponen arus emisi termionik sekitar 2.8 sampai 4.2 kali lebih besar dibanding dengan anus drift-difusi. Pengurangan lebar basis dari 50 nm menjadi 10 nm pada HBT dengan N E.--1018 cm-3, NB=5.109 cm 3, WE=50 nm, dan x .25 dapat meninakatkan frekuensi transit dari 52 GHz menjadi 178 GHz, sedangkan besarnya penguatan arus untuk WB=1O nm adalah 312 kali.

---

When two different semiconductor materials are used to form a junction, the junction is called a heterojunction. Since the two materials used to form a heterojunction will have different bandgaps, the energy band will have a discontinuity at the junction interface. The type of the junction could be an abrupt or graded junction. In abrupt junction, the semiconductor changes abruptly from one material to the other material. on the other.hand in graded junction, the composition of materials are graded. In this work, we designed abrupt junction Si/SiGe HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) with optimum transit frequency VT) and current gain. To achieve that transit frquency, the divals structure model with NE=1418 cm 3, Na 5.1019cm 3, and WE-50 nm is used. Base width WS was changed between 10 - 50 run with 10 nm increment and the Ge mole fraksi was between 0.15 - 0,25 with 0.025 increment. The model of HBT which include the drift, difussion and thermionic emission is used. The HBT model is also used to calculate the base and collector current density and the current gain for variable base width and Ge mole fraction. The result show that the thermionic emission current is 2.8 until 4.2 times higher than the drift-difussion current. If base width is decreased from 50 nm to 10 nm of an HBT with NE=1018 cm-3, N8=5.1019 cm-3, WE=50 nm, and x=0.25 , the transit frequency is increased from 52 GHz to 178 GHz. The current gain for WB= 10 nm is 312 times larger.

Abstrak :
Sel surya berstruktur Bifacial Heterojunction Intrinsik Thin layer adalah sel surya berbahan silikon dengan interface a-Si:H/c-Si yang merupakan struktur berbentuk heterojunction. Struktur ini memiliki susunan layer yang sama antara bagian atas sel dan bagian bawah sel. Keterbaruan dari struktur ini adalah untuk menjembatani cost dengan penggunaan material crystalline. Struktur bifacial HIT lebih diunggulkan daripada struktur dengan mono crystalline dan atau mono facial. Pengembangan dan pemilihan struktur bifacial HIT yaitu dengan melakukan optimasi pada struktur dengan bantuan AFORS-HET. Optimasi sel surya berstruktur Bifacial Heterojunction Intrinsik Thin layer diperlukan untuk memaksimalkan keluaran sel surya berstruktur Bifacial HIT sebagai sel surya berdasar silikon.Ada 5 model struktur bifacial HIT yang diujikan menggunakan AFORS-HET. Dari hasil analisa didapat 1 struktur yang paling kecil perbedaan pita konduksi dan pita valensi diantara 4 struktur yang lain, yaitu TCO / a-Si:H p / a-Si:H i / c-Si n / a-Si:H i / a-Si:H n / TCO /Ag. Pada struktur model yang terpilih dilakukan optimasi dan simulasi lanjutan berupa kondisi dark current dan kondisi iluminasi. Dari hasil simulasi dan kalkulasi terhadap struktur sel surya berstruktur TCO / a-Si:H p / a-Si:H i / c-Si n / a-Si:H i / a-Si:H n / TCO / Ag menghasilkan JSC sebesar 8,82 mA/cm2, VOC sebesar 31,4803 mV, efisiensi sebesar 11,9 dan FF sebesar 0,729. Arus, tegangan dan daya maksimal yang dapat dicapai oleh struktur model secara berturut-turut adalah 0,08104 A, 0,25 V dan 0,02026 W. Kata kunci: sel surya, band alignment, bifacial HIT, heterojunction.

Abstrak :
Limbah zat warna merupakan salah satu kontributor terbesar dalam terjadinya polusi air. Degradasi limbah zat warna menggunakan suatu fotokatalis perlu dilakukan untuk menangani permasalahan limbah tersebut. CuBi2O4 dan CuO merupakan suatu semikonduktor tipe-p berbasis oksida logam yang memiliki celah pita sempit, menunjukkan respons yang sangat baik terhadap cahaya tampak, dan dapat digunakan sebagai fotokatalis. Akan tetapi, kedua  material tersebut menunjukkan aktivitas fotokatalitik yang buruk akibat laju rekombinasi pasangan elektron dan hole yang cepat, sehingga sintesis material heterojunction dilakukan untuk mengatasi kekurangan ini. Komposit CuBi2O4/CuO disintesis dengan berbagai variasi rasio massa CuBi2O4:CuO (1:1, 1:2, dan 2:1) menggunakan metode grinding annealing. Lebih lanjut, CuBi2O4/CuO CuBi2O4, dan CuO yang dihasilkan kemudian dikarakterisasi menggunakan instrumen XRD, FTIR, UV-Vis DRS, dan TEM. CuBi2O4 dan CuO menunjukkan celah pita sebesar 1,76 eV dan 1,55 eV. Perubahan nilai energi celah pita teramati ketika modifikasi dilakukan, yakni 1,73 eV, 1,70 eV, dan 1,59 eV. Pengujian aktivitas fotokatalitik terhadap metilen biru di bawah cahaya tampak selama 180 menit menunjukkan bahwa sintesis CuBi2O4/CuO efisien dalam meningkatkan aktivitas fotokatalitiknya dengan persentase degradasi sebesar 81,1%. Sedangkan CuO dan CuBi2O4 masing-masing menunjukkan persentase degradasi sebesar 73,3% dan 64,2%. ......Dye waste is one of the biggest contributors to water pollution. Degradation of dye waste using a photocatalyst needs to be done to deal with this waste problem. CuBi2O4 and CuO are metal oxide-based p-type semiconductors that have a narrow band gap, responsive to visible light, and can be used as photocatalysts material. Synthesis of CuBi2O4 and CuO using solvothermal and hydrothermal methods was successfully carried out which was confirmed by XRD, FTIR, TEM, and UV-Vis DRS. CuBi2O4 and CuO show bandgap energy 1.76 eV and 1.55 eV, respectively. However, both materials exhibit poor photocatalytic performance due to the fast recombination rate of electron-hole pairs, so that the synthesis of heterojunction materials was carried out to overcome this deficiency. CuBi2O4/CuO composite was synthesis by grinding annealing method using various CuBi2O4:CuO mass ratios (1:1, 1:2, and 2:1). Furthermore, CuBi2O4/CuO composite were characterized using XRD, FTIR, UV-Vis DRS, and TEM. Changes in the value of the band gap energy observed when modifications were made to 1.73 eV, 1.70 eV and 1.59 eV. The heterojunction CuBi2O4/CuO showed an enhanced photocatalytic performance with 81,1% removal of methylene blue within 180 min of visible light irradiation, compared to the results obtained with the pristine materials. While CuO and CuBi2O4 only showed 73,3% and 64,2% removal of methylene blue within 180 min of visible light irradiation.

Abstrak :
Pada penelitian ini telah berhasil disintesis Z-scheme heterojunction nanokomposit rGO/CeO2-BiVO4 yang digunakan sebagai fotokatalis dalam mendegradasi zat warna rhodamine b. Penggunaan rGO bertujuan sebagai mediator transfer elektron oleh dua semikonduktor CeO2 dan BiVO4. Keberhasilan sintesis nanopartikel CeO2, BiVO4, komposit CeO2–BiVO4 dan nanokomposit rGO/CeO2–BiVO4 didukung dengan energy band gap masing-masing 3,15 eV, 2,45 eV, 2,27 eV dan 2,30 eV. Hasil morfologi SEM menunjukkan terdapat nanokomposit CeO2–BiVO4 yang tersebar diatas permukaan rGO dan TEM diperoleh ukuran partikel rata-rata komposit CeO2–BiVO4 yang berada pada permukaan rGO adalah 18,3782 nm. Aktivitas fotokatalitik rGO/CeO2–BiVO4 terhadap degradasi rhodamine b diperoleh paling optimum sebesar 95,88% dalam waktu 40 menit dibawah sinar tampak. Kinetika reaksi terhadap degradasi rhodamine b mengikuti model kinetika pseudo orde satu dan isoterm adsorpsi Langmuir yang menunjukkan bahwa proses yang terjadi merupakan fotokatalisis. Mekanisme Z–Scheme Heterojunction pada nanokomposit rGO/CeO2–BiVO4 berhasil diusulkan didukung dengan peningkatan aktivitas fotokatalitik degradasi rhodamine b dibandingkan dengan material penyusunnya. Pengembangan fotokatalis berbasis mekanisme Z-Scheme Heterojunction yang memiliki aktivitas fotokatalitik yang baik dapat dipertimbangkan pada penelitian selanjutnya. ......In this study, Z-scheme heterojunction nanocomposite rGO/CeO2-BiVO4 was successfully synthesized and used as a photocatalyst in degradation of rhodamine b dyes. The use of rGO is intended as an electron mediator of two CeO2 and BiVO4 semiconductors. The success of the synthesis of CeO2 nanoparticles, BiVO4, CeO2–BiVO4 composites and rGO/CeO2–BiVO4 nanocomposites was supported by energy band gaps of 3.15 eV, 2.45 eV, 2.27 eV and 2.30 eV, respectively. SEM morphology results showed that there were CeO2–BiVO4 nanocomposites spread over the surface of rGO and TEM results obtained the average particle size of CeO2–BiVO4 composites on the rGO surface was 18.3782 nm. The photocatalytic activity of rGO/CeO2–BiVO4 achieving the degradation efficiencies of 95.88% within 40 minutes under visible light. The reaction kinetics on the degradation of rhodamine b followed the pseudo-first-order kinetics model and the Langmuir adsorption isotherm which showed that the process was photocatalytic reaction. The Z–Scheme Heterojunction mechanism in the rGO/CeO2–BiVO4 nanocomposite was successfully proposed, supported by the increased photocatalytic activity of rhodamine b degradation compared to the pure CeO2 or BiVO4. Finally, the development of a photocatalyst based on the Z-Scheme Heterojunction mechanism with a great photocatalytic activity can be considered in further research.