Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
ABSTRAK
ISFET, Ion Sensitive Field Effect Transistor, merupakan salah satu aplikasi sensor dalam bidang kimia, yang digunakan untuk mengukur konsentrasi suatu ion tertentu, seperti H+, 0H-, Na+, Cl-, dan berbagai jenis ion lainnya. Yang dimaksud dengan pH-ISFET adalah ISFET yang dipakai dalam pengukuran konsentrasl H+ (atau 0H-) dalam larutan. Divais ini mengubah reaksi kimia yang terjadi dalam larutan menjadi potensial listrik yang nantinya merupakan parameter yang digunakan untuk mengetahui nilai pH.

Temperatur sistem pengukuran mempengaruhi kondisi sistem. Yang dimaksud di sini adalah pengaruh pada potensial elektroda referensi yang dipakai sebagai gate pada ISFET, pengaruh pada reaksi kimia yang terjadi yang kemudian mengakibatkan perubahan parameter pada lapisan interface antara sensitive layer-larutan, dan juga parameter-parameter pada silicon. Semua perubahan ini berdampak pada tingkat sensitivitas lSFET.

Pada skripsi ini, akan dipeiajari dan disimulasikan hubungan antara temperatur dengan sensitivitas pH-ISFET yang menggunakan Si3N4 sebagai sensitive layar-nya. Akan dicari juga hubungan antara konsentrasi ion H+ (atau 0H-) dengan koefisien Temperature. Hasil simulasi utama menunjukkan bahwa sensitivitas ISFET bertambah sesuai peningkatan temperature. Dani hasil simulasi sensitivitas ISFET pada temperatur T=300, 325, 350. 375. dan 400 0K berturut-turut sebesar 58.95 mV/pH, 60 mV/pH, 06.67 mV/pH, 73.33 mV/pH, dan 83.33 mV/pH.

---

Abstrak :
Pada skripsi ini dirancang struktur PSFET berdimensi chip 360 _m x 290 pm x 400 }gym yang bekerja untuk daerah 0 kPa-16 kPa dengan Batas tekanan maksimumnya 40 kPa untuk aplikasi pengukuran tekanan darah dalam pembuluh darah manusia. Membran mempunyai tiga lapisan penyusun (Si3N4, polisilikon dan Si3NA berdimensi 80 pm x 80 yam x 0.78 pm dengan kondisi tepi jepit pada keempat sisi membran. Pada catu tegangan drain 6 volt, tegangan gate 12 volt PSFET rancangan memiliki keiinieran yang tinggi pads daerah pengukurannya, dan sensitivitas sebesar 0.0192 mA.mA'1.kPa-i. Modifikasi struktur PSFET diiakukan dengan menambahkan celah udara pada bagian rongga PSFET, sebagai upaya untuk meminimalkan pengaruh temperatur dan tekanan ruang dari dalam rongga jika keadaan rongga vakum. Selain itu modifkasi struktur tersebut bertujuan untuk menyederhanakan dalam penggunaan persamaan lendutan membran PSFET. Simulasi Perancangan PSFET berdasarkan pada model PSFET dan penyesuaiannya dengan parameter dan persamaan level-1 MOSFET guna memperbaiki karakteristik PSFET rancangan. Program Simulasi Perancangan dibuat dengan perangkat iunak Matlab 4.0 dari Matrix Laboratory. Sementara perancangan Layout dan Masker berdasarkan aturan proses 3 P NMOS, proses fabrikasi model PSFET, dan fabrikasi sensor tekanan Micro-diapragm tipe-C serta aturan pendisainan wire untuk pengabaian delay resistansi dan kapasitansi.

Abstrak :
This textbook provides an in-depth treatment of the physics of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Drawing upon decades of industry and teaching experience and using numerous examples and illustrative applications, the author discusses in detail the various device performance attributes that allow practicing engineers to develop energy-efficient products. Coverage includes all types of power rectifiers and transistors and analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are developed and demonstrated in each section of the book. Throughout the book, emphasis is placed on deriving simple analytical expressions that describe the underlying physics and enable representation of the device electrical characteristics. This treatment is invaluable for teaching a course on power devices because it allows the operating principles and concepts to be conveyed with quantitative analysis. The treatment focuses on silicon devices but includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices. This new edition also includes a chapter on the impact of power semiconductor devices on energy savings and reduction of carbon emissions.