Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Pada penelitian ini dilakukan rancangan dan fabrikasi pernbuatan diode laser (DL) GaInAsP/InP ë. = 1300 µm, yang pelaksanaan nya dilakukan di LP3FT-LIPI Serpong. Dari hasil penumbuhan terdapat pergeseran sebesar 20 nm dari panjang gelombang yang diinginkan, dan untuk mendapatkan hasil yang diinginkan diadakan koreksi berat InAs terhadap In. Proses penumbuhan dilaksanakan dengan menggunakan LPE (liquit phase epitaksi) dimana lapis= Gain AsP yang terdici dari komposisi kristal murni InP, GaAs, InAs dengan doping kristal In-Te untuk tipe- n dan kristal In-Zn untuk tipe-p ditumbuhkan pada substrat InP sehingga terbentuk wafer. Karak edstik lapisan GaInAsP yang dikehendaki dapar ditentukan dengan memvariasikan berat relatif In P, GaAs, InAs terhadap berat In. Lapis= aktif DL ini adalah lapisan GaInAsP dengan panjang gelombang (ë) = 1300 nm. Hasil penumbuhan (wafer) dikarakterisasi dengan Optical Spectrum Analyser untuk mengetahui panjang gelombang yang ditumbuhkan dan Scanning Elektron Microscope untuk mengetahui ketebalan struktur kristal yang ditumbuhkan.Proses selanjutnya, untuk membuat stripe tedebih dahulu ditumbuhkan lapisan silikon (SiO2) diatas wafer dengan ketebalan 1000Ǻ 1200 Ǻ yang menggunakan RF sputtering, dan dengan bantuan photoresist, stripe tersebut dapat dibentuk melalui proses Photolithography. Setelah proses etsa, dimana lapisan SiO2 pada stripe dihilangkan dengan larutan HF, dapat dilakukan metalisasi melalui proses evaporasi dengan menggunakan Au-Zn untuk Khatoda dan Au-Sn untuk Anoda, yang sebelumnya didahului penipisan lapisan substrat dari 360 µm menjadi 00µm.Rancangan dioda stripe ini berhasil ditumbuhkan setelah keluar tungku kristal hasilnya berkilat seperti kaca dan. setelah dikarakterisasi dengan OSA ada panjang gelombang yang diinginkan.In this research we designed and fabricated the GaInAsP/InP Laser diode with ë = 1300 nm, in LP3FT-LIPI Serpong. From the result we obtained the wavelength shifted about 20 am, and to find the required wavelength we corrected the weight of InAs to In. The growth process was carried out using the liquid phase epitaxsi (LPE) where the GaAsInP layer consisted of the composition of the full crystallography of InP, GaAs, InAs with the doped crystal of InTe for n-type and InZn for P-type where grown at the InP-substrate to form the wafer. The characteristic of the required GaInAsP, layer can be determined with the variation of relative weight of InP GaAs, InAs to the weight of In. The active layer was GalnAsP layer with the wavelength of 1300 nm. The growth result was characteristic using the Optical Spectrum Analyser to know the growth wavelength and Scanning Electron Microscope to know the crystal thickness.

Future more to make the stripe we growth the SiO2layer in above of the wafer with 1000 Ǻ1200 Ǻthickness using the RF sputtering, and the stripe can be form by Photolithography process with the photoresist after the etching process where, the silicon oxide layer at the stripe removed by HF, we did the metallization by evaporation process using AuZn for Cathode and AuSn for Anode, where the lapping of substrate from 360 µm to be 100 µm was done previously.

The fabrication of stripe diode was success if the surface of the result will be like mirror and wavelength characteristic will occur by OSA."

"Pada penelitian ini dilakukan perancangan konfigurasi perangkat optik untuk mengukur konsentrasi fitoplankton dalam medium cair Konfigurasi perangkat tersebut bekerja dengan memanfaatkan fenomena fluoresensi, yang terdiri dari laser dioda ungu (A = 405nm, P = 4mW, repetisi pulsa = l ms), curette, filter optik, dan fotodioda. Dari pengujian terhadap kultur ('hlurellu sp. didapatkan bahwa untuk rentang konsentrasi 0 - 15. 106 semi diperoleh hubungan yang konsisten antara intensitas fluoresensi dengan kenaikan konsentrasi sel, yaitu meningkat secara tinier seiring dengan peningkatan konsentrasi sel. Gradien untuk rentang konsentrasi yang tinggi (1106 - 15 . 10'' sel/ml) adalah < 5. 10 9nillsel, sedangkan untuk rentang konsentrasi rendah (2'10- 1 .10'sel/ml) 610-9ml/sel. Ambang pengukuran konsentrasi ('lifore la sp. di sekitar 2. 102 sel/ml.

---

In this research, has been designed the optical device configuration aim for measuring the concentration of phytoplankton suspension. The device works according to fluorescence phenomenon, composed of violet diode laser (, = 405nm, P = 4mW, pulse repetition = l ms), cuvette, optical filter, and photodiode. From the measurement results, it is shown that the fluorescence intensity has a consistent relationship with the ('h/orellu sp, concentration in the range of 0 - 15'106 cell/nil, increase linearly to the cell concentration. The gradient for high concentration (1 10" -15. 10` cell/ml) is < 5 ' 10'9ml/cell, while for low concentration (2-102 - 1I0" cell/ml) is = 6.10 `'nil/cell. The threshold (Wore/la sp. concentration of measurement is about 2.102 cell/ml."

"ABSTRAKPermintaan akan transmisi sinyal kecepatan dan berkualitas tinggi semakin meningkat, kini para ahli persisteman sedang mencari performance yang lebih sederhana dan lebih konsisten. Optik terpadu sekarang secara komersil sudah ada dan digunakan dengan efek yang dapat ditoleransi untuk keperluan-keperluan tersebut dan sedang diintegrasikan dengan cakupan yang luas peralatan komunikasi.Modulator optis terpadu dengan modulasi langsung dioda laser berfrekuensi GHz dalam transmitter menyediakan teknik yang sederhana untuk menghasilkan sinyal chirp-free untuk telekomunikasi fiber optik. Akan tetapi upaya untuk terus melakukan penelitian terus dilakukan untuk terus diperoleh penghasil sinyal yang lebih baik beriring dengan berjalannya waktu."

"Latar belakang : Candida albicans mampu membentuk biofilm serta berpenetrasi ke tubuli dentin. Invasi ke dalam tubulus dentin dapat melindungi sel-sel C.albicans dari efek prosedur intrakanal dan berperan dalam pembentukan infeksi saluran akar persisten. Larutan irigasi NaOCl 2,5 dan CHX 2 memiliki keterbatasan penetrasi, sehingga C.albicans pada tubuli dentin dalam tidak memperoleh efek antijamur larutan irigasi dan menyebabkan kegagalan disinfeksi total sistem saluran akar. Olehkarena itu, disinfeksi saluran akar merupakan tantangan utama dalam endodontik dan prinsip dasar yang penting bagi pelestarian jangka panjang gigi dengan perawatan saluran akar. Penggunaan laser dioda dalam bidang endodontik merupakan metode yang dikembangkan untuk memenuhi tantangan tersebut karena dianggap mampu berpenetrasi ke tubuli dentin dalam. Tujuan : melihat efek laser dioda sebagai aktivasi antijamur larutan irigasi NaOCl 2,5 dan CHX 2 pada biofilm C.albicans. Metode : menghitung jumlah koloni biofilm C.albicans setelah diberi larutan irigasi NaOCl 2,5 dan CHX 2 serta penambahan sinar laser dioda. Hasil : Terdapat perbedaan bermakna antara penggunaan larutan irigasi dengan larutan irigasi kombinasi laser dioda.

---

Background : Candida albicans is able to form biofilms and penetrating into the dentin tubules. The invasion into the dentinal tubules may protect C.albicans from intracanal procedures and cause formation of persistent infection of the root canal. Irrigation solution 2.5 NaOCl and 2 CHX has limited penetration, so C.albicans can be protected from the effects of antifungal irrigation solution and cause a total failure disinfection. Consequently, disinfection is a major challenge in endodontics and basic principles that are important for long term preservation of the tooth with root canal treatment. The use of diode laser in endodontics is a method developed to meet these challenges because able penetrating into the dentin tubules.

Aim : To evaluation the effects of diode laser as activation antifungal irrigation solution of 2.5 NaOCl and 2 CHX on C.albicans biofilm. Methode count the number of C.albicans biofilm colonies after aplication the irrigation solution of 2.5 NaOCl and 2 CHX and the addition of a diode laser beam.

Result : There are significant differences between the use of irrigation solution with a combination of laser diodes and irrigation solution p"

"Penampil karakter pada penelitian ini menggunakan teknik scanning seperti halnya pada TV, LED, LCD. Namun proses penampilannya menggunakan Laser dioda dan menggunakan teknik pemantulan pada cermin yang diputar oleh motor. Proses penampilan karakter ini terjadi karena cermin yang ditempatkan sedemikian rupa pada sebuah piringan persegi banyak yang diputar oleh motor dan kemudian cermin tersebut ditembak oleh Laser dioda yang dikontrol oleh mikrokontroler. Terjadinya scanning secara horizontal karena adanya susunan geometris piringan bersegi banyak, dengan masing-masing sisi ditempatkan cermin datar. Karena adanya perputaran motor, akan menyebabkan cahaya tersebar secara horizontal kemudian, scanning secara vertikal terjadi karena rancangan kedudukan cermin yang berbeda sudut terhadap sumbu vertikal bagi masing-masing cermin. Akhirnya secara keseluruhan terjadi scanning dari arah kiri ke kanan dan dari atas ke bawah secara simultan, sehingga menghasilkan tampilan karakter sesuai data yang ada pada memori mikrokontroler."