Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Polikristal AgGaSe2 adalah senyawa (I-III-VI2) suatu semikonduktor sebagai bahan dasar pembuatan lapisan tipis (thin film) untuk sel surya. Polikristal tersebut telah berhasil ditumbuhkan dengan metoda tungku Bridgmann tegak, dengan memanaskan sampai temperatut 850°C kemudian didinginkan perlahan-lahan sampai temperatur kamar. Hasil yang didapatkan berupa ingot (batangan) dengan panjang lebih kurang 3 cm dan diameter 13 mm. Dengan menggunakan XRay Refraction didapatkan komposisi masing masing unsur berat % adalah Ag = 29,3996 %, Ga = 36,8123 % dan Se = 30,29 % sedangkan pengukuran dengan X-Ray Difraction didapatkan parameter kisinya dihitung a = 4,4112 Å, c = 8, 8854 Å dan c/a = 2,01426.

---

Optic Properties on AgGaSe2 Polycristal Fabrication. Polycristal AgGaSe2, is compound (I-III-VI2) a semiconductor as basic material for thin film for solar cell. Polycristal was succesfully grown using Bridgmann Method, heated on sequential temperature treatment until 850°C and cooled down slowly until room temperature. Results observed were in the form of ingot (bars) with more or less 3 cm length and 13 mm in diameter. By using X-Ray Fefraction, composition obtained of each element (weight %) was Ag = 29,3996 %, Ga = 36,8123 % and Se = 30,29 % while using X-Ray Difraction lattice parameter obtained/calculated a = 4,4112 Å, c = 8,8854 Å, and c/a = 2,01426.

Abstrak :
Kebutuhan energi dunia meningkat seiring peningkatan populasi manusia. Dengan semakin berkurangnya sumberdaya tak terbarukan, manusia mulai mencari sumber energi alternatif yang terbarukan dan ramah lingkungan. Salah satu sumber energi yang dipilih ialah energi matahari dengan menggunakan sel fotovoltaik/surya. Salah satu sel jenis sel surya ialah sel surya lapis tipis (thin film solar cell/TFSC). Penelitian ini berfokus pada pembuatan senyawa penyerap CuFeS₂ (CFS) dengan metode ball milling. Dari hasil yang diperoleh, data XRD menunjukkan pembentukan senyawa CuFeS₂ tidak efisien jika hanya menggunakan proses ball milling sehingga diperlukan proses anil. Hasil XRD setelah di anil menunjukkan perbedaan drastis. Dan dari hasil UV-Vis diperoleh waktu optimal penggilingan selama lima jam dan komposisi optimal yaitu komposisi 113 dengan unsur sulfur berlebih. Hasil dari pengujian UV-Vis menunjukkan keunggulan sampel dengan komposisi 113 dengan E_g langsung dan tidak-langsung berturut-turut sebesar 1.895 eV dan 1.206 eV. Hasil tersebut memiliki perbedaan yang signifikan yaitu sebesar 0.1 eV untuk E_g langsung dan tidak-langsung dari hasil yang diperoleh dari sampel dengan komposisi 112. ......The world energy demand is increasing as the human population increase. With the decline in non-renewable resources, people are starting to look for renewable energy sources that are renewable and environmentally friendly. One of the energy sources chosen is solar energy using photovoltaic / solar cells. One type of solar cell is the thin layer solar cell (TFSC). This research focuses on the manufacture of the CuFeS₂ (CFS) absorbent compounds using the ball milling method. From the results obtained, XRD data shows that CuFeS₂ compounds are not efficient if they only use the ball milling process so that an annealing process is needed. The XRD results after annealing showed a drastic difference. And from the UV-Vis results, the optimal grinding time was obtained for five hours and the optimal composition was composition 113 with excess sulfur elements. The results from the UV-Vis test showed the superiority of the sample with a composition of 113 with direct and indirect E_g of 1,895 eV and 1,206 eV, respectively. These results have a significant difference of 0.1 eV for direct and indirect E_g from the results obtained from a sample with a composition of 112.

Abstrak :
Material quarternair CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2 merupakan material dasar yang digunakan dalam fabrikasi solar sel. Material tersebut memiliki koefisien absorpsi yang tinggi sekitar 103 ? 105 cm-1 dan rentang energi gap 1-5 eV. Pada penelitian ini telah dibuat lapisan tipis dengan menggunakan metode evaporasi Flash dari butiran-butiran quarternair material CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2 yang dievaporasi agar menempel di substrat kaca. Setelah lapisan tipis diperoleh kemudian dilakukan karakteristik optik dan listrik lapisan tipis tersebut. Spektroskopi X-Ray Diffraction (XRD) digunakan untuk memperoleh parameter kisi dan struktur kristal lapisan tipis tersebut. Hasil XRD memperlihatkan bahwa struktur lapisan tipis CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2 adalah chalcopyrite. Koefisien absorpsi dan energi gap lapisan tipis dihitung dari pola kurva transmitansi dan reflektansi hasil pengukuran difraktrometer UVVIS. Dengan menggunakan Energy Dispersive Spectroscopy (EDS), komposisi lapisan tipis dapat diketahui, sedangkan dengan menggunakan Hall Effect dapat dihitung resistivitas, mobilitas dan pembawa muatan mayoritas lapisan tipis CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2.

---

Quarternair CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2 Thin Films Fabrication Using Flash Evaporation. Quarternair materials CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2 are the basic materials to solar cell fabrication. These materials have high absorption coefficients around 103 ? 105 cm-1 and band gap energy in the range of 1-5 eV. In this research, the films were made by flash evaporation method using quarternair powder materials of CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2 to adhere in a glass substrate. After the films were obtained, the properties of these films will be characterized optically and electrically. The lattice parameter of the films and the crystalline film structure were obtained using X-Ray Diffraction (XRD) spectroscopy. The XRD results show that the quarternair CuGaSeTe and CuGa0.5In 0.5Te2 films have a chalcopyrite structure. The absorption coefficient and the band gap energy of the films were calculated using transmittance and reflectance patterns that measured using UV-VIS Difractometer. The films composition can be detected by using the Energy Dispersive Spectroscopy (EDS), while the films resistivity, mobility and the majority carrier of the films were obtained from Hall Effect experiments.