Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Jenis kecenderungan ikatan lokal atomik lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi (a-Sit-rCx: H) hasil deposisi sputtering dengan target grafit dan silikon telah ditentukan dengan menggunakan prosedur minimasi. Prosedur minimasi dilakukan terhadap fungsi dielektrik kompleks hasil eksperimen dengan fungsi dielektrik kompleks model tetrahedron yang dikembangkan oleh Mui-Smith. Lapisan tipis a-Si1-xC1:H yang dihasilkan dengan target grafit memiliki kecenderungan ikatan lokal atomik CD (chemically disordered) sedangkan hasil dart target silikon memiliki jenis kecenderungan ikatan lokal atomik CORD (chemical ordering with homogeneous dispersion). Kehadiran void pada lapisan tipis a-Si1-xCx: H untuk kedua jenis target juga dapat diketahui dari prosedur minimasi. Jumlah void yang cenderung konstan pada lapisan tipis yang dihasilkan dengan target grafit mendukung hasil para peneliti lain bahwa jumlah void bukan dipengaruhi oleh peningkatan konsentrasi karbon tetapi karena peningkatan hydrogen. Lapisan tipis yang dihasilkan dengan menggunakan target grafit memiliki jumlah void yang lebih tinggi dibandingkan lapisan tipis yang dihasilkan dart target silikon atau lapisan tipis yang dihasilkan dengan target silikon lebih kompak dibandingkan hasil target grafit.

---

Determination of Local Atomic Bonding Preferences of Amorphous Silicon Carbon Deposited by 2 Sputtering Targets : Graphite and Silicon. The preferences of local atomic bonding of amorphous silicon carbon films deposited by graphite and silicon target has been determined by minimizing procedure. The experimental complex dielectric function has been minimized by complex dielectric function model developed by Mui-Smith. The preferences of local atomic bonding for films deposited by graphite target was chemically disordered (CD) whereas for films deposited by silicon target was chemical ordering with homogeneous dispersion (COHD). Minimization procedure shows the presence of voids in the films for both silicon and graphite targets. The monotonic behavior of voids with carbon concentration for films deposited by graphite target agree with other's researcher results that the amounts of void are not influenced by increasing carbon concentration but are influenced by hydrogen concentration. The films deposited by graphite target contain more voids than silicon target or films deposited by silicon target have a compact structure than graphite target."

"ABSTRAKLiquefied Petroleum Gas (LPG) dengan kandungan utama propana dan butana berpotensi untuk menjadi sumber karbon dalam sintesis aligned carbon nanotubes (ACNT). Penelitian ini mempelajari pengaruh konsentrasi karbon dari LPG yang merupakan banyaknya jumlah mol karbon dalam volume gas keseluruhan dan waktu reaksi pada yield dan diameter CNT yang dihasilkan. Sintesis CNT menggunakan metode Floating Catalyst-Chemical Vapor Deposition (FC-CVD) dengan katalis ferrocene pada bola silika sebagai substrat. Karbon hasil sintesis tumbuh di substrat dan dinding reaktor kuarsa. Peningkatan konsentrasi karbon dari 0,017 M hingga 0,048 M mampu menghasilkan CNT pada substrat tetapi belum berbentuk ACNT. Yield yang dihasilkan memiliki kecenderungan untuk turun kemudian naik. Peningkatan konsentrasi karbon menurunkan diameter CNT dari 56 nm menjadi 41 nm. Penambahan waktu reaksi dari 40 menit menjadi 120 menit mampu meningkatkan yield dan memperbesar diameter CNT dari 41 nm menjadi 87 nm.

---

ABSTRACT

Liquefied Petroleum Gas (LPG) with propane and butane as the main components is potential to be carbon source in synthesis of aligned carbon nanotubes (ACNT). This research studies the influence of carbon concentration from LPG which is amount of the carbon moles in total volume of input gases and reaction time in yield and diameter of CNT produced. The synthesis of CNT using Floating Catalyst-Chemical Vapor Deposition (FC-CVD) method with ferrocene as catalysts on silica spheres as substrate. The carbons produced grow in substrate and quartz reactor?s wall. Increases carbon concentration from 0.017 M to 0.048 M is capable producing CNT on substrate but unformed ACNT. Yield produced has a tendency to down and then rise. Increases in carbon concentration reduce the diameter of CNT from 56 nm to 41 nm. Increases reaction time from 40 to 120 minutes is able to improve yield and increase diameter of CNT from 41 nm to 87 nm."