Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
ABSTRAK Untuk mengurangi cacat pada kristal tunggal silicon dengan orientasi (100) yang telah ditumbuhkan dengan Metode Czochralski, telah dilakukan penganilan terhadap wafer-wafer kristal dengan variasi temperatur 1000, 1100 dan 1200 °C, serta waktu anil 6, 12 dan 24 jam. Metode yang digunakan dalam pengamatan cacat kristai adalah Metode Permukaan (etch pits) dengan luas efektif setiap titik pengamatan sebesar 0,11 mm2. Hasil pengamalan memperlihatkan terjadinya fluktuasi kuantitas cacat kristal dari ujung seed sampai ujung ingot: sampel tanpa proses anil mempunyai cacat yang berfluktuasi antara 4758 sampai 11495/cm2, sedangkan sampel yang dianil mempunyai cacat antara 1541 sampai 5388/cm2.

---

ABSTRACT In reducing the crystal defects at single crystal silicon with the orientation (100) which has been grown using Czochralski Method, the annealing process of crystal wafers have been done with temperature variation of 1000, 1100 and 1200 °C and also annealing time 6, 12 and 24 hours. Etch pits method has been used to obtain the crystal defects using an effective observation area of 0.11 mm2. The result shows that the defects fluctuation occur accross the length of the sample, from the seed-end toward the bottom-end, also the samples that were not annealed having the variation of crystal defects between 4758 to 114951cm2, while the samples that were annealed showing the defects variation between 1541 to 5388/cm2.

Abstrak :
Sebagai bahan semikonduktor. CuInSe2 yang berbentuk serbuk ( powder ) telah dibuat menjadi lapisan tipis dengan menggunakan metode evaporasi thermal. Lapisan yang dihasilkan, didapat dari dua kali evaporasi dengan temperatur substrat yang berbeda masing-masing 150 °C dan 200 °C. Untuk lapisan tipis dengan temperature substrat 150 °C diannealing pada atmosfir Selenium. sedangkan lapisan tipis dengan temperatur substrat 200 °C diannealing dalam ruang vakum selama 10 menit pada temperatur 200 °C. Selanjutnya pengukuran sifat optik dan sifat listrik dilakukan terhadap ketiga bagian sampel. antara lain; sampel lapisan tipis yang belum diannealing dalam ruang vakum/diannealing pada atmosfir Selenium, yang diannealing dalam ruang vakum dan yang diannealing pada atmosfir Selenium yaitu untuk dikarakterisasi. Dari hasil pengkarakterisasian dilaporkan bahwa, dengan proses annealing pada atmosfir Se dan ruang vakum bentuk spektrum transmisi dan reflektansi terlihat lebih halus. Kedua lapisan tipis ini baik yang diannealing dalam ruang vakum maupun diannealing pada atmosfir Selenium memiliki resistivitas sekitar ( 2.2 s/d 2.5 ) ohm cm dengan type konduktivitasnya cenderung lebih banyak type - N dari pada type - P.

Abstrak :
Berbagai penelitian mengenai penggunaan nanopartikel ZnO dalam aplikasi pelabelan sel terus dilakukan. Tetapi penggunaan nanopartikel ZnO dibatasi dengan permasalahan kestabilan dan keterbatasan emisi. Dalam penelitian ini, nanopartikel ZnO berhasil disintesis dengan menggunakan metode kimiawi basah teknik presipitasi. ZnO kemudian dienkapsulasi dengan SiO2 membentuk nanopartikel ZnO@SiO2 untuk memperbaiki kestabilan ZnO dalam air. Dengan melakukan variasi temperatur pada proses anil telah diinvestigasi pengaruh perlakuan tersebut terhadap ukuran dan kristalinitas nanopartikel. Hasil penelitian menunjukkan bahwa meningkatnya tenperatur anil dari 80o hingga 150oC mampu meningkatkan ukuran nanopartikel ZnO@SiO2 dari 9,973 menjadi 12,740 nm dan menurunkan energi celah pita dari 3,175 eV menjadi 3,154 eV. Nanopartikel ZnO@SiO2 yang diperoleh berpotensi untuk digunakan dalam pelabelan sel. ......ZnO nanoparticles have been studied for cell labeling application over past several years. However, there is limited use of ZnO nanoparticles because of poor stability and limited emission color. In this research, ZnO nanoparticles have been succesfully synthesized by wet chemical precipitation methode. The assynthesized ZnO nanoparticles were furthermore encapsulated by SiO2 to form ZnO@SiO2 nanoparticles to improve the stability of ZnO nanoparticles in water. By varying the annealing temperature, the effect of this treatment on the size and crystallinity of nanoparticles has been investigated. The result shows that increasing the annealing temperature from 80o to 150oC has increased the size of ZnO@SiO2 nanoparticles from 9,973 nm to 12,740 nm and decreased the band gap energy from 3,175 eV to 3,154 eV. ZnO@SiO2 nanoparticles have a potential to be used in cell labeling application.