Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Analisis Rielveld dengan program EXPGUI-GSAS dapat digunakan untuk meneliti kekristalan material. Pada penelitian dilakukan penghalusan parameter-parameier struktur liga sampel film tipis PIZT diatas subslrat Pi (200)/Si(VSi(tOO) dengan variasi doping indium, didapat indikator keberhasilan R-pola (Rp) pada selang (5,77-10,36)%, R-pola dengan pemberat (wRp) pada selang aniara (8,59-15,35)% dan Goodness of fit (GoF) pada selang antara 1,036-5,462. Indikator yang didapal secara fisik dapat ditandai dengan miripnya kurva kalkulasi dengan kurva eksperimen. Semua sampel PIZT substrat Pt menunjukkan sistem kristal kubik dengan grup ruang Fm3m. Selain itu didapat nilai parameier kisi hasil penghalusan yang mendekati nilai pada international Centre for Diffraction Data (ICDD).

---

We have use Rietveld analysis on EXPGUI-GSAS plalform to examine the crystalinity of PIZT on Pt Substrate. In this experiment, we have used 3 samples of PIZT thin film in the platinum substrate with variation on the percentage of indium doping. The value of efficacy indicator for 3 specimens included R-Pattern (Rp) between (5,77-10,36)%, weighted of R-Pattern ( wRp) between ( 8,59-15.35)% and Goodness of Fit (GoF) between 1,036-5,462. The value of efficacy indicator marked physically as alike between the calculated curve and experiment curve. Most of the sample of PIZT thin films in platinum substrate show that the crystal structure are cubic with space group Fm3m and lallice parameter near the value on the Powder Diffraction Data-International Center for Diffraction Data.

Abstrak :
PZT (PbZr1-xTixO3) merupakan bahan berbentuk kristal perovskite yang dapat dimanfaatkan sebagai sensor inframerah. Penambahan sedikit dopan (bahan pendoping) dapat mengubah secara drastis karakteristik spesifik dari bahan keramik-ferroelektrik seperti polarisasi spontan, sifat dielektrik, sifat elektromekanik, elektrooptik dan sifat lainnya. Hard doping dengan menggunakan ion In3+ diaplikasikan pada penelitian ini dan dilakukan penumbuhan lapisan tipis dari bubuk PIZT (PbInxZryTi1-x-yO3-x/2) pada substrat Si(100) dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dengan konsentrasi 0,5 M dan kecepatan putar spin coating 3000 rpm. Karakteristik bahan PIZT baik bubuk maupun lapisan tipisnya diuji dengan difraksi sinar x. Analisis Rietveld dilakukan dengan menggunakan program GSAS-EXPGUI dan diperoleh parameter kisi dan komposisi fasa dari kristal. Polarisasi spontan (Ps) PIZT bubuk dan lapisan tipisnya mengalami penurunan dibandingkan dengan bahan asalnya (PZT). Polarisasi spontan yang optimum dari lapisan tipis PIZT dicapai pada rentang doping 0,5% - 1% In2O3. Momen quadrupol potensial listrik (�?�Q(r)) bahan PIZT pada suatu titik P (0,0,2a) mencapai kondisi optimum pada % doping 6% In2O3 dan dari hasil penelitian ini juga menunjukkan bentuk lapisan tipis PIZT memiliki nilai (�?�Q(r)) yang lebih baik daripada bentuk bubuknya untuk rentang doping > 1% In2O3.

---

The Calculation Spontaneous Polarization and Quadrupole Moment of Electric Potential PIZT (PbInxZryTi1-x-yO3-x/2). PZT (PbZr1-xTixO3) is a perovskite crystal that can be used for IR sensor. Small amount of dopant can drastically change the specific characteristic of ferroelectric ceramic such as spontaneous polarization, dielectric constant, electromechanical and also electro-optic properties. The addition of In3+ ion (called as hard doping) has been applied in this research. Thin film of PIZT (PbInxZryTi1-x-yO3-x/2) has been deposited on Si(100) substrate with Chemical Solution Deposition (CSD) method. The concentration of solution is 0,5 M and the angular speed applied of spin coating is 3000 rpm. The PIZT sample has been analyzed with x-ray diffraction method. Rietveld analyses using GSAS-EXPGUI software resulted lattice parameter of crystal and phase compositions of PIZT samples. The values of all sample PIZT spontaneous polarization (Ps) have been calculated lower than PZT. The optimally Ps was reached at 0,5% to 1% In2O3 doping. Quadrupole moment of electric potential (�?�Q(r)) at point P (0,0,2a) reached optimum at 6% In2O3 doping and they also showed that PIZT thin film have �?�Q(r) higher value than their bulk form for In2O3 doping >1%.