Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Skripsi ini membahas disain rangkaian snubber untuk menentukan nilai elemen snubber (resistor dan kapasitor) yang akan digunakan pada sistem power switching menggunakan mosfet. Dalam merancang rangkaian-rangkaian elektronika daya, salah satu faktor penting yang perlu diperhatikan adalah masalah kerugian daya yang terjadi pada sakelar elektronik yang digunakan. Kerugian daya pada sakelar elektronik itu sendiri terdiri dari dua bagian yaitu pada kondisi ON dan pada kondisi peralihan. Alternatif untuk mengurangi kerugian pensakelaran adalah dengan menambahkan rangkaian snubber pada sakelar elektronik. ......The focus of this study is to design snubber circuit to determine the element value of the snubber (resistor and capasitor) that will use in power switching system using mosfet. In designing power electronic circuits, one of the important factor that need to be concerned is power loss problem that occur on electronic switching that is used. Power loss on electronic switching itself consist of two parts, these are on ON condition and on switching transition. The alternative to reduce switching loss is with adding the snubber circuit on electronic switching.

Abstrak :
Penulisan ini adalah suatu analisis terhadap divais Graded-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor atau disingkat GCMOSFET. Teknologi GCMOSFET dewasa ini berkembang sebagai salah satu usaha untuk memenuhi kebutuhan divais dalam aplikasi berdaya rendah dan mempunyai performansi lebih tinggi. Pada penulisan ini ditekankan untuk menganalisa keunggulan GCMOSFET dibanding dengan MOSFET ungraded. GCMOSFET dapat menghasilkan output ID yang lebih besar jika dibandingkan dengan MOSFET ungraded. Peningkatan arus ID ini terjadi disebabkan pengaruh graded channel pada divais yang menghasilkan panjang channel efektif yang lebih kecil daripada panjang channel efektif MOSFET ungraded. Dari hasil simulasi dengan berbantuan perangkat lunak S-PISCES 2B dan MATLAB dapat ditunjukkan bahwa ID yang dihasilkan GCMOSFET lebih besar daripada ID yang dihasilkan MOSFET ungraded, sebagai contohnya untuk VGS = 4 V dan VDS = 2 V, ID pada MOSFET sama dengan 9,78E-06 A, sedangkan pada GCMOSFET sama dengan 16,56E-06 A. Di samping itu, misalkan untuk menghasilkan ID = 11,32E-06 A pada MOSFET diperlukan VGS = 4 V dan VDS = 4,7 V, sedangkan pada GCMOSFET diperlukan VGS = 4V dan VDS = 1,2 V. Hal ini menunjukkan bahwa GCMOSFET mengkonsumsi daya yang lebih rendah dibandingkan MOSFET ungraded. Dan berdasarkan hasil simulasi terbukti bahwa GCMOSFET dengan LGC (panjang region graded channel) yang lebih pendek akan menghasilkan ID yang lebih besar dibandingkan dengan ID yang dihasilkan GCMOSFET dengan LGC yang lebih panjang. Sebagai contohnya untuk VGS = 4 V dan VDS = 2 V, pada GCMOSFET dengan LGC = 4 µm diperoleh ID = 16,56E-06 A, pada GCMOSFET dengan LGC = 3,5 µm diperoleh ID = 17,51E-06 A, dan pada GCMOSFET dengan LGC = 3 µm diperoleh ID = 18,49E-06 A.

---

Graded Channel MOSFET simulation with S-Pisces 2B. Graded-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect-Transistor or GCMOSFET is being discussed in this paper. GCMOSFET technology has been developed to meet the growing demand for low power and high performance application. In this paper, it will be shown that, compared to ungraded MOSFET, the GCMOSFET device offers the advantage of significantly higher drive current. The higher drive current is achieved because the effecctive channel length of GCMOSFET is shorter than the ungraded MOSFET's. From the simulation result with S-PISCES 2B and MATLAB, it can been shown that the ID from GCMOSFET is higher than the ID from ungraded MOSFET. As an example, with VG = 4 V and VD = 4 V, ID from MOSFET is equal with 9.78 e-06 A and ID from GCMOSFET is equal with 16.56 e-06 A. Beside that, as an example, to get ID = 1.13 e-05 A with MOSFET will need VG = 4 V and VD = 4.7 V, and with GCMOSFET VG = 4 V and VD = 1.2 V will be needed. This result has shown that GCMOSFET needs lower supply voltage than the ungraded MOSFET which means that GCMOSFET needs lower power consumption than ungraded MOSFET. From the simulation results, it can be proved that GCMOSFETwith shorter LGC (graded channel region length) will give larger ID than ID from GCMOSFET with longer LGC. As we can see that for VGS = 4 V and VDS = 2 V, GCMOSFET with LGC = 4 µm will give ID = 16,56E-06 A, GCMOSFET with LGC = 3,5 µm will give ID = 17,51E-06 A, and GCMOSFET with LGC = 3 µm will give ID = 18,49E-06.

Abstrak :
ABSTRAK
Suatu sensor pengukur medan magnit apabila dibuat dalam teknologi CMOS dalam array, akan bekerja pada suatu mode, yang mempunyai keluaran current mode sesuai dengan tegangan referensi dari sensor tersebut. Array yang dibentuk dengan MAGFET yang terintegrasi akan menjadikan suatu unit yang akan menaikan sensitifitas dan signal to noise ratio-nya. Sensor ini mempunyai karakteristik yang lebih linier, dibandingkan dengan rangkaian sensor hasil integrasi MAGFET dengan load resistor saja. Pengubahan bagian komponen pasif dengan komponen aktif menjadikan layout IC sensor lebih sederhana.

Pada Tesis ini akan dilakukan simulasi dan analisa dari rangkaian sensor medan magnit array CMOS dengan menggunakan perangkat lunak PSPICE versi 5.1. Dengan mengubah load resistor dengan rangkaian cermin CMOS secara array, hasil simulasi menunjukan bahwa keluarannya lebih linier.

Juga akan dibuat perancangan layout IC rangkaian tersebut dengan bantuan perangkat lunak MAGIC versi 6.02. Layout menjadi lebih sederhana setelah mengganti komponen pasif resistor dengan resistor aktif. Layout resistor aktif keluaran MAGIC yang dibuat dapat lebih kecil 3.07% dari resistor pasif.

Abstrak :
Menurut Internatonal Standard (ISO 8713:2002) mobil listik dikenal dalam istilah Electric road vehicles yang di Amerika dikembangkan menjadi dua (2) jenis, diantaranya Zero Emission Vehicles(ZEV) dan Low Emission Vehicles (LEV). Mobil listrik yang di kategorikan menjadi Zero Emission Vehicles adalah Mobil Batterai (Battery Operate) dan Mobil Fuel cell. Sedangkan yang dikategorikan menjadi LEV adalah mobil yang sistem penggeraknya memadukan antara convensional engine dengan motor listrik (mobil Hybride). Mobil Batterai (Battery Operate) dan Mobil Fuel cell sistem penggeraknya dengan menggunakan motor dc karena kecepatan mudah diatur dan mempunyai variasi kecepatan yang lebar.Tugas akhir penggerak mobil listrik ini menggunakan motor dc seri yang terdapat pada stater mobil.Sebelum digunakan menjadi motor penggerak motor stater dimodifikasi bagian luar dan lilitan didalamnya. Motor dc stater mobil mempunyai torsi yang besar dan kecepatan tinggi,tetapi mempunyai kelemahan dengan arus yang besar sehingga motor cepat panas.Pengontrolan kecepatan menggunakan mikro AVR Atmega8535 dengan mengunkan metode PWM. Untuk pensaklaran elektronis menggunakan mosfet dan relay. Perubahan jumlah kumparan dan pengecilan diameter kawat email kumparan motor dapat menaikan hambatan motor sehingga dapat mereduksi arus, sehingga motor dapat bekerja lebih lama,untuk pengotrolan kecepatan pada saklar elektronik diperlukan rangkaian snubber untuk meniadakan tegangan balik yang disebabkan oleh beban yang bersifat induktif yang merusak saklar elektronik. ......Recognized as Electric road Vehicles that in America is expanded in two category such as: Zero Emission Vehicles(ZEV) dan Low Emission Vehicles (LEV). The ZEV one is knowed as battery car and fuel cell car, while the LEV one is the car with the driver is colaboration between convensional engine and electrical motor (Hybride car). Battery and fuel cell car use DC motor as a driver because the ease of speed adjusment and have a width variation speed. This final assignment use DC motor that be in car starter. Before used as motor driver to drive motor starter, this DC motor is modified in outer edge and the winding inside. This one have a big torque and high speed, but it has a big current as a weakness so the motor will be heat quickly. The speed control use AVR Atmega8535 microcontroller with PWM method. For electronical switching use a mosfet and relay.

Abstrak :
Indonesia sedang mengembangkan teknologi roket kendali untuk mendukung sistem pertahanan. Roket dapat dikembangkan untuk alutsista (alat utama sistem senjata) sebagai pertahanan. Arah roket diatur oleh sirip yang mendapatkan masukan dari autopilot lalu diolah ke dalam mikrokontroler dan menjalankan aktuator untuk menggerakkan sirip. Skripsi ini membahas tentang pengendalian sirip menggunakan brushless DC motor dan AVR ATMega8535. Sirip bergerak sebesar +10o sampai -10o dengan pergerakan sudut sebesar 1o. Brushless DC motor yang digunakan sebagai aktuator membutuhkan 6 mosfet untuk menghasilkan 6 urutan sinyal yang dibutuhkan. Metode yang digunakan untuk pengendalian brushless DC motor menggunakan metode six-step. Untuk mengatur kecepatan brushless DC motor, delay diberikan pada tiap step. Semakin kecil delay, maka putaran motor akan semakin cepat. Brushless DC motor akan melambat saat sirip mendekati sudut yang diinginkan. Ketika terjadi simpangan sudut yang cukup besar, maka dibutuhkan delay yang kecil agar putaran cepat. Sebaliknya, saat simpangan sudut kecil, maka dibutuhkan delay yang besar agar putaran melambat dan tidak menyebabkan gerakan yang berlebih.

---

Indonesia has been developing rocket controlling technology for supporting military needs. Rocket is developed for military equipment. The direction of rocket is controlled by fin which has input command from the autopilot. That input is processed into microcontroller to move the fin. This paper explores rocket fin control using brushless DC motor and AVR ATMega8535. One fin moves from -10o to 10o. One movement of fin is set 1o. Brushless DC motor needs six mosfet to generate six steps signal. Six-step method is used to control brushless DC motor. Six-step?s delay is utilized to control speed of brushless DC motor. The smaller delay makes the rotation motor faster. Brushless DC motor will decrease the rotation speed when error comes to setpoint. When the deviation angle is too high, delay time is reduced to make higher rpm. Conversely, when deviation angle is small, delay time is increased to make lower rpm and then over movement will not occure.