Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Telah dibuat lapisan tipis In2O3: Sn (ITO) dengan metode DC Magnetron Sputtering diatas substrat soda-lime yang mudah diperoleh dan murah. Hasil pengujian menunjukkan bahwa nilai resistivitas tidak homogen pada suatu permukaan lapisan tipis. Resisitivitas minimum diperoleh bernilai 1.6 x 10-4 Ω cm. Resistivitas minimum ini umumnya diperoleh pada titik pengukuran yang berjarak 40 mm sumbu x negatif, 27 mm sumbu y negatif dari titik pada sampel yang berada tepat di atas titik pusat target. Struktur mikro menunjukkan preferred orientation pada (400). Ukuran batas butir lebih mempengaruhi resistivitas. Umumnya grain yang besar akan memiliki nilai resistivitas yang kecil. ......In2O3 :Sn (ITO) thin film has been using DC Magnetron Sputtering method on soda-lime substrate which is easy to get and the price is cheap. The result show the inhomogeniety of resistivity value on the surface of thin fim. The minimum resistivity is 1.6 x 10 -4Ω cm. This value is generally obtained at the point of which is 40 mm to the left, 27 mm down of a point at the sample which is exactly on top of the target center point. The microstructure shows preferred orientation at (400), but resistivity is not depend on this. This value is determined more of the size of grain boundary. Generally, a bigger grain will result in a smaller value of resistivity. It is hypothesized that the conductivity process is caused by donors which are localized at grain boundaries. This hypothesis explained which shows the amount of grain is increase, resistivity will decrease.

Abstrak :
The thin film of Indium Tin Oxide (ITO) whose the final thickness between 502 nm - 850 nm, various oxygen partial pressure between 0 - 32 mPa and the deposition rate 1,2 nm/s, 2,2 nm/s and 3,5 nm/s have already made by DC magnetron sputtering method. Having studied about the influence of oxygen partial pressure and deposition rate to electrical property of ITO : resistivity, conductivity, carrier charge concentration, mobility; temperature coefficient and activation energy. Resistivity, conductivity, mobility and carrier charge concentration at room temperature are determined by using Van der Pauw method, and resistivity vs temperature between 12 K -. 300 K to find coefficient temperature and activation energy is used four point probe method. In this thesis , we got resistivity value is in range 3,2 x 10-4 Ω cm - 25,4x 10'Ω cm at room temperature 300 K. Conductivity is in range 294 Ω -' cm-' - 3125 Ω -1 cm-1. Carrier charge concentration is in range 1,30x1020 cm-3 - 3,56 x 1420 cm3. Mobility is in range 19,0 cm2/Vs - 55,2 cm 2/Vs. Temperature coefficient at 150 K - 250 K, where resistivity vs temperature is linier, is in range 1,23 x 10-4 K-1 - 8,68 x 10-4 K-1. and activation energy is in range 1,73x104 eV - 43,2 x10-6 eV. The influence of oxygen partial pressure to electrical properties of ITO is, the bigger oxygen partial pressure, the bigger resistivity, and the smaller carrier charge concentration, mobility and temperature coefficient. The various the deposition rate shows that the faster deposition rate , the bigger resistivity and the smaller conductivity, mobility and carrier charge concentration. Carrier charge concentration is caused by oxygen vacancies and Sn substitution to In. The decreasing of carrier charge concentration as the increasing oxygen partial pressure connect with Sn oxide which made this cause the increasing of scattering.

---

Lapisan tipis Indium Tin Oksida (ITO) dengan ketebalan 502 - 850 nm dengan beberapa variasi tekanan parsial oksigen antara 0 sampai 32 mPa dan variasi laju deposisi 1,2 nmis, 2,2 nm/s dan 3,5 nm/s telah berhasil dibuat dengan proses dc magnetron sputtering. Dilakukan studi pengaruh tekanan parsial oksigen dan laju deposisi terhadap sifat listrik yang meliputi : resistivitas, konduktivitas, konsentrasi pembawa muatan, mobilitas, koefisien temperatur dan energi aktivasi pada lapisan tipis ITO. Resistivitas, konduktivitas, mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan pada temperatur ruang 300 K diukur dengan metoda Van der Pauw. Sedang pengukuran resistivitas vs temperatur antara 12 K sampai 300 K untuk mendapatkan koefisien temperatur dan energi aktivasi dilakukan dengan menggunakan metoda empat titik. Hasil pengukuran resistivitas berkisar antara 3,2 x 10 Ω cm sampai 25,4x 104 Ω cm pada temperatur ruang 300 K. Konduktivitas didapat dengan rnenginversikan resistivitas didapat 294 Ω-1 cm-1 sampai 3125 Ω-1 cm-1 . Konsentrasi pembawa muatan pada temperatur ruang berkisar antara 1,30 x 1020 cm-3 sampai 3,56 x 1020 cm-3. Mobilitas pada temperatur ruang berkisar antara 19,0 cm 2/Vs sampai 55,2 cm2/Vs. Koefisien temperatur yang dihitung pada temperatur 150 K sampai 250 K yakni daerah dimana resistivitas vs temperatur merupakan fungsi linear didapat antara 1,23 x 10-4K-1 sampai 8,68 x 10-4 K-1. Energi aktivasi didapat antara 1,73x10-6 eV sampai 43,2 x10-6 eV. Pengaruh tekanan parsial oksigen terhadap sifat listrik lapisan tipis ITO adalah semakin besar tekanan parsial oksigen cenderung akan semakin besar resistivitasnya, sedangkan konsentrasi pembawa muatan, mobilitas dan koefisien temperatur semakin kecil. Variasi laju deposisi memberikan bahwa semakin besar laju deposisi cenderung semakin besar resistivitasnya, sedangkan konduktivitas, mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan cenderung semakin kecil. Konsentrasi pembawa muatan disebabkan terutama oleh vakansi oksigen dan substitusi Sn terhadap In. Menurunnya konsentrasi pembawa muatan dengan naiknya tekanan parsial oksigen berhubungan dengan berkurangnya vakansi oksigen dengan pemberian oksigen dari luar. Mobilitas menurun dengan kenaikan oksigen berhubungan dengan terbentuknya oksida Sn yang menambah efek hamburan.

Abstrak :
Lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi telah dibuat dengan metode depasisi DCRMS (dc magnetron sputtering). Spektrum inframerah lapisan tipis amorf silikon karbon yang dihasilkan pada penelitian ini memiliki tiga daerah absorpsi yang terletak di sekitar 600-900 cm2, 1900-2200 cm2 dan 2800-3000 cm2. Mode-mode vibrasi struktur ikatan yang terdapat pada lapisan tipis meliputi mode vibrasi wagging Si-H di sekitar 640 cm-1; doublet mode vibrasi bending Si-H2 di sekitar 850 dan 890 cm-1; doublet mode vibrasi stretching Si-H di sekitar 2000 dan 2100 cm'1; mode vibrasi stretching Si-C di sekitar 720 dan 780 cm-1; mode vibrasi stretching C-H di sekitar 2800 cm-1. Peningkatan flowrate gas metan menggeser posisi mode-mode vibrasi ke bilangan gelombang yang lebih tinggi dan meningkatkan integral absorpsi dari mode-mode vibrasi tersebut. Pengaruh peningkatan flowrate gas metan terhadap mode vibrasi di sekitar 2000 dan 2100 cm./ menyebabkan terjadinya transisi dari 2000 ke 2100 cm-1 yang disebabkan oleh peningkatan hidrogen bukan karena peningkatan konsentrasi karbon. Hasil evolusi dan implantasi hidrogen menunjukkan kehadiran void di dalam lapisan tipis. Kuat absorpsi mode vibrasi stretching dan wagging Si-H tidak bergantung pada flowrate gas metan. Harga kuat absorpsi mode vibrasi stretching Si-H di sekitar 2000 dan 2100 cm.' tidak jauh berbeda. Mode vibrasi di sekitar 720 dan 780 cm'1 diperkirakan merupakan hasil kopling mode vibrasi wagging Si-H dan mode vibrasi stretching Si-C. Mode vibrasi di sekitar 720 cm-1 merupakan mode vibrasi stretching Si-C yang melibatkan hidrogen sedangkan mode vibrasi di sekitar 780 cm"' tanpa hidrogen. Kedua mode vibrasi ini mewakili mode vibrasi stretching Si-C bukan hanya salah satu dari keduanya. Struktur ikatan silikon dengan karbon dominan berada dalam gugus H-Si-C pada flowrate gas metan rendah. Atom hidrogen pada lapisan tipis hanya berikatan dengan satu atom karbon saja. Atom hidrogen cenderung berikatan dengan atom silikon dibandingkan dengan atom karbon. Selain peningkatan konsentrasi karbon, peningkatan hidrogen juga berpengaruh terhadap berkurangnya indeks bias rill dan peningkatan gap optis. Struktur ikatan hidrogen yang berpengaruh terhadap berkurangnya indeks bias dan bertambahnya gap optis adalah struktur ikatan hidrogen di void.

---

Infrared Spectroscopy and Optical Properties of Amorphous Silicon Carbon Films (a-Six_x C1:H) Produced by DC Magnetron Sputtering MethodsHydrogenated Amorphous Silicon Carbon films were prepared by dc reactive magnetron sputtering (DCRMS) methods. The infrared spectra have three absorption regions at 600-900 cm 1, 1900-2200 cm-1 and 2800-3000 cm-1. These three features shift to higher wavenumber for the methane flowrate increased. The absorption band near 640 cm-1 is assigned to the wagging band of Si-H SiH2 bonds have a bending outlet at 850 and 890 cm-1, the stretching doublet modes of Si-H are around 2000 and 2100 cm-1, the stretching modes of Si-C are near 720 and 780 cm -l and the absorption around 2800 cm-1 is attributed to the C-H stretching mode. The integrated absorption of these modes increases with the methane flowrate. The transition from 2000 to 2100 cm 1 is due to an increasing hydrogen content not carbon concentration. The hydrogen evolution and implantation support the void formation on films. The absorption strength of Si-H stretching and wagging absorption is found to be independent of the methane flowrate. The two Si-H stretching modes around 2000 and 2100 cm'1 have almost the same absorption strength values. The vibrational modes near 720 and 780 cm -1 are presumably as the result of coupling of the Si-C stretching mode with the Si-H wagging mode. The 720 and 780 cm'1 absorption presumably related to H-Si-C groups and unhydrogenated Si-C, respectively. Both 720 and 780 cm-1 absorptions is related to Si-C vibrations. Al low methane flowrate, silicon-carbon bonding structure predominantly in H-Si-C groups. Hydrogen atom is predominantly bound to silicon not to carbon. Roughly one hydrogen atom is incorporated for one carbon atom. The decreasing of the real refractive index and the increasing of the optical gap are not due to carbon concentration alone but also hydrogen concentration. The Si-H bonds covering the inner surfaces of voids have a contribution to decreasing the real refractive index and increasing the optical gap.

Abstrak :
Telah dibuat lapisan tipis Indium Tin Oxide (In2O3 : SnO2 ; ITO) pada substrat kaca dengan cara dc magnetron sputtering. Perbandingan gas Argon dan oksigen dalam sputter divariasikan dari 3.1%, 5.1%, 8.0% dan 8.9%. Sampel yang dibuat digunakan untuk mempelajari pengaruh tekanan parsial oksigen terhadap sifat listrik lapisan tipis Indium Tin Oxide, pengukuran resistivitas listrik lapisan tipis dilakukan di luar vakum dengan metode four point probe untuk rentang temperatur 11°K sampai 300°K, sedangkan penentuan jumlah pembawa muatan dilakukan dengan metode efek Hall pada lapisan tipis. Energi aktivasi sebagai fungsi temperatur pada lapisan tipis ITO yang diperoleh pada penelitian ini berkisar antara 9.6 x 10.3 eV sampai 1.5 x 10-5 eV. Jika tekanan partial oksigen makin besar maka resistivitas listrik lapiasa tipis ITO makin besar sedangkan jumlah pembawa muatannya makin kecil.

Abstrak :
Lapisan indium timah oksida (ITO, 90wt% In203 - lOwt% SnO2) dengan ketebalan 349 - 1081 nm dan variasi tekanan parsial oksigen 2,2% - 10,5% selama deposisi telah berhasil dibuat dengan do magnetron sputering. Dilakukan studi mengenai pengaruh tekanan parsial oksigen dan anil udara pasca deposisi pada sifat optis lapisan tipis ITO. Tekanan parsial oksigen tidak berpengaruh pada derajat kristalinitas dan preferred orientation lapisan tipis. Parameter-parameter optis ditentukan dengan metoda Hishikawa yang mengabaikan interferensi. Anil udara pasca deposisi dilakukan berturut-turut pada suhu 250°C, 300°C, 350°C dan 400°C selama 1 jam di udara. Meskipun kekasaran permukaan meningkat selama anil, baik kenaikan tekanan parsial oksigen maupun anil udara pasca deposisi secara kumulatif umumnya menaikkan transmitansi dan celah pita energi disertai dengan penurunan indeks bias nyata dan pergeseran koefisien absorpsi menuju energi yang lebih tinggi. Pergeseran celah pita energi ITO hanya dapat dimengerti sebagai dua mekanisme yang saling berlawanan yaitu mekanisme pelebaran oleh efek Burstein-Moss dan mekanisme penyempitan oleh efek hamburan elektron. Atom-atom Sn yang mengalami aktivasi setelah anil udara berlaku sebagai donor-donor aktif pada pergeseran Burstein-Moss. Efek hamburan elektron disebabkan oleh kelebihan oksigen, derajat kristalinitas yang rendah dan kompleks-kompleks Sn yang tidak aktif.

---

Indium tin oxide (ITO, 90wt% In203 - 10wt% Sn02) films of 349 - 1081 nm thick have been deposited by dc-magnetron sputtering at varying oxygen partial pressure of 2.2% - 10.5% during deposition. The effects of oxygen partial pressure and post-deposition air annealing on the optical properties of ITO films are studied. The degree of crystallinity and preferred orientation of the films is found not to be sensitive to oxygen content. Optical parameters are determined by Hishikawa interference free method. Post-deposition annealing of ITO-coated glass substrates is performed at temperature of 250°C, 300°C, 350°C and 400°C respectively for 1 h in air. Despite the roughness developed on surface during annealing, both increase in oxygen partial pressure and cumulative post-deposition air annealing enhances transmittance and energy gap accompanied by a decrease of the real part of refractive index and a shift of absorption coefficient to higher energies. Band gap shifts can be understood as the net result of two competing mechanisms : a widening due to Burstein-Moss effect and a narrowing due to electron scattering. Sn atoms, which are activated after annealing, behave as effective donors and contribute to Burstein-Moss shift. Electron scattering is attributed to excess of oxygen content, low degree of crystallinity and inactive Sn complexes.