Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
ABSTRACT
One of the simple models to address quantum many body effects in materials with impurities is Anderson Impurity Model. It describes a system consisting of non interacting conduction electrons having hybridization with a localized orbital with strong electron electron interaction at a particular site. This model has been proven successful to explain the phenomenon of metal insulator transition through Anderson localization. Despite the well understood behaviors of the model, little has been explored theoretically on how the model properties gradually evolve as functions of hybridization parameter, impurity concentration, and temperature. Here, we propose to do a theoretical study on those aspects of a single impurity Anderson model using the distributional exact diagonalization method. We solve the model Hamiltonian by randomly generating sampling distribution of a few energy levels of conduction electrons with various number of occupying electrons, starting from zero to the maximum number allowed by the available single orbital states. The resulting energy eigenvalues and eigenstates are then used to define the local single particle Green function for each sampled electron energy distribution using Lehmann representation. Later, we extract the corresponding self energy of each distribution, then average over all the distributions to obtain the final self energy of the system and construct the local Green function of the system to calculate the density of states. We repeat this procedure for various values of hybridization parameters, impurity concentrations, and temperatures. We discuss our results in connection with the criteria of the occurrence of metal insulator transition in this system.

---

ABSTRACT
Salah satu model sederhana yang menunjukkan efek kuantum sistem banyak partikel pada material yang memiliki impuritas adalah Anderson Impurity Model. Model tersebut mendeskripsikan sebuah sistem yang memiliki elektron konduksi yang tidak saling berinteraksi namun mengalami hibridisasi dengan orbital yang terlokalisasi, dimana terjadi interaksi yang cukup kuat antar elektron pada orbital tersebut. Model ini terbukti berhasil menjelaskan fenomena metal-insulator transition melalui Anderson localization. Meskipun secara umum model ini telah dipahami, masih sedikit penjelasan teoretis terkait bagaimana model impuritas ini bergantung terhadap parameter hibridisasi, konsentrasi impuritas, dan suhu. Pada penelitian ini, kami mengusulkan studi teoretik mengenai pengaruh aspek-aspek tersebut terhadap single impurity Anderson model dengan menggunakan metode distributional exact diagonalization. Kami mengkontruksi Hamiltonian model ini dengan distribusi energi elektron konduksi yang acak dengan berbagai variasi jumlah elektron yang mengisi orbital sistem, berawal dari kondisi orbital kosong tidak terisi elektron sama sekali sampai jumlah maksimum yang diperbolehkan. Eigenvalue dan eigenvector yang dihasilkan dari setiap sampling digunakan untuk mendefinisikan fungsi Green orbital impuritas melalui Lehmann representation. Kemudian kami mengekstrak self-energy untuk setiap distribusi dan merata-ratakannya. Self-energy rata-rata yang diperoleh inilah yang diperlukan untuk mengkonstruksi fungsi Green total bagi elektron konduksi maupun elektron impuritas, dimana masing-masing fungsi Green tersebut digunakan untuk menghitung densitas keadaan. Kami mengulangi prosedur ini untuk berbagai variasi nilai parameter hibridisasi, konsentrasi impuritas, dan suhu. Diskusi terkait hasil penelitian yang diperoleh mengacu pada kriteria terjadinya fenomena metal-insulator transition pada sistem ini.

Abstrak :
ABSTRACT
The complex and fascinating properties of a material often arises due to interactions among electrons as well as between electrons and other constituents of the material. A common model to describe the strongly correlated electronic system with strong on site Coulomb interaction is Hubbard model. It is usually aimed to theoretically address physical properties resulting from the strong correlations in the system. As Hubbard model generally cannot be solved exactly, one very powerful approximation method having been widely used over the last few decades is Dynamical Mean Field Theory DMFT . The theory maps the original lattice problem into an effective single impurity problem embedded in a self consistent bath. Apart from the many variants of the implementation of the method, it relies on using an impurity solver as part of its algorithm. In this work, rather than solving a Hubbard model, we aim to explore the impurity solver itself for solving a problem of metallic host doped with correlated elements which is described with Anderson Impurity Model AIM . In particular, we use the stochastic distributional exact diagonalization method. Here we try to understand more about how the metal insulator transition MIT in the system occurs, and how the MIT phenomenon reflects in its optical conductivity for various physical parameters.

---

ABSTRAK
Properti dari sebuah material yang begitu kompleks sering muncul karena interaksi antar elektron atau juga antara elektron dengan komponen pengganti lain dari material. Suatu model umum untuk menjelaskan sistem elektronik terkorelasi kuat dengan interaksi Coulomb dalam situs elektron yang kuat adalah model Hubbard. Model ini biasanya ditujukan untuk secara teori menunjukkan properti fisis yang dihasilkan dari korelasi kuat di dalam sistem. Karena model Hubbard secara umum tak dapat diselesaikan secara eksak, ada satu metode pendekatan yang sangat baik yang dipakai beberapa dekade belakangan yaitu Dynamical Mean-Field Theory DMFT . Teori ini memetakan problem kisi asli menjadi problem impuritas tunggal efektif yang tertanam dalam suatu bath yang konsisten pada dirinya sendiri. Terlepas dari adanya berbagai varian dari implementasinya, metode ini bergantung pada penggunaan impurity solver sebagai bagian dari algoritmanya. Pada penelitian ini kami tidak bertujuan menyelesaikan model Hubbard. Yang kami ingin capai dalam penelitian ini adalah mengeksplorasi impurity solver itu sendiri untuk menyelesaikan problem dari suatu host metallic yang di-doped dengan elemen-elemen terkorelasi yang dideskripsikan dengan Anderson Impurity Model AIM . Secara khusus, kami menggunakan metode stochastic distributional exact diagonallization. Di sini kami mencoba untuk memahami lebih lanjut bagaimana metal-insulator transition MIT terjadi di dalam sistem, dan bagaimana fenomena MIT tercermin dalam konduktivitas optisnya untuk berbagai macam parameter fisis.