Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Film tipis PbSe dengan tebal 8500 A. dibuat dengan metode evaporasi termal pada tekanan < 10-5 mbar. Dari hasil Difraksi Sinar-X ternyata film menunjukkan karakteristik film tipis polikristalin dengan prefered orientation pada arah <200> yang mengindikasikan Struktur Kolumnar. Pada arah tumbuh yang disukai tidak diamati perubahan ukuran butir dan kerapatan film sebagai akibat proses anil selama 45 dan 90 menit, tapi secara umum diamati penurunan FWHM pada kondisi dianil 90 menit. Pengukuran konduktivitas listrik dilakukan dengan menggunakan metode Four Point Probe pada temperatur 11-300 K. Ketergantungan konduktivitas listrik terhadap temperatur memperlihatkan karakteristik Semikonduktor Ekstrinsik yang jelas dengan besar Pita Larangan masih ada pada harga yang diberikan oleh literatur. Juga terlihat harga konduktivitas semakin tinggi sebagai akibat proses anil yang diyakini disebabkan oleh perubahan mobilitas pada bidang-bidang lain sebagai akibat hilangnya fasa-fasa amorf yang biasanya mengelilingi butir.

Abstrak :
Salah satu usaha untuk meningkatkan kapasitas transmisi dan/atau memperpanjang jarak transmisi pada komunikasi serat optik, yaitu dengan dikembangkannya diode laser yang dapat diatur panjang gelombangnya (tunable laser diode). Diode laser ini dapat dibuat dengan 2 cara, yaitu memfabrikasi langsung laser mode tunggal (single mode laser) atau laser mode jamak (multimode laser) yang digandeng dengan external tuning. Pada Tesis ini dilakukan uji coba dan analisa suatu sistem penalaan (tuning), sehingga cahaya laser menghasilkan panjang gelombang dengan lebar spektral yang sempit. Sistem ini menggunakan laser semikondulctor GaAs sebagai diode laser mode jamak yang mempunyai rentang panjang gelombang 640,7 nm and 722,08 nm dan daya maksimum 4 mW. Disamping itu sebagai external tuning digunakan kisi yang mempunyai jarak antara celala (d) = 327,762 µm ± 55,84 p.m , sedangkan antara diode laser dengan kisi, digunakan lensa sebagai kolimator. Dari hasil uji coba dan analisa menunjukkan bahwa panjang gelombang yang akan ditransmisikan dapat dipilih dengan merubah sudut kisi terhadap sumbu optic. Perubahan sudut kisi dapat dilakukan antara 0° sampai 60°, sedangkan panjang gelombangnya antara 675,86 nm dan 682,43 nm dengan lebar spektral antara 29.65 nm dan 113.10 nm.

---

One way to increase transmission capacity and/or to extend transmission distance in optical fiber communication is by providing tunable laser diode. There are two ways in making each laser diode, namely, fabricating directly single mode laser or using multimode laser coupled with external tuning. In this thesis a tuning system will be measured and analysed, so that laser light produces the wavelength with narrow spectral width. This system uses GaAs laser semiconductor as multimode laser diode that has wavelength range 640.7 nm and 722.08 rim and maximum power of 4 mW. Besides grating with period of grating 327,762 p.m ± 55,84 p.m is used as external tuning, while between laser diode and grating, a lens is used as collimator. The measurement and analysis shows that the wavelength that will be transmitted can be selected by changing grating angle to optical axis. The variation of grating angle is between 0° and 60°, whereas the wavelength is between 675.53 nm and 682.43 nm with spectral width between 29.65 nm and 113.10 nm.

Abstrak :
Penelitian pada tesis ini di bidang divais fotonik diutamakan pada pabrikasi dan karakterisasi dari bahan dasar GaInAsP/InP untuk penguat optik dengan panjang gelombang 1,55 µm, yang tidak lain adalah sama dengan bahan dasar untuk laser semikonduktor.

Pada rancang bangun penguat optik dibuat struktur lapisan yang menghasilkan moda tunggal yang terdiri dan 4 buah lapisan GaInAsP, masing-masing 2 lapisan pandu gelombang dengan panjang gelombang 1,17 pm, lapisan aktif dengan 1,55 pm, dan lapisan anti cair ulang (ACU) dengan 1,3 gm. Untuk penumbuhan dipilih lapisan pandu gelombang dengan ketebalan 0,25 gm, lapisan aktif 0,19 pm dan lapisan ACU 0,19 gm. Di tumbuhankan dengan menggunakan LPE (Liquid Phase Epitaxy) yaitu penumbuhan yang dilakukan pada saat kristal dalam keadaan fasa cair dengan teknik penumbuhan Two-Phase Solution. Bahan InP, GaAs, InAs sebagai bahan sumber ditumbuhkan diatas substrat InP, membentuk struktur lapisan DH (Double Heterostructure) instrinsik tujuh lapisan dan melalui proses lanjutan dapat dibuat menjadi penguat optik atau diode laser sernikonduktor GaInAsP/InP 1,55 µm.

Struktur dasar GaInAsP/InP untuk penguat optik dibuat dengan proses penumbuhan, yang dimulai dengan menyentuhkan larutan kristal Indium pada sampel substrat, kemudian dilakukan penumbuhan lapian dengan menyentuhkan larutan kristal secara berurutan diatas sampel substrat. Proses penumbuhan dilakukan tiga tahapan, yaitu : tahapan pendahuluan, tahapan pembentukan pandu gelombang dan tahapan pembentukan struktur DH (Double Heterostucture). Ketebalan lapisan dapat diatur dengan memvariasi suhu peleburan dan waktu penumbuhan. Karakterisasi ketebalan lapisan dilakukan dengan menggunakan SEM, dan Pengukuran panjang gelombang dilakukan dengan photoluminescence, dengan cara menembakkan laser pada pennukaan sampel. Emisi pandu gelombang diterima, direkam menggunakan optical spectrum analyzer (OSA). ...... This research is focused on photonic devices particularly on fabrication and characteristic of 1.55 gm GaInAsP/InP semiconductor laser materials for an optical amplifier.

The Optical amplifier was designed for a single-mode laser. This layers contains of four layers where two of them ar ,used as 1,17 p.m wave guide and the other are applied as a 1,55 µm active layer and a 1,3 gm anti melt back (AMB) layer. The layers were growth by designing 0.25 gm wave guiding layer thickness, 0,19 gm active layer thickness, and 0.19 gm AMB layer thickness. The layers was grow by LPE (Liquid Phase Epitaxy) with The Two Phase Solution growing technique. Source material InP, GaAs, InAs was grown on InP substrate, form seven layers of intrinsic DH and then via further process, these layers structure ca be made as an optical amplifier or a semiconductor laser diode of 1.55 gm GaInAsPfInP .

The basic structure was made by touching an indium crystal on a sample substrate. Then , some layers were growth by touching other crystal solution consecutively on the sample substrate. The growth process was three step of growth i.e: in the first place of growth, growth of wave guide and growth of DH. The thickness of any layers was arranged by varying the melting temperature and the growth time. The thickness characterization of the layer was carried out by SEM and the wave length measurement was executed by shooting a laser on the sample surface. The emission of the wave guides was received and recorded by an optical spectrum analyzer.

Abstrak :
Sampel La0,67Sr0,33Mn1-xFexO3 dengan x = 0 ; 0.05 ; 0.10 ; 0.15 dan 0.50 dari bahan dasar La2O3, SrCO2, MnCO3, dan Fe2O3 disentesis dengan menggunakan metode mechanical alloying. Keempat bahan dasar tersebut dicampur dengan menggunakan Planetary Ball Milling selama 15 jam, dikompaksi, kalsinasi pada suhu 800°C selama 8 jam dan disintering pada suhu 1200°C selama 12 jam. Identifikasi fasa dilakukan dengan menggunakan difraksi sinar X dan refinement GSAS dan diperoleh sampel La0,67Sr0,33Mn1-xFexO3 single phase untuk semua komposisi x, yang memiliki struktur kristal Rhombohedral. Pengukuran terhadap nilai konduktivitas dan magnetoresistansi (MR) sampel diukur menggunakan Four Point Probe (FPP), sedangkan nilai magnetisasinya diukur menggunakan permagraph. Berdasarkan hasil pengukuran tersebut disimpulkan bahwa semakin besar doping Fe yang diberikan pada sampel La0,67Sr0,33Mn1-xFexO3 membuat nilai magnetisasi dan konduktivitas sampel semakin menurun. Nilai negatif magnetoresistansi sampel pada umumnya mengalami penurunan. Untuk x = 0.05 nilai negatif magnetoresistansi sampel paling besar yaitu 3,65%, tetapi untuk x = 0.5 bersifat positif magnetoresistansi. Penurunan nilai magnetisasi dan konduktivitas sampel terjadi karena adanya kompetisi interaksi Double Exchange (DE) dan superexchange yang terjadi pada sistem. Interaksi Double Exchange (DE) terjadi antara ion Mn3+-O-Mn4+, sedangkan interaksi superexchange muncul karena interaksi antara ion Fe3+-O-Fe3+ akibat adanya doping Fe pada site Mn di sistem sampel La0,67Sr0,33Mn1-xFexO3. ......La0,67Sr0,33Mn1-xFexO3 sample with concentration x = 0 ; 0.05 ; 0.10 ; 0.15 ; and 0,5 of La2O3, SrCO2, MnCO3, and Fe2O3 are synthesized using mechanical alloying. The fourth of basic matter are mixed with using Planetary Ball Milling during 15 hours, compacted, calcinations on 8000C during 8 hours and sinter at 1200°C during 12 hours. Phase identification is carried out using X ray diffraction and GSAS refinement, getting La0,67Sr0,33Mn1-xFexO3 which single phase for all x composition, that have Rhombohedral crystal structure. Conductivity and magnetoresistance (MR) are measured using Four Point Probe (FPP), while magnetization is measured using permagraph. From the measurement we get that the bigger Fe doping the more magnetization and conductivity is decreases. For negative magnetoresistance generally is decreases, the biggest negative magnetoresistance is 3,65% for x = 0.05, but for x = 0.5 has positive magnetoresistance. The decreases of magnetization and conductivity due to there were competition between Double Exchange (DE) and Superexchange in the system. Double Exchange (DE) interaction happened between Mn3+-O-Mn4+ ion, while Superexchange a rises because of interaction between Fe3+-O-Fe3+ ion due to Fe doping on Mn site in the La0,67Sr0,33Mn1-xFexO3.

Abstrak :
Pada pembuatan transistor di industri semikonduktor sering terjadi gagal produksi dalam penyambungan benang emas dari chip ke lead frame (proses bonding), yaitu benang emas tersebut tidak menempel ataupun kekuatan tariknya rendah. Tujuan dalam penelilian ini adalah meningkatkan kualitas dad penyambungan benang emas tersebut, dimana pada akhimya akan memperkecil terjadinya gagal produksi. Hal yang dilakukan adalah menghitung dan mencari waktu perpindahan kalor dan waktu bonding yang sesuai dan tepat. Dari penelitian yang dilakukan maka diperoleh waktu bonding yang tepat yaitu pada jarak bonding 600 pm dan kecepatan bonding 10 mm/detik, dan diharapkan kualitas penyambungan benang emas pada produk transistor menjadi lebih baik.

Abstrak :
Pada masa kini, sangat diharapkan adanya material semikonduktor yang mampu merealisasikan kebutuhan akan divais dioda laser yang dapat dioperasikan pada spektrum gelombang pendek (short-wavelength), serta aplikasi suhu dan daya tinggi. Semikonduktor-semikonduktor group III-Nitride seperti Aluminium Nitride (AIN), Galium Nitride (GaN), dan Indium Nitride (lnN) merupakan material- material yang cocok (tahan) dioperasikan pada suhu dan daya yang tinggi karena rnemiliki energi gap yang besar (wide direct band-gap semiconductor device). Dioda laser semikonduktor sebagai sumber cahaya koheren penting sekali untuk teknologi menulis dan membaca dengan kerapatan optik yang tinggi. Kebutuhan ini bisa dipenuhi dengan menggunakan divais multiquantum well (MQW) dioda laser yang berbasis pada paduan ternary group III-Nitride, InGaN/GaN/AlGaN.

Pada Skripsi ini telah dilakukan perhitungan dan analisa struktur divais optimum Multi Quantum Well Diodal Laser InGaN/GaN/AlGaN pada λ =420 nm tanpa memperhitungkan piezoresistive (strain) eject, lateral current spreading, defect recombination, dan heavy doping dan diperoleh besar efisiensi kuantum ekstemal, ηext = 19, 2152 %, threshold current density, Jth =1,9 kA/cm2, dan daya keluaran, Pout = 56,7291 W.

Abstrak :
ABSTRAK
Pada Skripsi ini akan dibahas analisa disain divais menggunakan laser dioda dan Heterojunction Phototransistor yang berfungsi sebagai Light to Light Transducer. Latar belakang teori dan prinsip kerja dari laser Diode dan Heterojunction Phototransistor serta disain transduser juga akan dibahas pada Skripsi ini.

Transduser melakukan pendeteksian cahaya, mengubah besaran optis ke dalam besaran listrik, diperkuat dan oleh Laser Dioda dipancarkan lagi sebagai besaran optis yang juga telah diperkuat, koheren dan monokromatis. Transduser ini dapat didisain dengan integrasi langsung secara vertikal dan Laser Diode dengan Phototransistor berbahan GaAs dengan dimensi 210 x 290 m2 dan penguatan maksimal 250 kali. Perhitungan dan analisa dilakukan pada daerah operasi panjang Gelombang 0.8-1.3 μm dan daya input 0-100 μW.

Model preliminary Rangkaian yang dianggap dapat mewakili karakteristik struktur divais yang dirancang juga dibahas untuk mempermudah menganalisa dan memperhitungkan karakteristik divais.

---

Abstrak :
Dalani suatu industri scmikonduktor, Clean Room memiliki pcranan yang sangat penting. Tingkat kebersihan udara yang dihasilkan dill am ruangan produksitersebut mempengaruhi terlmdap keberhasilan produk scmikonduktor tersebut. Udara yang tcrkontmninasi oleh pmtikel-partikcl dan deb1.1 mengbasilkan produk yang gagal, sebaliknya 1.1dara yang bersih ukan menjadi salah satu faktor yang menjamin tingkat kcberhasitan produk tersebut. Ada beberapa hal yang haru!: dlkontrol di dalam sumu Clean Room Class 10.000, di antaranya : 1. Jumlah partikel di dalam Clean Room yang diperbolehkan tidak lebih dari t 0.000 partikel per fr'. 2. Temperatur udam di dahm1 ruangan dikondisikan pada suhu (23 ± 2)uC. 3. Kelcmbabanl'datif(Rf-l) rmmgan dikondisikan pad:.. (55± 5){)/o. Untuk dapat mcn,iaga agar jmnlah partikel udara yang disuplai ke dalam ruangan yang digunakan untuk proses produksi. maku pcnggunaan HEPA (High Efliu.:iency Particulate 11ir) filtcl' sung_at dibutuhkan. Sedangkan untuk dapat menjaga kondisi udara di dalam ruangan produksi terseblll pada kondisi temperamr (23 ± 1)"C dan kclcmbabnn (55 ± 5)'Ye, maka...