Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Pada penetitian ini dilakukan simulasi kurva C-V akibat efek deplesi polisilikon yang dipengaruhi oleh bentuk geometri gale dan dopant profile pada pMOS yang diperkecil. Dopant profile yang tidak seragam baik secara vertikal rnaupun lateral konsentrasi doping polisilikon (10 111 - 1020)/cm3 menimbulkan drop tegangan yang memiliki kapasitansi 0,4 sampai 4,2 )JF/cm 2 Saat panjang dan lebar gate diperkecil menyebabkan bertambabnya daerah deplesi yang menyebabkan drop tegangan. Akibat adanya daerah deplesi pada gate tersebut menimbulkan kapasitansi baru yang terhubung seri dengan kapasitansi aksida dan deplesi semikonduktor. Dari hasil simulasi yang diiakukan kurva C- V dengan beberapa variasi doping dengan menggunakan perangkat lunak MATLAB 6.1.0, memperlihatkan bahwa nilai kapasitansi total pada MOS terdegradasi akibat timbulnya kapasitansi tarnbahan (Cp) pada gate sccara seri. Timbulnya kapasitansi tambahan (Cp) pada gate secara seri menghasilkan nilai degradasi kapasitansi total pada MOS sebesar 11,83% pada Vg = Vth = 0,6964 Volt dibandingkan dengan kapasitansi total dengan tanpa memperhitungkan efek polideplesi daerah inversi.

Abstrak :
Pada skripsi ini dianalisa unjuk kerja teknik coherent general selection combining pada kanal Nakagami dengan jumlah cabang 5 dan jumlah cabang yang dikombinasikan bervariasi kemudian dibandingkan dengan teknik dlversitas SC dan MRC. Persamaan-persamaan parameter outage probability dan BER (bil-en-or rate) rata-rata diturunkan dengan menggunakan moment generating function (MGF). Unjuk kerja sistem GSC ditinjau pada (demodulasi) yang berbeda-beda. Deteksi yang digunakan adalah deteksi koheren yang diwakili oleh BPSK dan BFSK dan deteksi non-koheren yang diwakili oleh DPSK dan NCFSK . Dari hasil yang diperoleh terlihat bahwa makin banyak jumlah cabang yang dikombinasikan pada GSC maka unjuk kerja sistem semakin baik. Unjuk kerja Coherent GSC lebih mendekati MRC-5 dari pada SC-5.