Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Correlation between silicon content and in-steam corrosion rate of Zr 1.5WT%-Si Ingot. Silicon is normally added in a small amount to a Zr - alloy to improve its corrosion resistance without having to sacrifice its neutronic property. An excessive amount of silicon addition is known to have caused faster corrosion rate. The objective of this research was to observe the effect of silicon content on the corrosion rate of Zr - 1.5wt%Nb-Si ingot. The ingot speciments had various silicon contents of 0.1 wt%, 0,2 wt% and 0.25wt%. All them were annealed at 400 oc, 600 oC and 800 oC for four and six hours. The corrosion test was conducted in an autoclove at 8 bars and 350 oC for 8, 15 and 24 hours...

Abstrak :
ABSTRAK Untuk mengurangi cacat pada kristal tunggal silicon dengan orientasi (100) yang telah ditumbuhkan dengan Metode Czochralski, telah dilakukan penganilan terhadap wafer-wafer kristal dengan variasi temperatur 1000, 1100 dan 1200 °C, serta waktu anil 6, 12 dan 24 jam. Metode yang digunakan dalam pengamatan cacat kristai adalah Metode Permukaan (etch pits) dengan luas efektif setiap titik pengamatan sebesar 0,11 mm2. Hasil pengamalan memperlihatkan terjadinya fluktuasi kuantitas cacat kristal dari ujung seed sampai ujung ingot: sampel tanpa proses anil mempunyai cacat yang berfluktuasi antara 4758 sampai 11495/cm2, sedangkan sampel yang dianil mempunyai cacat antara 1541 sampai 5388/cm2.

---

ABSTRACT In reducing the crystal defects at single crystal silicon with the orientation (100) which has been grown using Czochralski Method, the annealing process of crystal wafers have been done with temperature variation of 1000, 1100 and 1200 °C and also annealing time 6, 12 and 24 hours. Etch pits method has been used to obtain the crystal defects using an effective observation area of 0.11 mm2. The result shows that the defects fluctuation occur accross the length of the sample, from the seed-end toward the bottom-end, also the samples that were not annealed having the variation of crystal defects between 4758 to 114951cm2, while the samples that were annealed showing the defects variation between 1541 to 5388/cm2.

Abstrak :
Penelitian ini bertujuan untuk mengkaji efisiensi ekstraksi silika dari abu terbang (fly ash) PLTU menggunakan metode Sequential Acid-Alkaline Leaching (SAAL). Metode ini terdiri dari tiga tahapan utama: pelindian asam dengan HCl, pelindian basa dengan NaOH, dan presipitasi menggunakan H2SO4. Fly ash yang digunakan berasal dari limbah PLTU dengan kandungan silika yang tinggi. Fokus penelitian ini adalah pengaruh variasi konsentrasi NaOH dan H2SO4 terhadap recovery silika. Pada tahap pertama, pelindian asam menggunakan HCl dilakukan untuk menghilangkan pengotor seperti Fe, Ca, dan Al. Residu yang diperoleh kemudian dilindi dengan NaOH pada konsentrasi yang bervariasi untuk mengekstraksi silika sebagai natrium silikat. Filtrat yang mengandung natrium silikat selanjutnya dipresipitasi menggunakan H2SO4 untuk menghasilkan endapan silika. Hasil penelitian menunjukkan bahwa variasi konsentrasi NaOH dan H2SO4 memberikan pengaruh signifikan terhadap efisiensi ekstraksi silika. Konsentrasi NaOH yang lebih tinggi meningkatkan jumlah silika yang terlarut dalam larutan natrium silikat, sementara konsentrasi H2SO4 yang optimal diperlukan untuk menghasilkan presipitasi silika yang maksimal. Dengan metode ini, silika dengan kemurnian tinggi dapat diekstraksi dari fly ash, menunjukkan potensi pemanfaatan fly ash sebagai sumber silika yang bernilai tinggi. ......This study aims to evaluate the efficiency of silica extraction from coal fly ash using the Sequential Acid-Alkaline Leaching (SAAL) method. This method comprises three main stages: acid leaching with HCl, alkaline leaching with NaOH, and precipitation using H2SO4. The fly ash used in this study originates from a power plant waste with high silica content. The focus of this research is on the effect of varying concentrations of NaOH and H2SO4on silica recovery. In the first stage, acid leaching with HCl is performed to remove impurities such as Fe, Ca, and Al. The resulting residue is then leached with NaOH at varying concentrations to extract silica as sodium silicate. The filtrate containing sodium silicate is subsequently precipitated using H2SO4 to produce silica precipitate. The results show that variations in NaOH and H2SO4 concentrations significantly affect the efficiency of silica extraction. Higher concentrations of NaOH increase the amount of silica dissolved in the sodium silicate solution, while an optimal concentration of H2SO4 is required to maximize silica precipitation. Using this method, high-purity silica can be extracted from fly ash, demonstrating the potential of fly ash as a valuable source of silica.

Abstrak :
Silicon Carbide (SiC), juga dikenal sebagai carborundum merupakan komposisi kimia dari silikon dan karbon dengan formulasi kimianya adalah SiC. Terdapat di alam pada mineral langka mossanite. Butiran dari silikon karbida dapat mengikat dengan baik mengunakan metode sintering untuk menghasilkan keramik yang sangat keras, yang digunakan secara luas untuk penggunaan yang memerlukan tingkat ketahanan yang tinggi. Dalam penelitian tugas akhir ini, paduan SnPbSiC dibuat dengan menggunakan metode peleburan yang dilakukan pada udara terbuka. Variasi sampel paduan yang dibuat dengan persen berat SiC sebesar 4.26%, 7.41% dan 10.40%. Dari hasil karakterisasi XRD menunjukkan pengaruh penambahan SiC terhadap parameter kisi dan crystallite size dari SnPb. Karakterisasi termal dari semua variasi paduan SnPbSiC yang didapatkan menggunakan DSC menunjukkan penurunan dan kenaikan titik lebur paduan SnPb akibat penambahan SiC. SiC dengan Persen berat 10.40% membuat titik leleh menjadi turun dan untuk SiC dengan persen berat 4.26% dan 7.41% membuat titik leleh naik. Pengaruh penambahan SiC juga terlihat pada sifat kekerasan dari semua variasi paduan SnPbSiC dengan menggunakan vickers hardness test yaitu kekerasan paduan meningkat seiring SiC yang bertambah pada paduan SnPb.

---

Silicon Carbide (SiC), also known as carborundum is chemical composition of silicon and carbon with the chemical formulation is SiC. There is a rare mineral in nature on mossanite. Grains of silicon carbide can bind well to the sintering method, produces a very hard ceramic, which is widely used for the use of which requires a high level of resilience. In this thesis, SnPbSiC alloys made using fusion methods are conducted in open air. Variation of alloy samples made with SiC weight percent for 4.26%, 7:41% and 10:40%. From XRD characterization results showed the effect of adding SiC to The lattice parameters and crystallite size of SnPb. Thermal Characterization of all variations SnPbSiC alloys obtained using the DSC showed decrease and increase the melting point of SnPb alloys due to the addition of SiC. SiC Percent of 10.40% by weight makes the melting point to decrease and for Weight percent SiC with 4.26% and 7.41% resulted in increased melting point . Ussing Vickers Hardness test, Effect of addition of SiC also looks at the properties of hardness of all SnPbSiC alloy variation increases the hardness of SiC increases in SnPb alloys.

Abstrak :
Indeks bias (n) dan koefi sien absorpsi optis (α) lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi (a-SiC:H) telah diteliti dari hasil pengukuran refl eksi dan transmisi. Lapisan tipis a-SiC:H dihasilkan dengan metode deposisi dc sputtering menggunakan target silikon dalam campuran gas argon dan metan. Indeks bias (n) berkurang dengan peningkatan fl ow rate gas metan. Koefi sien absorpsi optis (α) bergeser ke energi yang lebih tinggi dengan bertambahnya fl ow rate gas metan. Lapisan tipis cenderung makin tidak teratur dan memiliki gap optis yang lebih lebar pada fl ow rate gas metan tinggi. Relasi komposisi terhadap sifat?sifat optik lapisan tipis akan didiskusikan demikianpula terhadap ketidakteraturan jaringan amorf.

---

Methane Flow Rate Effects On The Optical Properties of Amorphous Silicon Carbon (a-SiC:H) Films Deposited By DC Sputtering Methods. We have investigated the refractive index (n) and the optical absorption coeffi cient (α) from refl ection and transmission measurements on hydrogenated amorphous silicon carbon (a-SiC:H) fi lms. The a-SiC:H fi lms were prepared by dc sputtering method using silicon target in argon and methane gas mixtures. The refractive index (n) decreases as the methane fl ow rate increase. The optical absorption coeffi cient (α) shifts to higher energy with increasing methane fl ow rate. At higher methane fl ow rate, the fi lms tend to be more disorder and have wider optical gap. The relation of the optical properties and the disorder amorphous network with the compositional properties will be discussed.

Abstrak :
Defek dangling bond dari lapisan tipis amorf silikon karbon (a-SiC:H) hasil deposisi metode dc sputtering telah dipelajari dengan spektroskopi ESR (electron spin resonance). Densitas spin berkurang tidak terlalu besar dengan peningkatan fl ow rate gas metan. Pengaruh kehadiran karbon dan hidrogen terhadap harga-g menunjukkan bahwa sampai fl ow rate gas metan 8 sccm, sinyal ESR didominasi oleh karakteristik defek a-Si:H, sedangkan untuk fl ow rate gas metan lebih besar dari 8 sccm, harga-g berkurang mendekati harga-g dari a-C:H. Hasil analisis inframerah menunjukkan semakin banyak karbon dan hidrogen yang membentuk ikatan Si-H, Si-C dan C-H dengan bertambahnya fl ow rate gas metan. Relasi hasil yang diperoleh dari inframerah dengan densitas defek dan harga-g akan dipelajari.

---

The dangling bond defect density in sputtered amorphous silicon carbon alloys have been studied by electron spin resonance (ESR). The results show that the spin density decreased slightly with increasing methane fl ow rate (CH4). The infl uence of carbon and hydrogen incorporation on g-value revealed that for CH4 fl ow rate up to 8 sccm, the ESR signal is dominated by defects characteristic of a-Si:H fi lms and for CH4 fl ow rate higher than 8 sccm the g-value decreased towards those usually found in a-C:H fi lms. Infrared (IR) results suggest that as CH4 fl ow rate increases more carbon and hydrogen is incorporated into the fi lms to form Si-H, Si-C and C-H bonds. A direct relation between the IR results and the defect density and g-value is observed.

Abstrak :
In silicon nanoscale transistors, dopant atoms can significantly affect the transport characteristics, in particular at low temperatures. Investigation of coupling between neighboring dopants in such devices is essential in defining the properties for transport. In this work, we present an overview of different regimes of inter-dopant coupling, controlled by doping concentration and a selective doping process. Tunneling-transport spectroscopy can reveal the fundamental physics of isolated dopants in comparison with strongly-coupled dopants. In addition, observations of surface potential for Si nano-transistors can provide direct access to understanding the behavior of coupled dopants.

Abstrak :
ABSTRAK
Tanaman menyerap silicon dari larutan tanah dalam bentuk asam monosilikat, yang juga disebut asam ortosilikat (H4SiO4). Penggunaan bahan organic dan anorganik yang mengandung Si yang cepat tersedia bagi tanaman dapat meningkatkan ketersediaan Si dalam tanah dan penyerapannya oleh tanaman. Penelitian ini bertujuan untuk mengevaluasi pelepasan Si dari bahan organic dan anorganik dan penyerapannyaoleh tanaman padi. Pelepasan fosfor (P) dari bahan-bahan sumber Si tersebut juga di evaluasi. Bahan anorganik yan diteliti meliputi abu terbang (fly ash), terak baja, silica gel, dan silica gel jepang, sedangkan untuk bahan organic terdiri atas abu sekam padi (RHA), sekam padi bakar (RHB), media jamur (MM), biochar kulit buah kako (cocoa SB), dan kompos jerami padi (RSC). Pengamatan dinamika Si dan P dilakukan secara berkala pada 7,17,24, dan 34 hari setelah tanam (HST), sementra anakan dan tinggi tanaman padi diamati pada 16, 21, dan 36 HST. Hadil penelitian menujukan bahwa konsentrasi Si dalam larutan yang berasal dari bahan organic paling tinggi untuk JSG dan diikuti oleh silikia gel, masing-masing 1, 107 dan 0,806 mmol L-1. Pelepasan Si dari bahan organic tertinggi terdapat pada RHB dan RHA (0,618 dan 0, 539 mmol L-1). Biochar kulit buah kokoa, silica gel, JSG, dan RHB nyata meningkatkan tinggi tanaman padi pada 36 HST. Sumber Si tidak memengaruhi jumlah anakan tanaman. Dari bahan yang digunakan, terak baja dan silica gel Jepang (JSG) nyata memengaruhi serapan Si oleh tanaman padi.

Abstrak :
ABSTRAK
Kebutuhan akan semikonduktor pada perangkat listrik yang memiliki ketahanan yang baik dikondisi lingkungan ekstrim membuat silikon karbida SiC menjadi pilihan yang sangat menjanjikan. SiC dapat diaplikasikan untuk daya tinggi, frekuensi tinggi, dan suhu tinggi. SiC memiliki sifat semikonduktor intrinsik dengan banyak kelebihan dibandingkan semikonduktor silikon. SiC merupakan bahan dengan konduktivitas panas yang tinggi serta memiliki sifat yang stabil terhadap mekanik dan kimia serta tahan terhadap radiasi. Dalam penelitian ini telah dilakukan sintesis serat SiC dengan prekursor polimer polycarbosilane PCS menggunakan metode elektrospinning dengan pelarut N,N-dimetilformamida DMF dan toluena. Metode elektrospinning ini sangat baik untuk membuat serat dengan diameter yang terkontrol dan kurang dari 10 m. Tegangan pada proses elektrospinning divariasikan untuk mengetahui pengaruhnya terhadap diameter serat yang dihasilkan serta dilakukan pula variasi suhu pada proses pirolisis untuk mengetahui proses degradasi kimia pada saat pembentukan serat SiC dari serat PCS. Serat SiC yang diperoleh kemudian dikarakterisasi dan diuji sifat kelistrikannya. Hasil karakterisasi menunjukkan serat SiC telah berhasil disintesis dengan metode elektrospinning yang kemudian melalui tahapan proses curing dan pirolisis. Morfologi serat yang dihasilkan yaitu berbentuk pipa dan memiliki keseragaman yang baik. Semakin meningkatnya tegangan selama proses elektrospinning serta dengan bertambahnya suhu pirolisis memberikan diameter serat yang lebih kecil dengan diamater rerata sebesar 4,3 m . Sifat kelistrikan serat SiC hasil sintesis memiliki band gap 2,56 eV dan area nilai konduktivitas listriknya adalah dari 8 10-6 hingga 7 10-6 S/cm.

---

ABSTRACT
The need for semiconductors in electrical devices that have good resistance in extreme environment conditions make silicon carbide SiC very promising choice. SiC can be applied for high power, high frequency, and high temperature. SiC has intrinsic semiconductor properties with many advantages over silicon semiconductors. SiC is a material with high thermal conductivity and has properties that are mechanically and chemically stable and resistant to radiation. In this research, SiC fiber synthesis with polycarbosilane polymer precursor PCS has been done using electrospinning method with N, N dimethylformamide DMF and toluenae solvent. This electrospinning method is very good for making fibers with controlled diameters and less than 10 m. The voltage on the electrospinning process is varied to determine the effect on the fiber diameter produced and also the temperature variation in the pyrolysis process to determine the chemical degradation process at the time of fiber SiC formation of PCS fibers. SiC fibers obtained are then characterized and tested for their electrical properties. The characterization results show that SiC fibers have been successfully synthesized by electrospinning method which then through the curing process and pyrolysis stage. The resulting fiber morphology is pipe shaped and has good uniformity. The increasing stresses during the electrospinning process and with increasing pyrolysis temperature give the fiber diameter smaller with the average diameter of 4.3 m. The synthetic nature of SiC fibers has a band gap of 2.56 eV and the electrical conductivity value is from 8 10 6 to 7 10 6 S cm.