Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode.To investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode. The deposition rates were adjusted to 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s and the annealing temperatures were to 200 °C, 300 °C and 400 °C- The thickness of thin films were around 7000 A. The optical constant and band gap energy were calculated from the Reflectance ( R ) and Tansmittance (T) by using O.S. Heavens formula. The value of R and T were obtained from UV-VIS Spectrofotometre with the wavelength from 400 inn to 800 run. From the calculations it was found that the deposition rate affected the optical properties and structures. At wave length 550 nm, the deposition rates 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s give the real refractive index n 2.534; 2.503; 2.46; 2.505 respectively and the absorption coefficient a 1.15 x 103, 5.96 x 103, 4.38 x 103, 7.33 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,46 eV, 2,44 eV, 2,42. eV, 2.40 eV respectively and the grain sizes 816 4 A, 291.5 A, 256.7 A, 251.1 A respectively. The annealing process to 200 °C, 300 0C and 400 0C also affected the optical properties and structures. At deposition rate 4 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 °C give the real refraction index 2.513, 2.56, 2.54, 2.53 respectively and the absorption coefficient l .15x 103, 6 x 103, 7 x 103, 4 x 103 /cm respectively and the band-gap energy 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV, 2,42 eV respectively. At deposition rate 8 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.503, 2.527, 2.504, 2.505 respectively and the absorption coefficient 5.96x103, 6.5 x I03, 7.17 x l03 , 3-37 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,44 eV, 2,43 eV, 2.40 eV, 2,41 eV respectively. At deposition rate 12 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.46, 2.546, 2.495, 2.485 respectively and the absorption coefficient 4.38 x 103, 1.27 x 103, 0.15 x 103, 0.23 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV, 2,44 eV respectively. At deposition rate 16 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C. 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.505, 2.498, 2.499, 2.497 respectively and the absorption coefficient 7.33 x 103, 2.9 x 103, 1.7 x 103, 1.95 x 103 1cm respectively and the band gap energy 2,40 eV, 2,41: eV, 2,4.2 eV, 2,43 eV respectively. The c3-stall structures of thin film are found to be hexagonal with preferred orientation (002). The annealing processes affect the grain size. At the deposition rate 4 A's, the annealing process to 400 °C changed the grail? size from 816 A to 193,5 A. At the deposition rate 8 A/s, the amtealing process to 400 0C changed the grain size from 291,5 A to 168 A. At the deposition ratel2 A/s, the annealing process to 400 °C changed the grain size from 256,7 A to 198,2 A. At the deposition rate 16 A/s, the annealing process to 400 °C also changed the grain size from 251,1 A to 235,9 A.

---

Guna mengetahui perubahan sifat optis dan struktur terhadap laju deposisi pembuatan lapisan tipis dan juga terhadap anil, dibuat lapisan Cds dengan co-evaporasi termal CdS dan S diatas substrat kaca. Laju deposisi dibuat pada 4 A/s, 8 A/s, 12 As dan 16 A/s. Anil dilakukan pada setiap laju deposisi dengan 3 macam teinperatur yaitu: 200 0C, 300 oC dan 400 0C_ Ketebalan lapisan yang dibuat berkisar 7000 A. Konstanta optis yaitu koefisien absorpsi dan indek bias dihitung dari reflektansi R dan transmisi T berdasarkan metode fungsi minimal dengan menggunakan persamaan O.S. Heavens. Dad kurva koefisien abrsoipsi terhadap energi foton dibuat lebar pita terlarang CdS. Pengukuran nilai R dan T dilakukan dengan alat UV-VIS Spektrofotometer pada panjang gelombang 400 nm - 800 nm. Dari penelitian didapatkan bahwa laju deposisi mempengaruhi sifat optis material. Didapatkan nilai indek bias nyata pada laju deposisi 4 Als, 8 A/s, 12 A/s dan 16 A/s pada panjang gelombang 550 nm masing masing 2,534; 2,503; 2,46; 2,505 dan koefisien absorpsi masing-masing adalah 1,15 x 103; 5,96 x 103; 4,38 x I03; 7,33. x 103 /cm dan lebar pita terlarang masing-masing adalah 2,46 eV, 2,44 eV, 2.42 eV dan 2,40 eV. Besar butir menurun dengan meningkatnya laju deposisi. Besar butir pada laju deposisi 4 Als. 8 A/s, 12 AN dan 16 A/s berturut-turut adalah 816 A , 291,5 A, 256,7 A dan 251,1 A. Proses anil memberikan basil bahwa dari suhu 200 0C sampai 400 oC terjadi perobahan sifat optis dan struktur. Pada laju deposisi 4 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,513; 2,56; 2,54 dan 2.53 dan nilai koefisien absorpsi adalah 1,15x103; 6 x 103; 7 x 103; 4 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,42 eV. Piida laju deposisi 8 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,503; 2,527; 2,504 dan 2,505 dan nilai koefisien absorpsi adalah 5.96x 103; 6,5 x 103; 7,17 x 103; 3,37 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,44 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,41 eV. Pada laju deposisi 12 A/s berturut-turut tmtuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 'DC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,46; 2,546: 2,495 dan 2,485 dan nilai koefisien absorpsi adalah 4,38 x 103; 1,27 x 103; 0,15 x 103; 0,23 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV dan 2,44 eV. Pada laju deposisi 16 A/s berturut-turut untuk proses tanpa aril, aril .200 0C, 300 oC dan 400 0C indek bias nyata n adalah 2,505; 2,498; 2,499 dan 2.497 dan nilai koefisien absorpsi adalah 7,33 x 103; 2,9 x 103; 1,7 x 103; 1,95 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,40 eV, 2,41 eV, 2,42 eV dan 2,43 eV. Stniktur kristal lapisan tipis CdS yang terbentuk adalah heksagonal dengan prefi-'rred 0i-lank-Ilion (002). Proses anil inerubah besar ukuran butir. Pada sampel dengan laju deposisi 4 A/s anil 400 oC inerubah besar butir dart 816 A ke 193,5 A. Sampel dengan laju deposisi 8 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 291,5 A ke 168 A. Sampel dengan laju deposisi l2 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 256,7 A ke 198,2 A. Sampel dengan laju deposisi 16 A/s anif 400 oC merubah besar butir dari 251,1 Ake 235,9 A."

"Perkembangan teknologi informasi yang menggabungkan transmisi data, gambar, dan suara sudah sangat pesat. Teknologi ini membutuhkan bandwidth transmisi yang sangat besar. Solusi untuk memenuhi kebutuhan tersebut dapat dilakukan dengan menggunakan sistem telekomunikasi fiber optik. Salah satu metoda transmisi yang dibutuhkan untuk meningkatkan bandwidth adalah menggunakan sistem wavelength division multiplexing (WDM). Untuk tujuan tersebut berbagai disain komponen sudah dianalisa dengan berbagai metoda. Mach-Zehnder interferometer (MZI) merupakan kandidat yang paling mungkin untuk. merealisasikan maksud tersebut. Tulisan ini membahas tentang MZI yang dapat digunakan sebagai salah satu komponen pasif dalam sistem WDM. Metoda yang dipakai untuk analisa komponen tersebut adalah menggunakan coupled mode theory (CMT) untuk direksional kopler yang merupakan komponen dasar pembentuk MZI, dan analisa MZI menggunakan matrik propagasi. Parameter yang di gunakan dalam analisa ini adalah silika karena material ini digunakan untuk membuat fiber optik, sehingga kopling antara MZI dan fiber optik dapat diminimalkan. Untuk merealisasikan MZI pada rentang gelombang 1.5 gm -1.55 µm, beberapa buah MZI diparalelkan dan panjang gelombang yang dimaksud diluncurkan pada masukan (input) MZI. Dari basil analisa diperoleh kesimpulan bahwa MZI dapat digunakan sebagai komponen dasar WDM. Namun pemilihan pararnater yang tepat hares dilakukan untuk memperoleh rentang panjang gelombang pada system WDM yang diinginkan."

"Kombinasi komunikasi yang menggabungkan suara, gambar dari data akhir-akhir ini berkembang dengan sangat pesat terutama perkembangan Internet. Kecepatan informasi merupakan hal terpenting karena kebutuhan mendapatkan informasi sebanyak-banyaknya. Solusinya menggunakan sistem telekomunkasi optik. Beberapa metode telah dikemukakan, namun perkembangannya terus berlanjut. Salah satu komponen yang paling berperan dalam sistem ini adalah EDFA (Erbium Doped Fiber Amplifier).Tulisan ini menganalisa struktur EDFA yang dapat digunakan pada jaringan metro (short distance telecomurncation). Analisa yang digunakan adalah analisa hubungan antara karakteristic gain terhadap daya pompa (pump power), daya input, panjang serat serta filter optik pada serat optik EDFA mode tunggal. Dan hasil analisa numerik dengan simulasi komputer terhadap besaran fisis yang dikandung dalam komponen aktif erbium doped diperoleh bahwa gain serat optik EDFA mode tunggal sangat bergantung pada daya pompa, daya input serta panjang serat. Kesulitan yang timbul adalah bahwa keluaran daya ASE (Amplified Spontaneous Emission) yang tidak sama pada panjang gelombang 1531 nm. Permasalahan tersebut dapat dipecahkan dengan menggunakan komponen pasif filter optik."

"ABSTRAKRangkaian pembagi daya optik telah dibuat untuk suatu sub sistem komunikasi optik. Untuk ini dipilih jenis gelas BK-7 yang dapat diperoleh dengan mudah di Indonesia. Pada proses pembuatannya digunakan metoda natural difusi dan Tl 2 SO4 sebagai sumber ion Ti yang akan didifusikan. Tahap pertama dari pembuatan rangkaian pembagi daya adalah proses pembentukan lapisan pandu gelombang pada permukaan substrat BK-7. Kemudian dilanjutkan dengan proses pembentukan rangkaian pembagi daya optik 1 x 3, menggunakan metoda photolithografi. Tahap akhir adalah proses pemotongan dan pemolesan pada ujung input dan output rangkaian pembagi daya. Rangkaian pembagi daya dengan sudut-sudut pencabangan 1°, 40, 5°, dikarakterisasi rnenggunakan sumber cahaya laser He-Ne, A. = 0,63 µm. Dan karakterisasi diketahui bahwa rangkaian pembagi daya dengan sudut pencabangan 10 mempunyai distribusi paling mendekati teoritis di ketiga outputnya dengan effisiensi transmisi sebesar 32,66% dan rugi-rugi sisipan 2,73. Hasil karakterisasi pencabangan lainnya dibahas di bab 4."

"ABSTRAKUntuk meneliti perubahan sifat optis lapisan tipis ZnS terhadap anil, telah dibuat lapisan ZnS setebal ± 6.000 dan ± 12.500 Angstrom yang dideposisikan di atas substrat kaca dengan proses evaporasi termal. Konstanta optis, yaitu koefisien absorpsi dan indeks bias, dihitung dari data reflektansi R dan transmisi T berdasarkan metode yang dikembangkan oleh Y. Hishikawa. sari kurva koefisien absorpsi terhadap energi foton dihitung lebar pita terlarang ZnS. Nilai R dan T pada 350 nm s ? 800 nm diukur menggunakan UV-VIS Spektrofotometer. Hasil penelitian menunjukkan bahwa lapisan ZnS setebal 6.000 dan 12.500 A memberikan reaksi yang berbeda terhadap proses anil yang diberikan. Koefisien absorpsi lapisan 12.500 Angstrom mengalami penurunan terbesar pada temperatur 300°C yaitu sebesar - 9000/cm, sedangkan nilai koefisien absorpsi lapisan 6.000 Angstrom dapat dikatakan tidak berubah. Indeks bias lapisan 12.500 Angstrom dan 6.000 Angstrom turun sebesar 0,3 dan 0,2 pads 400°C. Lebar pita terlarang pada kedua macam ketebalan adalah sama dan tidak berubah karena proses anil. Secara umum indeks bias dan koefisien absorpsi lapisan 6.000 A lebih tinggi daripada 12.500 A. Jadi indeks bias dan koefisien absorpsi ZnS tergantung pada tebal sampel dan proses anil yang telah dilalui."

"Pada eksperimen ini telah dibuat lapisan tipis CuInSe2 pada substrat kaca (n=1,51) dengan temperatur substrat 150°C dan 200°C deagan variasi ketebalan sekitar 0,2-0,45 un dengan metode evaporasi thermal dalam vakum. Kemudian dilakukan pengukuran sifat optik dan listriknya. Dari nilai-nilai transmitansi dan reflektansi yang diperoleh digunakan untuk menghitung indeks bias, koefisien absorbsi dan energi gap dari lapisan tipis CulnSe2. Pada eksperimen ini didapatkan hasilnya sebagai berikut; Indek bias ( n) sekitar 2,6 - 4,7, koefisien absorbsi (a) sekitar ( 2 - 9 ) x 104/cm dan energi gap sekitar ( 1,02 - 1,45 ) av. Untuk sifat listriknya ternyata resistivitas listrik dari lapisan tipis ini merupakan fungsi dari ketebalan. Yaitu semakin tipis ketebalan lapisan, semakin besar harga resistivitas listriknya. Harga resistivitas listrik dari lapisan tipis CulnSe2 ini sekitar 1,4 - 3,4 ohm cm dan semua sampel ternyata mempunyai type ? n. Kesimpulan yang diperoleh dari hasil penelitian ini, bahwa lapisan tipis CuInSe2 ini merupakan bahan semikonduktor yang potensial untuk dapat dikembangkan, terutama penggunaannya sebagai bahan penyerap sinar matahari pada solar sel."

"ABSTRACT As transmission medium in optical communication system, optical fiber is also characterized by elastic properties beside of transmission properties of optical fiber. The Young Modulus of Elasticity of optical fiber could be measured by considering a bare optical fiber as cantilever which resonant with an acoustical vibration. To detect the cantilever vibration, a HeNe laser light is launched into the cantilever of optical fiber through its free end and the output laser light is detected by a PMT and observed by the channel 2 of an oscilloscope. Channel 1 of the oscilloscope observes the signal of the acoustical vibration. Regulating both the frequency and amplitude of the vibration or the position of the pinhole of the PMT, the resonance frequency of the cantilever could be detected accurately. Using the data of the resonance frequencies of various length of the cantilever has been calculated. "