Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Heterojunction adalah sambungan yang dibentuk antara dua material semikonduktor dengan bandgap yang berbeda yang mempunyai ketipisan di bawah 50nm yang menumbuhkan lapisan campuran Si1-xGex sebagai basis. Sambungan tersebut dapat berupa sambungan yang abrupt atau graded.Pada penelitian ini dipelajari formulasi dari pengaruh konsentrasi doping terhadap tahanan basis dan bandgap narrowing pada Si/Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor dengan sambungan emitter-basis yang abrupt, selain memperhatikan mobilitas dan lebar basis pada resistansi basis juga pengaruh fraksi mole pada energi bandgap.Dari hasil perhitungan menunjukkan bahwa penambahan konsentrasi doping dari NB=5.1018 cm-3 menjadi NB=5.1020 cm-3 pada basis dapat menurunkan nilai resistansi basis sebesar 3.6 %, menaikkan bandgap narrowing sebesar 0.126, dan meningkatkan kerapatan arus kolektor sebesar 1.36 kali pada Ge sebesar 24%.

---

Study About High Influence Doping to Base Resistance and Bandgap Narrowing at Si/Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor. Heterojunction is a link formed bedween two semiconductor materials and differend bandgap which has thinness under 50nm and grow the mixture of plate SiGe as bases. The link is an abrupt link or graded one.In this research learnt formulation of doping concentration influence to basis resistance and bandgap narrowing through Si/Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor with abrupt emitter-basis link, besides taking care to mobility and basis wide to basis resistance, it is also influence of mole fraction to bandgap power.From the result shows that doping concentration addition of NB=5.1018 cm-3 to NB=5.1020 cm-3 in basis can decrease resistance basis value about 3.6%, increase bandgap narrowing about 0.126, and increase collector current density for about 1.36 times to Ge 24%."

"Sel surya berstruktur Bifacial Heterojunction Intrinsik Thin layer adalah sel surya berbahan silikon dengan interface a-Si:H/c-Si yang merupakan struktur berbentuk heterojunction. Struktur ini memiliki susunan layer yang sama antara bagian atas sel dan bagian bawah sel. Keterbaruan dari struktur ini adalah untuk menjembatani cost dengan penggunaan material crystalline. Struktur bifacial HIT lebih diunggulkan daripada struktur dengan mono crystalline dan atau mono facial. Pengembangan dan pemilihan struktur bifacial HIT yaitu dengan melakukan optimasi pada struktur dengan bantuan AFORS-HET. Optimasi sel surya berstruktur Bifacial Heterojunction Intrinsik Thin layer diperlukan untuk memaksimalkan keluaran sel surya berstruktur Bifacial HIT sebagai sel surya berdasar silikon.Ada 5 model struktur bifacial HIT yang diujikan menggunakan AFORS-HET.Dari hasil analisa didapat 1 struktur yang paling kecil perbedaan pita konduksi dan pita valensi diantara 4 struktur yang lain, yaitu TCO / a-Si:H p / a-Si:H i / c-Si n / a-Si:H i / a-Si:H n / TCO /Ag. Pada struktur model yang terpilih dilakukan optimasi dan simulasi lanjutan berupa kondisi dark current dan kondisi iluminasi. Dari hasil simulasi dan kalkulasi terhadap struktur sel surya berstruktur TCO / a-Si:H p / a-Si:H i / c-Si n / a-Si:H i / a-Si:H n / TCO / Ag menghasilkan JSC sebesar 8,82 mA/cm2, VOC sebesar 31,4803 mV, efisiensi sebesar 11,9 dan FF sebesar 0,729. Arus, tegangan dan daya maksimal yang dapat dicapai oleh struktur model secara berturut-turut adalah 0,08104 A, 0,25 V dan 0,02026 W. Kata kunci: sel surya, band alignment, bifacial HIT, heterojunction."

"Sel surya telah melalui berbagai tahap pengembangan. Silikon merupakan salah satu bahan utama dalam komersialisasi sel surya. Sel surya crystalline silicon heterojunction with intrinsic thin layer HIT merupakan salah satu aplikasi silikon yang berhasil menghasilkan efisiensi tinggi. Alternatif lain yang bisa dilakukan adalah dengan menggabungkan silikon dengan material compound III-V atau disebut sebagai sel surya crystalline silicon heterojunction with compound thin layer HCT. Sel surya crystalline silicon HCT mampu memberikan alternatif, baik dari segi fabrikasi maupun efisiensi, dibandingkan dengan sel surya crystalline silicon HIT. n-AlGaAs digunakan sebagai alternatif dari n-AlAs pada sel surya crystalline silicon HCT. Jika dibandingkan dengan AlAs, AlGaAs mempunyai nilai lattice constant yang lebih sesuai dengan silikon. Penggunaan metode step grading pada material AlxGa1-xAs dilakukan dengan tujuan untuk meningkatkan efisiensi sel surya. Rancangan sel surya crystalline silicon HCT dilakukan dengan menggunakan perangkat lunak wxAMPS. Dari hasil simulasi didapat arus hubung singkat Jsc sebesar 16,64 mA/cm2; tegangan hubung terbuka Voc sebesar 1,05 V; fill factor sebesar 95,09 ; dan efisiensi 16,64 . Selain itu hasil simulasi menunjukkan penggantian tipe doping dari tipe p ke tipe n menghasilkan kenaikan efisiensi lebih besar pada sel surya HCT n-AlGaAs terhadap sel surya HCT p-AlGaAs, yaitu 11,84 ; sedangkan nilai fill factor mengalami kenaikan sebesar 16,05.

---

Solar cell has been through many development phases. Silicon is a one of many important material in solar cell manufacturing. Heterojunction with intrinsic thin layer HIT crystalline silicon solar cell is one of silicon solar cell applications, which can produce high efficiency. An alternative to HIT crystalline silicon solar cell is Heterojunction with compound thin layer HCT crystalline silicon solar cell where silicon is coupled with III V semiconductor compound. HCT crystalline silicon solar cell could be an alternative either from fabrication process or efficiency value compared to HIT crystalline silicon solar cell. n AlGaAs is used as an alternative from n AlAs on HCT crystalline silicon solar cell. Compared to AlAs, lattice constant of AlGaAs is more suitable to the silicon.

Step grading method is used for AlxGa1 xAs surface to increase solar cell efficiency. wxAMPS is used as simulation tool to achieve maximum design optimization for HCT crystalline silicon solar cell. Simulation results show that HCT crystalline silicon solar cell produce short circuit current Jsc value is 16.64 mA cm2, open circuit voltage Voc value is 1.05 V, fill factor value is 95.09, and efficiency value is 16.64. Simulation also shows a change from p type to n type dopant, result a significant efficiency increase for HCT n AlGaAs solar cell compared to HCT p AlGaAs solar cell, which is 11.84, in conjunction with its fill factor value, which increase 16.05."

"Pada penelitian ini telah berhasil disintesis Z-scheme heterojunction nanokomposit rGO/CeO2-BiVO4 yang digunakan sebagai fotokatalis dalam mendegradasi zat warna rhodamine b. Penggunaan rGO bertujuan sebagai mediator transfer elektron oleh dua semikonduktor CeO2 dan BiVO4. Keberhasilan sintesis nanopartikel CeO2, BiVO4, komposit CeO2–BiVO4 dan nanokomposit rGO/CeO2–BiVO4 didukung dengan energy band gap masing-masing 3,15 eV, 2,45 eV, 2,27 eV dan 2,30 eV. Hasil morfologi SEM menunjukkan terdapat nanokomposit CeO2–BiVO4 yang tersebar diatas permukaan rGO dan TEM diperoleh ukuran partikel rata-rata komposit CeO2–BiVO4 yang berada pada permukaan rGO adalah 18,3782 nm. Aktivitas fotokatalitik rGO/CeO2–BiVO4 terhadap degradasi rhodamine b diperoleh paling optimum sebesar 95,88% dalam waktu 40 menit dibawah sinar tampak. Kinetika reaksi terhadap degradasi rhodamine b mengikuti model kinetika pseudo orde satu dan isoterm adsorpsi Langmuir yang menunjukkan bahwa proses yang terjadi merupakan fotokatalisis. Mekanisme Z–Scheme Heterojunction pada nanokomposit rGO/CeO2–BiVO4 berhasil diusulkan didukung dengan peningkatan aktivitas fotokatalitik degradasi rhodamine b dibandingkan dengan material penyusunnya. Pengembangan fotokatalis berbasis mekanisme Z-Scheme Heterojunction yang memiliki aktivitas fotokatalitik yang baik dapat dipertimbangkan pada penelitian selanjutnya.

---

In this study, Z-scheme heterojunction nanocomposite rGO/CeO2-BiVO4 was successfully synthesized and used as a photocatalyst in degradation of rhodamine b dyes. The use of rGO is intended as an electron mediator of two CeO2 and BiVO4 semiconductors. The success of the synthesis of CeO2 nanoparticles, BiVO4, CeO2–BiVO4 composites and rGO/CeO2–BiVO4 nanocomposites was supported by energy band gaps of 3.15 eV, 2.45 eV, 2.27 eV and 2.30 eV, respectively. SEM morphology results showed that there were CeO2–BiVO4 nanocomposites spread over the surface of rGO and TEM results obtained the average particle size of CeO2–BiVO4 composites on the rGO surface was 18.3782 nm. The photocatalytic activity of rGO/CeO2–BiVO4 achieving the degradation efficiencies of 95.88% within 40 minutes under visible light. The reaction kinetics on the degradation of rhodamine b followed the pseudo-first-order kinetics model and the Langmuir adsorption isotherm which showed that the process was photocatalytic reaction. The Z–Scheme Heterojunction mechanism in the rGO/CeO2–BiVO4 nanocomposite was successfully proposed, supported by the increased photocatalytic activity of rhodamine b degradation compared to the pure CeO2 or BiVO4. Finally, the development of a photocatalyst based on the Z-Scheme Heterojunction mechanism with a great photocatalytic activity can be considered in further research."