Ditemukan 10 dokumen yang sesuai dengan query
Maratul Hamidah
"
ABSTRAK
Divais directional coupler dan optical switch merupakan komponen yang
dibutuhkan dalam pemrosesan sinyal optik. Kemajuan teknologi wavelength division
multiplexing (WDM) dan pertumbuhan lalu lintas internet yang cepat memicu banyak
penelitian tentang teknologi switching optik. Galium Nitrida (GaN) merupakan material
semikonduktor nitrida kelompok III yang menjadi kandidat menjanjikan untuk divais
yang beroperasi pada panjang gelombang komunikasi optik.
Pada penelitian ini dilakukan desain directional coupler dan optical switch
menggunakan material GaN untuk panjang gelombang telekomunikasi, yaitu 1,55 um.
Desain directional coupler terdiri dari pandu gelombang ...
"
2019
T53144
UI - Tesis Membership Universitas Indonesia Library
Nauval Franata
"
Pembagi daya optik berperan penting dalam pemrosesan daya optik. Di sisi lain, galium nitrida (GaN) adalah semikonduktor yang menjanjikan untuk divais elektronik dan fotonik yang beroperasi pada panjang gelombang untuk komunikasi optik. Pada penelitian ini dilakukan desain baru pembagi daya optik 1 × 4 menggunakan material GaN. Desain dikhususkan untuk panjang gelombang telekomunikasi optik 1,55 μm. Desain yang dilakukan terdiri dari kombinasi dari tiga pencabang Y dan pandu gelombang persegi. Struktur pencabang Y di sisi ...
"
Jakarta: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2022
T-pdf
UI - Tesis Membership Universitas Indonesia Library
Irma Saraswati
"
ABSTRACT
A good justification for gallium nitride on silicon is a potential for optoelectronic integrated circuits, and its low cost has stimulated the growth of GaN on large size wafers. The application interest for GaN/Si is power electronics. This current work focuses on characterization optical, electro-optical, and microstructural and simulation design of GaN/Si channel waveguide. For the characterization of GaN microstructure, we use SEM, TEM, AFM, and XRD to observe layer thickness, material structure, material roughness, ...
"
2016
D2035
UI - Disertasi Membership Universitas Indonesia Library
Narendra Putra Dipta
"
Recently, gallium nitride (GaN) material has attracted the attention of researchers as a candidate for third generation semiconductor material for optical telecommunication applications. In this research, a 2x2 multimode interference optical power splitter (MMI) based on a waveguide and ridge structure is proposed using gallium nitride material on a silicon (GaN/Si) substrate for optical telecommunication applications. The design optimization carried out resulted in two optical power splitter designs based on rib (design A) and ridge ...
"
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia , 2020
S-Pdf
UI - Skripsi Membership Universitas Indonesia Library
Retno Wigajatri Purnamaningsih
Depok: UI Publishing, 2019
669.79 RET d
Buku Teks Universitas Indonesia Library
Retno Wigajatri Purnamaningsih
"
We propose a simple design of 1×3 optical power splitter which uses gallium nitride (GaN) on sapphire. The design consists of widely used large cross section input rib waveguide, a rectangular multimode interference (MMI) structure, and three-branch rib waveguides. The MMI structure is selected since their attractive performances, such as compactness, low excess loss, wide bandwidth and ease to fabricate. The power splitter is designed for the third telecommunication window, i.e., l = 1.55 µm. ...
"
Depok: Faculty of Engineering, Universitas Indonesia, 2016
UI-IJTECH 7:4 (2016)
Artikel Jurnal Universitas Indonesia Library
Kurniawan Banumaxs Naga
"
Skripsi ini membahas tentang disain 3 dB Y-junction Power Splitter berbasis GaN/Al2O3 (Sapphire) untuk konfigurasi rib dan ridge waveguide. Disain dilakukan menggunakan perangkat lunak OptiBPM 12 free trial. Dari hasil simulasi dengan kriteria single mode ditunjukan bahwa Y-junction Power Splitter terbaik, yaitu low loss dan distribusi medan optik yang uniform, diperoleh saat sudut antara dua cabang 0,1o, pada posisi pandu gelombang 0,8 μm di atas sapphire (untuk rib waveguide) dan 0,55 μm di atas sapphire ...
"
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2014
S53969
UI - Skripsi Membership Universitas Indonesia Library
Syamsu Rijal Efendi
"
ABSTRAK
Kemajuan teknologi telah mendorong pengembangan material dasar semikonduktor. Beberapa dekade terakhir material Galium Nitrida telah menarik para peneliti untuk dikembangkan karena memiliki beberapa kelebihan, antara lain stabil terhadap suhu yang tinggi, memiliki tingkat penumbuhan epitaksi yang tinggi, konsumsi daya yang rendah dan memiliki celah pita langsung yang tinggi. Hingga saat ini, penelitian terkait pemanfaatan material GaN sebagai divais fotonik aktif telah banyak dilakukan, seperti LED, dioda laser dan detektor. Namun riset material GaN pada divais ...
"
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2019
S-pdf
UI - Skripsi Membership Universitas Indonesia Library
Pearton, Stephen, editor
"
The AlInGaN and ZnO materials systems have proven to be one of the scientifically and technologically important areas of development over the past 15 years, with applications in UV/visible optoelectronics and in high-power/high-frequency microwave devices. The pace of advances in these areas has been remarkable and the wide band gap community relies on books like the one we are proposing to provide a review and summary of recent progress ...
"
Berlin : [Springer, ], 2012
e20425227
eBooks Universitas Indonesia Library
Scheibenzuber, Wolfgang G.
"
This thesis describes the device physics of GaN-based laser diodes, together with recent efforts to achieve longer emission wavelengths and short-pulse emission. Experimental and theoretical approaches are employed to address the individual device properties and optimize the laser diodes toward the requirements of specific applications ...
"
Berlin : [Springer, ], 2012
e20425118
eBooks Universitas Indonesia Library
