Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
ABSTRAK
Tesis ini membahas tentang analisis dan perancangan divais dioda tunnel dari bahan silikon yang dipabrikasikan dengan menggunakan teknologi planar. Pabrikasi divais disesuaikan dengan teknologi, peralatan dam bahan yang tersedia pada Laboratorium Hikroelektronika, Puslitbang TELKOHA LIPI, Bandung sebagai tempat proses pembuatan.

Dalam tesis ini dirancang 3 divais dioda tunnel, dengan berbagai konsetrasi impurity lapisan tipe n+, tetapi bentuk dan ukuran geometrinya saja. Ketiga rancangan tersebut disimulasikan dengan program perangkat lunak SPICES2B, HATLAB dan WINHCAD untuk nenperoleh kurva karakteristik I-V dan hubungan antara konsentrasi impurity bahan dengan untuk kerja untuk sinyal kecil. Unjuk kerja tersebut neliputi figure of merit, daya maksimum dan efisiensi.

Ketiga rancangan dipabrikasi menggunakan teknologi difusi planar, parameter proses yang dipakai dari hasil simulasi program perangkat lunak SSUPREH.

Hasil simulasi menunjukkan suatu karakteristik divais yang apabila konsentrasi impurity pada bahan tipe n+ (ND) dinaikkan, maka performasi dari dioda tunnel meningkat. Setelah dipabrikasi dan diukur, divais telah menunjukkan fenomena dioda tunnel.

Abstrak :
ABSTRAK
Pada tesis ini didesain dioda IMPATT menggunakan bahan silikon p+nn+ yang dapat dioperasikan pada frekuensi 25 GHz dengan dibuat model semi empirisnya, dianalisis, dan disimulasikan melalui program simulasi yang dijalankan pada perangkat lunak SPISCES2B, SSUPREM dan MATLAB, serta dibantu perangkat lunak WINMCAD dalam pembuatan model semi empirisnya.

Hasil simulasi dan analisis menunjukkan bahwa dengan memperpanjang daerah n pada struktur p+nn+ akan berakibat menurunnya frekuensi operasi secara eksponensial. Di samping hal tersebut, nilai maksimum arus injeksi menjadi tidak stabil (berosilasi) bila dioda IMPATT dioperasikan di luar frekuensi operasinya, sehingga resistansi dinamik negatifnya menjadi tidak stabil.

Pabrikasi dilakukan di Laboratorium TELKOMA LIPI Bandung dengan terlebih dahulu dibuat desain proses pabrikasinya yang menggunakan teknologi difusi planar. Kedalaman daerah p+ (hasil proses difusi) serta karakteristik I=V dioda IMPATT tersebut diukur untuk melihat tegangan breakdown yang dihasilkan divais tersebut, sehingga dapat ditentukan frekuensi operasinya.

Hasil pengukuran dan analisis menunjukkan bahwa dioda IMPATT p+nn+ yang dipabrikasi tersebut mempunyai tegangan breakdown 30 Volt, dengan lebar daerah avalanche 0,6 µm, dan lebar daerah deplesi 2,6 µm, sehingga divais tersebut mempunyai frekuensi operasi 25 GHz.

Abstrak :
Pada penelitian ini dilakukan rancangan dan fabrikasi pernbuatan diode laser (DL) GaInAsP/InP ë. = 1300 µm, yang pelaksanaan nya dilakukan di LP3FT-LIPI Serpong. Dari hasil penumbuhan terdapat pergeseran sebesar 20 nm dari panjang gelombang yang diinginkan, dan untuk mendapatkan hasil yang diinginkan diadakan koreksi berat InAs terhadap In. Proses penumbuhan dilaksanakan dengan menggunakan LPE (liquit phase epitaksi) dimana lapis= Gain AsP yang terdici dari komposisi kristal murni InP, GaAs, InAs dengan doping kristal In-Te untuk tipe- n dan kristal In-Zn untuk tipe-p ditumbuhkan pada substrat InP sehingga terbentuk wafer. Karak edstik lapisan GaInAsP yang dikehendaki dapar ditentukan dengan memvariasikan berat relatif In P, GaAs, InAs terhadap berat In. Lapis= aktif DL ini adalah lapisan GaInAsP dengan panjang gelombang (ë) = 1300 nm. Hasil penumbuhan (wafer) dikarakterisasi dengan Optical Spectrum Analyser untuk mengetahui panjang gelombang yang ditumbuhkan dan Scanning Elektron Microscope untuk mengetahui ketebalan struktur kristal yang ditumbuhkan. Proses selanjutnya, untuk membuat stripe tedebih dahulu ditumbuhkan lapisan silikon (SiO2) diatas wafer dengan ketebalan 1000Ǻ 1200 Ǻ yang menggunakan RF sputtering, dan dengan bantuan photoresist, stripe tersebut dapat dibentuk melalui proses Photolithography. Setelah proses etsa, dimana lapisan SiO2 pada stripe dihilangkan dengan larutan HF, dapat dilakukan metalisasi melalui proses evaporasi dengan menggunakan Au-Zn untuk Khatoda dan Au-Sn untuk Anoda, yang sebelumnya didahului penipisan lapisan substrat dari 360 µm menjadi 00µm. Rancangan dioda stripe ini berhasil ditumbuhkan setelah keluar tungku kristal hasilnya berkilat seperti kaca dan. setelah dikarakterisasi dengan OSA ada panjang gelombang yang diinginkan. In this research we designed and fabricated the GaInAsP/InP Laser diode with ë = 1300 nm, in LP3FT-LIPI Serpong. From the result we obtained the wavelength shifted about 20 am, and to find the required wavelength we corrected the weight of InAs to In. The growth process was carried out using the liquid phase epitaxsi (LPE) where the GaAsInP layer consisted of the composition of the full crystallography of InP, GaAs, InAs with the doped crystal of InTe for n-type and InZn for P-type where grown at the InP-substrate to form the wafer. The characteristic of the required GaInAsP, layer can be determined with the variation of relative weight of InP GaAs, InAs to the weight of In. The active layer was GalnAsP layer with the wavelength of 1300 nm. The growth result was characteristic using the Optical Spectrum Analyser to know the growth wavelength and Scanning Electron Microscope to know the crystal thickness. Future more to make the stripe we growth the SiO2layer in above of the wafer with 1000 Ǻ1200 Ǻthickness using the RF sputtering, and the stripe can be form by Photolithography process with the photoresist after the etching process where, the silicon oxide layer at the stripe removed by HF, we did the metallization by evaporation process using AuZn for Cathode and AuSn for Anode, where the lapping of substrate from 360 µm to be 100 µm was done previously. The fabrication of stripe diode was success if the surface of the result will be like mirror and wavelength characteristic will occur by OSA.

Abstrak :
ABSTRAK
Pada Skripsi ini akan dibahas analisa disain divais menggunakan laser dioda dan Heterojunction Phototransistor yang berfungsi sebagai Light to Light Transducer. Latar belakang teori dan prinsip kerja dari laser Diode dan Heterojunction Phototransistor serta disain transduser juga akan dibahas pada Skripsi ini.

Transduser melakukan pendeteksian cahaya, mengubah besaran optis ke dalam besaran listrik, diperkuat dan oleh Laser Dioda dipancarkan lagi sebagai besaran optis yang juga telah diperkuat, koheren dan monokromatis. Transduser ini dapat didisain dengan integrasi langsung secara vertikal dan Laser Diode dengan Phototransistor berbahan GaAs dengan dimensi 210 x 290 m2 dan penguatan maksimal 250 kali. Perhitungan dan analisa dilakukan pada daerah operasi panjang Gelombang 0.8-1.3 μm dan daya input 0-100 μW.

Model preliminary Rangkaian yang dianggap dapat mewakili karakteristik struktur divais yang dirancang juga dibahas untuk mempermudah menganalisa dan memperhitungkan karakteristik divais.

---

Abstrak :
ABSTRAK
Aplikasi penggunaan tunnel-diode tidak hanya pada bidang gelombang mikro, tetapi juga berkembang dalam bidang lainnya seperti pada bidang multi state memory, Analog to Digital Converter. Untuk berbagai keperluan tersebut dibutuhkan tunnel-diode yang berbeda dalam spesifikasi dan materialnya.
Dalam tesis ini bertujuan untuk melakukan penumbuhan lapisan tunnel-diode menggunakan bahan Indium Phospat. Penumbuhan lapisan ini merupakan dasar dari fabrikasi komponen mikroelektronika. Proses penumbuhan lapisan dilakukan dengan metode Epitaksi Fasa Cair yaitu metode penumbuhan lapisan kristalin dengan orientasi tertentu melalui fasa cair berupa larutan jenuh pada substrat kristal tunggal. Penumbuhan lapisan dilakukan menggunakan bahan Indium Phospat (InP) sebagai sumber dan Indium Seng (InZn) sebagai doping sehingga akan terbentuk lapisan kristal tunggal tipe-p diatas susbtrat InP tipe-n. Hasil penumbuhan menunjukkan bahwa penumbuhan lapisan tunnel-diode berhasil dilakukan.

---

Tunnel-diode not only at microwave application but have been developed at other field such as multi state memory, Analog to Digital Converter. For this reason need tunnel-diode with different specification and material.
In this thesis, growing a crystal layer on InP substrate using Liquid Phase Epitaxial method was made. Liquid Phase Epitaxial is the growth of an oriented crystalline layer of material from a saturated or supersaturated liquid solution onto a single crystal substrate. The growth can be used source material InP and doping material InZn until single crystal layer can be formed p-type InP onto n-type InP. The thickness of the layer grown can be measured using thickness measurement.

Abstrak :
Lampu Light Emitting Diode (LED) termasuk beban non-linear yang meng-injeksi distorsi harmonik pada sistem tenaga listrik. Penelitian ini disusun sebagai bentuk studi untuk mengetahui karakteristik harmonik lampu LED yang telah tersedia di pasaran. Studi tersebut dilakukan dengan melakukan pengukuran terhadap 9 buah sampel lampu LED dengan berbagai merk dan rating daya. Dari hasil pengukuran diketahui bahwa harmonik tegangan dan arus pada lampu LED adalah harmonik orde ganjil dengan nilai harmonik tegangan terbesar pada orde kelima dan nilai harmonik arus terbesar pada orde ketiga. Selain itu, masing-masing lampu LED memiliki bentuk gelombang terdistorsi yang berbeda satu sama lain. ......Light Emitting Diode (LED) lights including non-linear loads that produce harmonic distortion. This experiment held as a form of study to determine the characteristics of LED lamps that have been available in the market, especially on the characteristics of the harmonic distortion generated. The study is done by conducting measurement of the harmonic content of the various branded sample LED lamps with various power rating. Based on the measurement, it is known that LED lamps have odd harmonic distortion. The biggest voltage harmonic measured is fifth harmonic and the biggest current harmonic measured is third harmonic.

Abstrak :
Tujuan penelitian ini adalah untuk mengetahui pengaruh jarak sumber sinar Light Emitting Diode (LED) terhadap kekuatan tarik diametral resin komposit bulk-fill. Resin komposit bulk-fill Tetric® N-Ceram Bulk-Fill, shade IVA (setara dengan warna VITA A2-A3) dibuat menjadi 30 spesimen berbentuk silinder dengan ukuran tebal 3 mm dan diameter 6 mm. Spesimen dibagi menjadi 3 kelompok variasi jarak penyinaran, yaitu 0 mm, 3 mm dan 5 mm. Penyinaran menggunakan LED Light Curing Unit Bluephase® Style (Ivoclar-Vivadent, Liechtenstein) dengan durasi penyinaran selama 10 detik sesuai instruksi pabrik. Data dianalisis secara statistik menggunakan metode ANOVA satu arah. Hasil analisis tidak menunjukkan perbedaan bermakna (p>0,05) pada semua kelompok. Jarak sumber sinar LED ≤ 5 mm tidak memberikan pengaruh yang signifikan terhadap kekuatan tarik diametral resin komposit bulk-fill. ......This study aimed to evaluate the effect of LED light source distance on diametral tensile strength of bulk-fill composite restorative material. Bulk-fill composite Tetric® N-Ceram Bulk-Fill, shade IVA (equal to VITA shade A2-A3) was formed into 30 cylindrical specimens with 3 mm in thickness and 6 mm in diameter. Specimens were divided into 3 groups with various curing distance: 0 mm, 3 mm and 5 mm. All groups were polymerized by LED Light Curing Unit Bluephase® Style (Ivoclar-Vivadent, Liechtenstein) for 10 seconds based on manufacturer’s instruction. Data were statistically analyzed by one-way ANOVA The result showed insignificant differences in all groups (p>0,05). LED light source distance ≤ 5 mm was not significantly affected the diametral tensile strength of bulk-fill composite.

Abstrak :
Perancangan dan fabrikasi Organic Light Emitting Diode (OLED) semakin berkembang pesat seiring dengan dibutuhkannya OLED yang mudah difabrikasi dan menghasilkan performa yang lebih baik. Pada skripsi ini telah dilakukan simulasi dan fabrikasi OLED menggunakan proses laminasi. Simulasi menggunakan software SimOLED 4.5 dengan dua jenis struktur ITO/PFO/Al dan ITO/PEDOT:PSS/Al. Sementara itu untuk fabrikasi telah dihasilkan empat divais dengan struktur ITO/PFO/Al dan ITO/PEDOT:PSS//PFO/Al. Selanjutnya dilakukan analisis mengenai pengaruh PEDOT:PSS dan pembersihan ITO menggunakan ultrasonic cleaning terhadap karakteristik I-V OLED. Hasil simulasi menunjukkan bahwa tidak ada perbedaan karakteristik terhadap variasi anoda yang dilakukan namun pada fabrikasi penambahan PEDOT:PSS pada struktur dan pembersihan ITO menggunakan ultrasonic cleaning dapat menurunkan tegangan threshold. Divais dengan struktur ITO/PEDOT:PSS/PFO/Al dengan dilakukan pembersihan ITO memiliki performa terbaik dengan tegangan threshold terendah sebesar 1,6 V. ......Design and fabrication of Organic Light Emitting Diode (OLED) is growing rapidly along with the need for a convenient OLED fabricated and produce better performance. In this thesis has been carried out simulation and fabrication of OLEDs using a lamination process. SimOLED 4.5 software simulation using the two types of structure ITO / PFO / Al and ITO / PEDOT: PSS / Al. Meanwhile for the fabrication has produced four devices with structure ITO / PFO / Al and ITO / PEDOT: PSS // PFO / Al. Further analysis on the effect of PEDOT: PSS and ITO cleaning using ultrasonic cleaning of the I-V characteristics of OLED. The simulation results showed that no differences in the characteristics of the variety anode made yet on fabricating the addition of PEDOT: PSS on the structure and cleaning of ITO using ultrasonic cleaning can lower the threshold voltage. Devices with the structure of ITO / PEDOT: PSS / PFO / Al to do the cleaning ITO has the best performance with the lowest threshold voltage of 1.6 V.

Abstrak :
Pada era dimana energi sangat dibutuhkan seperti saat ini, alternatif sumber energi terutama pada energi listrik sangat dibutuhkan untuk mendukung kemajuan teknologi. Oleh karenanya dibutuhkan pemanfaatan terhadap potensi potensi sumber energi yang bisa berasal dari lingkungan sekitar kita. Dalam dunia telekomunikasi potensi energi bisa didapatkan dari frekuensi gelombang radio. Energi yang dipancarakan dari gelombang radio dapat dimanfaatkan dan dapat dikonversi menjadi energi listrik. Rectifier penyearah merupakan sebuah alat yang sangat penting dan berguna untuk mengubah listrik alernating current AC ke listrik direct current DC. Pada sistem energy harvesting, rectifier dengan efisiensi tinggi sangat dibutuhkan dan masih terus dikembangkan hingga saat ini. Differentially Driven Rectifier memiliki efisiensi yang tinggi namun bekerja pada level daya yang belum cukup rendah. Pada penelitian ini dilakukan simulasi dan fabrikasi rectifier dengan penggunaan metode konfigurasi teknik dual voltage DDR yang dapat bekerja pada frekuensi WLAN 2.4 GHz dengan level daya yang rendah.Dari hasil simulasi, parameter rectifier hasil perancangan didapat Insertion Loss S21 dan Return Loss S11 paling bagus sebesar -0.475 dB dan -24,373 dB pada frekuensi tengah 2,45 GHz dan memiliki bandwidth sebesar 200 MHz. Kemudian, rectifying circuit mampu menghasilkan daya keluaran sebesar 0,713 volt dengan nilai Pin = -12 dBm, RL = 2 k?. Dari hasil pengukuran, parameter rectifier hasil perancangan didapat Insertion Loss S21 dan Return Loss S11 paling bagus sebesar -2.65 dB dan -22.64 dB pada frekuensi tengah 2.42 GHz dan memiliki bandwidth sebesar 400 MHz. Kemudian, rectifying circuit mampu menghasilkan daya keluaran sebesar 0.543 volt dengan nilai Pin = -12 dBm, RL = 2 k?.

---

In an era where energy is needed as it is today, alternative sources of energy especially on electrical energy is needed to support technological advances. Therefore, the utilization of potential energy sources that can be derived from the environment around us. In the world of telecommunication energy potential can be obtained from the frequency of radio waves. The energy that radiated from radio waves can be utilized and can be converted into electrical energy. Rectifier is a very important and useful tool to convert electric current AC to direct current DC . In the harvest energy system, high efficiency rectifiers are needed and are still being developed to date. Differential Driven Rectifiers have a high efficiency but work at a power level that is not yet low enough. In this research, simulation and fabrication of rectifier using dual voltage DDR technique configuration method that can work at WLAN frequency 2.4 GHz with very low power is designed.From the simulation results, the results of the simulated rectifying circuit rsquo s Insertion Loss S21 and Return Loss S11 has achieved the value of 0.475 dB and 24,373 dB, respectively at center frequency 2.45 GHz and has a bandwidth of 200 MHz. Moreover, this rectifier is able to output power with a value 0,713 volt of Pin 12 dBm, RL 2 K. From the measurement results, the results of the simulated rectifying circuit rsquo s Insertion Loss S21 and Return Loss S11 has achieved the value of 0.265 dB and 22.64 dB, respectively at center frequency 2.42 GHz and has a bandwidth of 400 MHz. Moreover, this rectifier is able to output power with a value 0,543 volt of Pin 12 dBm, RL 2 K.

Abstrak :
Organic Light-Emitting Diode OLED merupakan LED yang memiliki lapisan organik pada bagian emisifnya untuk memancarkan cahaya ketika dialiri arus listrik. Meskipun teknologi pencahayaan dan display OLED sudah berkembang, efisiensi OLED secara umum masih rendah sehingga dibutuhkan penelitian dan eksperimen yang dapat meningkatkan performa OLED baik dari segi struktur maupun materialnya. Skripsi ini akan membahas pengaruh jenis material anoda dan katoda terhadap efisiensi daya melalui proses simulasi dengan software SimOLED 4.5.1. Struktur yang disimulasikan adalah single emissive layer OLED dengan Alq3 sebagai material organiknya. Selain itu, juga akan dilakukan proses fabrikasi menggunakan teknik laminasi dan spin-coat. Fabrikasi bertujuan untuk menganalisis material katoda yang menghasilkan karakterisasi I-V paling optimal. Hasil dari simulasi pada SimOLED membuktikan bahwa kombinasi material PEDOT:PSS dan alumunium Al memiliki nilai efisiensi daya sebesar 1000 kali lebih tinggi dibanding struktur referensi ITO ndash; Lif-Al . Kemudian pada proses fabrikasi, material katoda yang menghasilkan performa paling baik adalah Al dengan PFO sebagai lapisan emisif dan ITO sebagai anoda. Hasil OLED yang difabrikasi menghasilkan arus tertinggi sebesar 2 10-8 A pada 10 Volt. ......Organic Light Emitting Diode OLED is an LED that has an organic layer on its emissive layer to emit light when electrified. Although OLED lighting and display technologies have evolved, OLED efficiency is generally low. Therefore, research and experiments are required so that OLED performance can be improved from both its structure and material. This thesis will discuss the effect of anode and cathode material on power efficiency through simulation process using SimOLED 4.5.1 software. The simulated structure is a single emissive layer OLED with Alq3 as its organic material. In addition, fabrication process will also be done using lamination and spin coat techniques. Fabrication aims to analyze the cathode material that produces the most optimum I V characterization. Simulation results show that the combination of PEDOT PSS and aluminum as the electrode material has a power efficiency value of 1000 times higher than reference structure which is ITO and Lif Al. Then in the fabrication process, the cathode material that produces the best performance is aluminum, with PFO as emissive material and ITO as anode. OLED results in fabrication has a maximum current of 2 10 8 at 10 Volts.