Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Hasil Pencarian

Ditemukan 2 dokumen yang sesuai dengan query
cover
Puspita Sulistyaningrum
"Concurrent multiband LNA merupakan salah satu tipe multiband LNA yang mampu bekerja pada beberapa frekuensi berbeda secara simultan dalam satu waktu. Pada skripsi ini dirancang concurrent multiband LNA yang bekerja pada empat pita frekuensi (quadband) yaitu 950 MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, dan 2.75 GHz. LNA yang dirancang menggunakan topologi inductive source degeneration dan menggunakan teknologi CMOS 0.18 μm. Spesifikasi LNA yang dirancang adalah memenuhi standar kestabilan (K > 1), gain (S21) > 10 dB, input return loss (S11) < -10 dB, Noise figure (NF) < 3 dB, dan konsumsi daya ≤ 20 mW.
Berdasarkan hasil simulasi yang dilakukan, rancangan LNA telah memenuhi spesifikasi yaitu memiliki K > 1, S21 sebesar 17.007 dB pada frekuensi 950 MHz, 15.542 dB pada frekuensi 1.85 GHz, 14.974 dB pada frekuensi 2.35 GHz, dan 14.380 dB pada frekuensi 2.75 GHz. S11 sebesar -29.261 dB pada frekuensi 950 MHz, -17.915 dB pada frekuensi 1.85 GHz, -15.325 dB pada frekuensi 2.35 GHz, dan -15.921 dB pada frekuensi 2.75 GHz. NF sebesar 0.906 dB pada frekuensi 950 MHz, 0.606 dB pada frekuensi 1.85 GHz, 0.658 dB pada frekuensi 2.35 GHz, dan 0.636 dB pada frekuensi 2.75 GHz. Besarnya konsumsi daya rangkaian adalah sebesar 20 mW. Simulasi dilakukan dengan perangkat lunak Advance Design System (ADS).

Concurrent multiband LNA is one type of multiband LNA that works at several frequency bands one time simultaneously. This final project presents a design of Concurrent multiband LNA that works at four frequency bands (quadband) namely 950 MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, and 2.75 GHz. The simulated LNA uses inductive source degeneration topology in 0.18 μm CMOS technology. The design specifications of LNA are K > 1, gain (S21) > 10 dB, input return loss (S11) < -10 dB, Noise figure (NF) < 3 dB, and power consumption ≤ 20 mW.
Based on the simulation result, the design of LNA achieves specifications; K > 1, S21 are 17.007 dB at 950 MHz, 15.542 dB at 1.85 GHz, 14.974 dB at 2.35 GHz, and 14.380 dB at 2.75 GHz. S11 are -29.261 dB at 950 MHz, -17.915 dB at 1.85 GHz, -15.325 dB at 2.35 GHz, and -15.921 dB at 2.75 GHz. NF are 0.906 dB at 950 MHz, 0.606 dB at 1.85 GHz, 0.658 dB at 2.35 GHz, dan 0.636 dB at 2.75 GHz. Power comsumption is 20 mW. Simulation performed with Advance Design System (ADS) software.
"
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2012
S43287
UI - Skripsi Open  Universitas Indonesia Library
cover
Puspita Sulistyaningrum
"ABSTRAK
Concurrent multiband LNA merupakan salah satu tipe multiband LNA yang
mampu bekerja pada beberapa frekuensi berbeda secara simultan dalam satu
waktu. Pada tesis ini dirancang concurrent multiband LNA yang bekerja pada
empat frekuensi tengah yaitu 950 MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, dan 2.65 GHz.
LNA yang dirancang menggunakan transistor HJ-FET NE3210S01 dengan bias
jenis self bias, topologi input matching inductive degeneration yang ditambahkan
resonator LC paralel, dan ditambah transistor yang dipasang cascode. Simulasi
dilakukan dengan menggunakan perangkat lunak Advance Design System (ADS),
layout dibuat dengan perangkat lunak altium designer dan kemudian difabrikasi di
atas PCB.
Hasil simulasi dari rancangan LNA menunjukkan bahwa pada keempat frekuensi
tengah 950 MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, dan 2.65 GHz, S21 mencapai 21.77 dB,
17.88 dB, 16.71 dB, dan 15.85 dB untuk keempat frekuensi tengah. S11 sebesar -
23.23 dB, -20.46 dB, -17.93 dB, dan -19.69 dB. NF sebesar 0.73 dB, 0.69 dB,
0.68 dB, dan 0.75 dB.
Hasil pengukuran menunjukkan frekuensi tengah yang bergeser menjadi 665 MHz
dengan S11 -14.57 dB dan S21 -4.56 dB, 1.07 GHz dengan S11 -13.42 dB dan S21 -
5.79 dB, 1.34 GHz dengan S11 -13.34 dB dan S21 -2.01 dB, dan 2.84 GHz dengan
S11 -24.49 dB dan S21 -14.79 dB.

ABSTRACT
Concurrent multiband LNA is one type of multiband LNA that works at several
frequency bands one time simultaneously. This project presents a design of
Concurrent multiband LNA that works at four frequency centers namely 950
MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, and 2.65 GHz. The simulated LNA uses HJ-FET
NE3210S01 with self bias, inductive degeneration topology added with resonator
LC, and added with cascode transistor. Simulation performed with Advance
Design System (ADS), layout is designed with altium designer software than
fabricated on PCB.
The simulation result of the LNA shows that, at four frequency centers 950 MHz,
1.85 GHz, 2.35 GHz, and 2.65 GHz, S21 achieves 21.77 dB, 17.88 dB, 16.71 dB,
and 15.85 dB respectively, S11 achieves -23.23 dB, -20.46 dB, -17.93 dB, and -
19.69 dB respectively, NF achieves 0.73 dB, 0.69 dB, 0.68 dB and 0.75 dB
respectively.
The measurement result shows that frequency centers shift, they are 665 MHz
with S11 -14.57 dB and S21 -4.56 dB, 1.07 GHz with S11 -13.42 dB and S21 -5.79
dB, 1.34 GHz with S11 -13.34 dB and S21 -2.01 dB, and 2.84 GHz with S11 -24.49
dB and S21 -14.79 dB."
Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2013
T35228
UI - Tesis Membership  Universitas Indonesia Library