Ditemukan 1 dokumen yang sesuai dengan query
Lee Chan Uk
"
Resistansi listrik lapisan tipis tin doped indium oxide (In203:Sn, ITO) yang dibuat dengan cara dc magnetron sputtering telah diteliti. Resistivitas yang diukur dengan cara empat titik berkisar dari 1.2 x 10'3 Slcm sampai 7.9 x 10-3 SZcm tergantung dari kadar oksigen pada temperatur ruangan. Di bawah temperatur 100 K, kerapatan pembawa muatan mendominasi konduktivitas sehingga dapat dikatakan bahwa ITO bersifat sebagai semikonduktor dengan energi aktivasi dari 2 x 10-6 eV sampai 1 x 104 eV. ...
"
Depok: Universitas Indonesia, 1997
T-Pdf
UI - Tesis Membership Universitas Indonesia Library
