Ditemukan 11 dokumen yang sesuai dengan query
Daniel D S
"
Pada penetitian ini dilakukan simulasi kurva C-V akibat efek deplesi polisilikon yang dipengaruhi oleh bentuk geometri gale dan dopant profile pada pMOS yang diperkecil. Dopant profile yang tidak seragam baik secara vertikal rnaupun lateral konsentrasi doping polisilikon (10 111 - 1020)/cm3 menimbulkan drop tegangan yang memiliki kapasitansi 0,4 sampai 4,2 )JF/cm 2 Saat panjang dan lebar gate diperkecil menyebabkan bertambabnya daerah deplesi yang menyebabkan drop tegangan. Akibat adanya daerah deplesi pada gate tersebut menimbulkan kapasitansi ...
"
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2004
S39983
UI - Skripsi Membership Universitas Indonesia Library
Gajski, Daniel D.
New Jersey: Prentice-Hall, 1997
005.2 GAJ p
Buku Teks Universitas Indonesia Library
Arnheim, Daniel D.
Boston: McGraw-Hill, 2002
617.102 7 ARN p
Buku Teks Universitas Indonesia Library
Arnheim, Daniel D.
Boston : McGraw-Hill, 1999
617.102 7 ARN e
Buku Teks Universitas Indonesia Library
Arnheim, Daniel D.
Boston : McGraw-Hill , 2000
617.1 ARN p
Buku Teks Universitas Indonesia Library
McCracken, Daniel D.
New York: John Wiley & Sons, 1982
001.642 MCC g
Buku Teks Universitas Indonesia Library
McCraken, Daniel D.
New York: John Wiley & Sons, 1976
005.133 McC s
Buku Teks Universitas Indonesia Library
Chiras, Daniel D.
Menlo Park: The Benyamin/Cumings Publishing Company, 1985
363.7 CHI e
Buku Teks Universitas Indonesia Library
McGarry, Daniel D.
Totowa: Littlefield, Adams, 1968
940.102 MCG o
Buku Teks Universitas Indonesia Library
Chiras, Daniel D.
Harlow, Essex: Pearson, 2014
333.72 CHI n
Buku Teks Universitas Indonesia Library
