Ditemukan 2 dokumen yang sesuai dengan query
Achmad Fadhol
"
Heterojunction adalah sambungan yang dibentuk antara dua material semikonduktor dengan bandgap yang barbeda. Sambungan tersebut dapat berupa sambungan yang abrupt atau graded. Heterojunction Bipolar Transistor merupakan bipolar transistor yang mempunyai ketipisan di bawwh 50nm yang menumbuhkan lapisan campuran Si1.xGex sebagai basis. Kandungan Ge sampai 50% dapat digabungkan dengan Si standard BJT (bipolar junction transistor), dengan ketipisan 10 sampai 50 nm pada basis.
Pada penelitian ini dibuat rancangan Heterojunction Bipolar Transistor Si/Si1_xGex/Si dengan memperhitungkan mobilitas hole dengan ...
"
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2002
T1881
UI - Tesis Membership Universitas Indonesia Library
Achmad Fadhol
"
Heterojunction adalah sambungan yang dibentuk antara dua material semikonduktor dengan bandgap yang berbeda yang mempunyai ketipisan di bawah 50nm yang menumbuhkan lapisan campuran Si1-xGex sebagai basis. Sambungan tersebut dapat berupa sambungan yang abrupt atau graded.
Pada penelitian ini dipelajari formulasi dari pengaruh konsentrasi doping terhadap tahanan basis dan bandgap narrowing pada Si/Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor dengan sambungan emitter-basis yang abrupt, selain memperhatikan mobilitas dan lebar basis pada resistansi basis juga pengaruh fraksi mole pada energi bandgap.
Dari ...
"
Depok: Lembaga Penelitian Universitas Indonesia, 2003
AJ-Pdf
Artikel Jurnal Universitas Indonesia Library
