Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Penelitian pada tesis ini di bidang divais fotonik diutamakan pada pabrikasi dan karakterisasi dari bahan dasar GaInAsP/InP untuk penguat optik dengan panjang gelombang 1,55 µm, yang tidak lain adalah sama dengan bahan dasar untuk laser semikonduktor.Pada rancang bangun penguat optik dibuat struktur lapisan yang menghasilkan moda tunggal yang terdiri dan 4 buah lapisan GaInAsP, masing-masing 2 lapisan pandu gelombang dengan panjang gelombang 1,17 pm, lapisan aktif dengan 1,55 pm, dan lapisan anti cair ulang (ACU) dengan 1,3 gm. Untuk penumbuhan dipilih lapisan pandu gelombang dengan ketebalan 0,25 gm, lapisan aktif 0,19 pm dan lapisan ACU 0,19 gm. Di tumbuhankan dengan menggunakan LPE (Liquid Phase Epitaxy) yaitu penumbuhan yang dilakukan pada saat kristal dalam keadaan fasa cair dengan teknik penumbuhan Two-Phase Solution. Bahan InP, GaAs, InAs sebagai bahan sumber ditumbuhkan diatas substrat InP, membentuk struktur lapisan DH (Double Heterostructure) instrinsik tujuh lapisan dan melalui proses lanjutan dapat dibuat menjadi penguat optik atau diode laser sernikonduktor GaInAsP/InP 1,55 µm.Struktur dasar GaInAsP/InP untuk penguat optik dibuat dengan proses penumbuhan, yang dimulai dengan menyentuhkan larutan kristal Indium pada sampel substrat, kemudian dilakukan penumbuhan lapian dengan menyentuhkan larutan kristal secara berurutan diatas sampel substrat. Proses penumbuhan dilakukan tiga tahapan, yaitu : tahapan pendahuluan, tahapan pembentukan pandu gelombang dan tahapan pembentukan struktur DH (Double Heterostucture). Ketebalan lapisan dapat diatur dengan memvariasi suhu peleburan dan waktu penumbuhan. Karakterisasi ketebalan lapisan dilakukan dengan menggunakan SEM, dan Pengukuran panjang gelombang dilakukan dengan photoluminescence, dengan cara menembakkan laser pada pennukaan sampel. Emisi pandu gelombang diterima, direkam menggunakan optical spectrum analyzer (OSA).

---

This research is focused on photonic devices particularly on fabrication and characteristic of 1.55 gm GaInAsP/InP semiconductor laser materials for an optical amplifier.

The Optical amplifier was designed for a single-mode laser. This layers contains of four layers where two of them ar ,used as 1,17 p.m wave guide and the other are applied as a 1,55 µm active layer and a 1,3 gm anti melt back (AMB) layer. The layers were growth by designing 0.25 gm wave guiding layer thickness, 0,19 gm active layer thickness, and 0.19 gm AMB layer thickness. The layers was grow by LPE (Liquid Phase Epitaxy) with The Two Phase Solution growing technique. Source material InP, GaAs, InAs was grown on InP substrate, form seven layers of intrinsic DH and then via further process, these layers structure ca be made as an optical amplifier or a semiconductor laser diode of 1.55 gm GaInAsPfInP .

The basic structure was made by touching an indium crystal on a sample substrate. Then , some layers were growth by touching other crystal solution consecutively on the sample substrate. The growth process was three step of growth i.e: in the first place of growth, growth of wave guide and growth of DH. The thickness of any layers was arranged by varying the melting temperature and the growth time. The thickness characterization of the layer was carried out by SEM and the wave length measurement was executed by shooting a laser on the sample surface. The emission of the wave guides was received and recorded by an optical spectrum analyzer."

"Artikel ini mempresentasikan formulasi optimisasi nonlinear berbatasuntuk menghitung kondisi terburuk batas bawah dan batas atas hargarelative disturbance gain array (RDGA) untuk suatu model proses yang mengandung ketidakpastian. Pendekatan yang diusulkan adalah untuk mencari harga relative disturbance gain minimum dan maksimum sesuaibatasan kisaran ketidakpastian yang terdapat baik pada gainproses maupun gain gangguan. Kisaran RDGA berguna untuk penentuan struktur pengendali dan ketegarannya (robustness) karena menyediakan informasi terkait sensitivitasnya terhadap ketidakpastian harga gain. Metode yang diusulkan kemudian diaplikasikan pada studi kasus kolom distilasi. Hasil simulasi lintas tertutup mendukung analisis yang didasarkan pada metode yang diusulkan. Pada kasus yang dipelajari, ditunjukkan bahwa untuk suatu derajat ketidakpastian tertentu, kisaran determinan gain tidak boleh mencakup titik nol untuk menjamin keberhasilan perhitungan. Untukkasus sistem distilasi yang dipelajari, harga maksimum ketidakpastian,α adalah 0.339 untuk menghindari singularitas matrix K (gain).

---

AbstractThis article discusses the constrained nonlinear optimization formulation for calculating the worst case of lower and upper bounds of relative disturbance gain array (RDGA) for uncertain process models. The proposed approach seeks the minimum and maximum values of the relative disturbance gains subject to the constraints in which the process and disturbance gains are within their uncertainty ranges. RDGA ranges are useful for control structure determination and the related robustness, as they provide information regarding the sensitivity to gain uncertainties. The proposed method is demonstrated by ternary distillation column case study. Closed loop simulation results support the analysis based on the proposed method. It is shown that for a particular degree of uncertainties, the range of process gain determinant should not include zero to ensure the successfulness of the calculation. For the distillation system being studied, the maximum allowable α is 0.339 to avoid the singularity of matrix K."

"ABSTRAKPada teknologi laser, cavity merupakan bagian yang sangat penting untuk menghasilkan cahaya yang monokromatis dan koheren. Pada penelitian ini diobservasi metode perhitungan untuk perancangan daerah aktif atau cavity untuk laser GaInAsP/InP BIG-DBR (Bundle Integrated Guide - Bragg Distribution Reflector) untuk panjang gelombang 1,55 µm. Metoda ini pada pembahasan berikutnya disebut Metode perhitungan Spasial yang sangat berguna terutama untuk perancangan fabrikasi dasar dari laser diode semikonduktor menggunakan EFC (Epitaksi Fase Cair).Beberapa parameter digunakan seperti kerapatan arus ambang, arus injeksi bias, lebar pita modulasi (diwakili oleh frekuensi resonansi), pergeseran panjang gelombang dinamis maksimum, dan jarak antar mode. Sebagai hasilnya diperoleh distribusi spacial dan geometris cavity dari laser yang dirancang, dan untuk langkah selanjutnya perancang dapat memilih rancangan yang paling sesuai dengan kebutuhan yang diwakili oleh syarat batas-syarat Batas dalam bentuk parameter limit. Dan arus ambang dan arus bias merupakan batasan yang paling menentukan pada perancangan ini.

---

ABSTRACTIn the laser technology, cavity is a very important part to produce monochromatic and coherence light. In this article the calculation method has been observed to design active region or cavity of 1.55 Erin GaInAsP/InP BIG-DBR (Bundle Integra-red Guide - Bragg Distribution Reflector) laser diode. The method in the next dis-cussion is called Spatial Calculation Method is useful particularly to preliminary fabrication design of such laser type using LPE (Liquid Phase Epitaxy).Several limit parameters is used such as threshold current (density), bias injection current, modulation bandwidth (represents by resonance like frequency of the cavity), dynamic wavelength shift, and mode separation wavelength. As a result is the spatial distribution of geometrical cavity of such laser design, and for the next step the designer could select the appropriate geometrical cavity with boundary value around the limit parameters. And the threshold- and bias injection current are as the very important parameters in the calculation method."

"ABSTRACT

Recently, the Indonesian researchers have anticipated the research on photonic devices especially on semiconductor laser. According to the anticipation above, the scope of this research is on photonic devices particularly on design and performance fabrication of 1.55 um GaInAsPfInP semiconductor laser using intrinsic single-mode layers.

The semiconductor laser was designed using intrinsic single-mode layers that consist of 4 (four) layers i.e., 2 (two) waveguiding layers with 1,15 p.m, AMB (Anti Melt Back) layer with 1.3 pm, and active layer with 1.55 pm. The layers were growth by designing 0.17 pm waveguiding layer thickness, 0.1 pm active layer- and AMB layer thickness, respectively. The performance optimizing were on optical confinement factor of the single-mode layers and threshold current.

The design and simulation results that threshold current of 702,5 mA and the optical confinement factor of 0.801 can be achieved. In addition, the optimum performance was obtained with thicker AMB layer, thicker active layer, and thinner wave-guiding layers.

---

ABSTRAKPara peneliti di Indonesia hingga saat ini telah mengantisipasi penelitian di bidang devais fotonik terutama diode laser semikonduktor. Penelitian pada tesis ini di bidang devais fotonik diutamakan pada rancang bangun dan simulasi unjuk kerja dari diode laser semikonduktor pada panjang gelombang 1,55 um dengan bahan GalnAs-PIInP menggunakan lapisan mode tunggal intrinsik.Pada rancang bangun dirancang suatu diode laser semikonduktor dengan lapisan mode tunggal yang terdiri dari empat buah lapisan GaInAsP masing-masing 2 buah lapisan pandu gelombang dengan panjang gelombang 1,15 µm, lapisan aktif dengan 1,55 gm, dan lapisan anti cair ulang (ACU) dengan 1.3 µm. Untuk penumbuhan dipilih lapisan pandu gelombang setebal 0,17 gm, lapisan aktif setebal 0,1 gm dan lapisan ACU setebal 0,1 gm. Dalam perancangan, parameter faktor perangkap cahaya dari lapisan mode tunggal dan besamya arus ambang memegang peranan penting untuk mengoptimalkan unjuk kerja.Hasil rancang bangun dan simulasi memperlihatkan bahwa unjuk kerja perhitungan dengan arus ambang sebesar 702,5 mA dan faktor perangkap cahaya lapisan mode tunggal sebesar 0,801 dapat dicapai. Selain itu optimalisasi unjuk kerja dapat diperoleh dengan cara mempertebal lapisan ACU, membuat lapisan aktif tidak tipis dan lapisan pandu gelombang tidak tebal."

"Salah satu usaha untuk meningkatkan kapasitas transmisi dan/atau memperpanjang jarak transmisi pada komunikasi serat optik, yaitu dengan dikembangkannya diode laser yang dapat diatur panjang gelombangnya (tunable laser diode). Diode laser ini dapat dibuat dengan 2 cara, yaitu memfabrikasi langsung laser mode tunggal (single mode laser) atau laser mode jamak (multimode laser) yang digandeng dengan external tuning. Pada Tesis ini dilakukan uji coba dan analisa suatu sistem penalaan (tuning), sehingga cahaya laser menghasilkan panjang gelombang dengan lebar spektral yang sempit. Sistem ini menggunakan laser semikondulctor GaAs sebagai diode laser mode jamak yang mempunyai rentang panjang gelombang 640,7 nm and 722,08 nm dan daya maksimum 4 mW. Disamping itu sebagai external tuning digunakan kisi yang mempunyai jarak antara celala (d) = 327,762 µm ± 55,84 p.m , sedangkan antara diode laser dengan kisi, digunakan lensa sebagai kolimator. Dari hasil uji coba dan analisa menunjukkan bahwa panjang gelombang yang akan ditransmisikan dapat dipilih dengan merubah sudut kisi terhadap sumbu optic. Perubahan sudut kisi dapat dilakukan antara 0° sampai 60°, sedangkan panjang gelombangnya antara 675,86 nm dan 682,43 nm dengan lebar spektral antara 29.65 nm dan 113.10 nm.

---

One way to increase transmission capacity and/or to extend transmission distance in optical fiber communication is by providing tunable laser diode. There are two ways in making each laser diode, namely, fabricating directly single mode laser or using multimode laser coupled with external tuning. In this thesis a tuning system will be measured and analysed, so that laser light produces the wavelength with narrow spectral width. This system uses GaAs laser semiconductor as multimode laser diode that has wavelength range 640.7 nm and 722.08 rim and maximum power of 4 mW. Besides grating with period of grating 327,762 p.m ± 55,84 p.m is used as external tuning, while between laser diode and grating, a lens is used as collimator. The measurement and analysis shows that the wavelength that will be transmitted can be selected by changing grating angle to optical axis. The variation of grating angle is between 0° and 60°, whereas the wavelength is between 675.53 nm and 682.43 nm with spectral width between 29.65 nm and 113.10 nm."