Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKPada senyawa semikonduktor InGaAsP (Indium - Galium - Arsenit-Phosfor) yang ditumbuhkan diatas substrat InP (Indium-Phosfor), lapisan aktif Ins-xGaxAsyPI-y akan menentukan emisi foton pada panjang gelombang L untuk harga x dan y tertentu. Lapisan aktif yang mempunyai energi gap Eg = 0,8 eV ditumbuhkan sesuai kisi substrat p-InP dari struktur jamak ganda InGaAsP/InP akan menghasilkan spektrum emisi spontan pada daerah panjang gelombang X = 1,55 mm. Doping konsentrasi aseptor Na lapisan p-InP akan menentukan puncak panjang gelombang Xp dari pada spektrum emisi spontan. Spektrum emisi spontan pada puncak panjang gelombang Xp = 1,55 pm memungkinkan untuk ditransmisikan melalui media serat optik yang terbuat dari bahan serat silika optik mode tunggal. Pada penulisan tugas thesis ini dilakukan simulasi spektrum emisi spontan relatif R dari lapisan aktip terhadap perubahan dari konsentrasi aseptor Na menggunakan perangkat lunak Borland delphi. Analisa hasil simulasi menunjukkan spektrum emisi spontan relatif R pada puncak panjang gelombang 7-p = 1,55 pm terjadi pada konsentrasi aseptor Na = 150 x 1017 Cm-9 dan parameter band tail = 0,072 eV.

---

In semiconductor compound of InGaAsP (Indium--Gallium--Arsenit-Phosfor) being growing on InP (Indium--Phosfor) substrate, the active layer of Ini-xGaxAsyPI-y is going to determine photon emission at wavelength of k for values certain of x and y.

The active layer having gap energy of Eg = 0.8 eV lattice-matched to InP of double heterostructure InGaAsP/InP yield spontaneous emission spectrum at wavelength region of X = 1.55 pm. Doping acceptor concentration of Na for p--InP layer would determine on peak wavelength of kp for spontaneous emission spectrum. The spontaneous emission spectrum on the peak wavelength of Xp = 1.55 pm is possible for use as transmitted through single mode fiber optic which made of optic silica material.

In the writing this thesis, the relative spontaneous emission spectrum of R from active layer simulated with various of Na acceptor concentrations by using delphi borland software.

Simulation result analyzing show that relative spontaneous emission of R on peak wavelength of Xp = 1.55 pm is happened for acceptor concentration of Na = 150 x 1017 Cm-3 and band tail parameter of 77 = 0.072 eV."

"ABSTRACT

Recently, the Indonesian researchers have anticipated the research on photonic devices especially on semiconductor laser. According to the anticipation above, the scope of this research is on photonic devices particularly on design and performance fabrication of 1.55 um GaInAsPfInP semiconductor laser using intrinsic single-mode layers.

The semiconductor laser was designed using intrinsic single-mode layers that consist of 4 (four) layers i.e., 2 (two) waveguiding layers with 1,15 p.m, AMB (Anti Melt Back) layer with 1.3 pm, and active layer with 1.55 pm. The layers were growth by designing 0.17 pm waveguiding layer thickness, 0.1 pm active layer- and AMB layer thickness, respectively. The performance optimizing were on optical confinement factor of the single-mode layers and threshold current.

The design and simulation results that threshold current of 702,5 mA and the optical confinement factor of 0.801 can be achieved. In addition, the optimum performance was obtained with thicker AMB layer, thicker active layer, and thinner wave-guiding layers.

---

ABSTRAKPara peneliti di Indonesia hingga saat ini telah mengantisipasi penelitian di bidang devais fotonik terutama diode laser semikonduktor. Penelitian pada tesis ini di bidang devais fotonik diutamakan pada rancang bangun dan simulasi unjuk kerja dari diode laser semikonduktor pada panjang gelombang 1,55 um dengan bahan GalnAs-PIInP menggunakan lapisan mode tunggal intrinsik.Pada rancang bangun dirancang suatu diode laser semikonduktor dengan lapisan mode tunggal yang terdiri dari empat buah lapisan GaInAsP masing-masing 2 buah lapisan pandu gelombang dengan panjang gelombang 1,15 µm, lapisan aktif dengan 1,55 gm, dan lapisan anti cair ulang (ACU) dengan 1.3 µm. Untuk penumbuhan dipilih lapisan pandu gelombang setebal 0,17 gm, lapisan aktif setebal 0,1 gm dan lapisan ACU setebal 0,1 gm. Dalam perancangan, parameter faktor perangkap cahaya dari lapisan mode tunggal dan besamya arus ambang memegang peranan penting untuk mengoptimalkan unjuk kerja.Hasil rancang bangun dan simulasi memperlihatkan bahwa unjuk kerja perhitungan dengan arus ambang sebesar 702,5 mA dan faktor perangkap cahaya lapisan mode tunggal sebesar 0,801 dapat dicapai. Selain itu optimalisasi unjuk kerja dapat diperoleh dengan cara mempertebal lapisan ACU, membuat lapisan aktif tidak tipis dan lapisan pandu gelombang tidak tebal."

"ABSTRAKPada teknologi laser, cavity merupakan bagian yang sangat penting untuk menghasilkan cahaya yang monokromatis dan koheren. Pada penelitian ini diobservasi metode perhitungan untuk perancangan daerah aktif atau cavity untuk laser GaInAsP/InP BIG-DBR (Bundle Integrated Guide - Bragg Distribution Reflector) untuk panjang gelombang 1,55 µm. Metoda ini pada pembahasan berikutnya disebut Metode perhitungan Spasial yang sangat berguna terutama untuk perancangan fabrikasi dasar dari laser diode semikonduktor menggunakan EFC (Epitaksi Fase Cair).Beberapa parameter digunakan seperti kerapatan arus ambang, arus injeksi bias, lebar pita modulasi (diwakili oleh frekuensi resonansi), pergeseran panjang gelombang dinamis maksimum, dan jarak antar mode. Sebagai hasilnya diperoleh distribusi spacial dan geometris cavity dari laser yang dirancang, dan untuk langkah selanjutnya perancang dapat memilih rancangan yang paling sesuai dengan kebutuhan yang diwakili oleh syarat batas-syarat Batas dalam bentuk parameter limit. Dan arus ambang dan arus bias merupakan batasan yang paling menentukan pada perancangan ini.

---

ABSTRACTIn the laser technology, cavity is a very important part to produce monochromatic and coherence light. In this article the calculation method has been observed to design active region or cavity of 1.55 Erin GaInAsP/InP BIG-DBR (Bundle Integra-red Guide - Bragg Distribution Reflector) laser diode. The method in the next dis-cussion is called Spatial Calculation Method is useful particularly to preliminary fabrication design of such laser type using LPE (Liquid Phase Epitaxy).Several limit parameters is used such as threshold current (density), bias injection current, modulation bandwidth (represents by resonance like frequency of the cavity), dynamic wavelength shift, and mode separation wavelength. As a result is the spatial distribution of geometrical cavity of such laser design, and for the next step the designer could select the appropriate geometrical cavity with boundary value around the limit parameters. And the threshold- and bias injection current are as the very important parameters in the calculation method."

"Salah satu usaha untuk meningkatkan kapasitas transmisi dan/atau memperpanjang jarak transmisi pada komunikasi serat optik, yaitu dengan dikembangkannya diode laser yang dapat diatur panjang gelombangnya (tunable laser diode). Diode laser ini dapat dibuat dengan 2 cara, yaitu memfabrikasi langsung laser mode tunggal (single mode laser) atau laser mode jamak (multimode laser) yang digandeng dengan external tuning. Pada Tesis ini dilakukan uji coba dan analisa suatu sistem penalaan (tuning), sehingga cahaya laser menghasilkan panjang gelombang dengan lebar spektral yang sempit. Sistem ini menggunakan laser semikondulctor GaAs sebagai diode laser mode jamak yang mempunyai rentang panjang gelombang 640,7 nm and 722,08 nm dan daya maksimum 4 mW. Disamping itu sebagai external tuning digunakan kisi yang mempunyai jarak antara celala (d) = 327,762 µm ± 55,84 p.m , sedangkan antara diode laser dengan kisi, digunakan lensa sebagai kolimator. Dari hasil uji coba dan analisa menunjukkan bahwa panjang gelombang yang akan ditransmisikan dapat dipilih dengan merubah sudut kisi terhadap sumbu optic. Perubahan sudut kisi dapat dilakukan antara 0° sampai 60°, sedangkan panjang gelombangnya antara 675,86 nm dan 682,43 nm dengan lebar spektral antara 29.65 nm dan 113.10 nm.

---

One way to increase transmission capacity and/or to extend transmission distance in optical fiber communication is by providing tunable laser diode. There are two ways in making each laser diode, namely, fabricating directly single mode laser or using multimode laser coupled with external tuning. In this thesis a tuning system will be measured and analysed, so that laser light produces the wavelength with narrow spectral width. This system uses GaAs laser semiconductor as multimode laser diode that has wavelength range 640.7 nm and 722.08 rim and maximum power of 4 mW. Besides grating with period of grating 327,762 p.m ± 55,84 p.m is used as external tuning, while between laser diode and grating, a lens is used as collimator. The measurement and analysis shows that the wavelength that will be transmitted can be selected by changing grating angle to optical axis. The variation of grating angle is between 0° and 60°, whereas the wavelength is between 675.53 nm and 682.43 nm with spectral width between 29.65 nm and 113.10 nm."

"Tujuan dari dilakukanya percobaan ini untuk menganalisis sifat morfologi, optik, dan struktur kimia dari struktur nano untuk mendapatkan hasil yang paling baik pada aplikasi optoelektronika. Telah dilakukan sintesis struktur nano dari bulk heterojunction poly{2,2'-(2,5-bis(2-octyldodecyl)-3,6-dioxo-2,3,5,6 tetrahydropyrrolo[3,4-c]pyrrole1,4-diyl)dithieno[3,2-b]thiophene-5,5'-diyl-alt-thiophen-2,5-diyl} (PDPPBTT):[6,6]-Phenyl C71 butyric acid methyl ester (PC71BM) pada template aluminium (AAO) dengan menggunakan metode sentrifugasi dengan variasi konsentrasi (5 dan 10 mg mL-1) dan kecepatan putar sentrifugasi (3000, 3500, and 4000 rpm). Sifat morfologi menunjukkan bentuk yang tidak jelas antara nanorod dan nanotube. Sifat optik yang diinginkan terdapat pada struktur nano dengan variasi 3000 rpm pada 10 mg mL-1 yang menghasilkan intensitas tertinggi pada absorpsi UV-Vis dan intensitas terendah pada emisi PL. Penambahan PC71BM menghasilkan rantai konjugasi yang lebih panjang yang berpengaruh pada sifat optiknya. Puncak Raman menunjukkan struktur molekul yang terdapat pada PDPPBTT dan PC71BM dengan susunan rantai polimer yang lebih baik.

---

The aim of this study to analyze the morphological, optical and chemical structure properties of the nanostructure to obtain the optimum condition for optoelectronic device application. Nanostructures of bulk heterojunction poly{2,2'-(2,5-bis(2-octyldodecyl)-3,6-dioxo-2,3,5,6 tetrahydropyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4-diyl)dithieno[3,2-b]thiophene5,5'-diyl-alt-thiophen-2,5-diyl} (PDPPBTT):[6,6]-Phenyl C71 butyric acid methyl ester (PC71BM) by fabricating in aluminum template (AAO) using centrifuge method is done with varying the concentrations (5 and 10 mg mL-1 ) and centrifugal rotational speeds (3000, 3500, and 4000 rpm). The morphological properties showed no clearly nanorods or nanotubes formed. Desired optical properties of nanostructures formed at 3000 rpm for 10 mg mL-1 which exhibited highest intensity of absorption peak and do significantly decreasing intensity at emission of PL spectra. Adding PC71BM experience longer conjugation chain hence affected its optical properties in better performances for optoelectronic devices. For Raman peaks, showed molecular structures of PDPPBTT and PC71BM in better arrangement of polymer chain."