Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKUntuk mengurangi cacat pada kristal tunggal silicon dengan orientasi (100) yang telah ditumbuhkan dengan Metode Czochralski, telah dilakukan penganilan terhadap wafer-wafer kristal dengan variasi temperatur 1000, 1100 dan 1200 °C, serta waktu anil 6, 12 dan 24 jam. Metode yang digunakan dalam pengamatan cacat kristai adalah Metode Permukaan (etch pits) dengan luas efektif setiap titik pengamatan sebesar 0,11 mm2. Hasil pengamalan memperlihatkan terjadinya fluktuasi kuantitas cacat kristal dari ujung seed sampai ujung ingot: sampel tanpa proses anil mempunyai cacat yang berfluktuasi antara 4758 sampai 11495/cm2, sedangkan sampel yang dianil mempunyai cacat antara 1541 sampai 5388/cm2.

---

ABSTRACT

In reducing the crystal defects at single crystal silicon with the orientation (100) which has been grown using Czochralski Method, the annealing process of crystal wafers have been done with temperature variation of 1000, 1100 and 1200 °C and also annealing time 6, 12 and 24 hours. Etch pits method has been used to obtain the crystal defects using an effective observation area of 0.11 mm2. The result shows that the defects fluctuation occur accross the length of the sample, from the seed-end toward the bottom-end, also the samples that were not annealed having the variation of crystal defects between 4758 to 114951cm2, while the samples that were annealed showing the defects variation between 1541 to 5388/cm2."

"Pemberian doping La pada CaMnO3 akan membentuk sampel LaxCa1-xMnO3. Sampel ini dibuat dengan metode zat padat dari bahan dasar La2O3, CaCO3 dan MnO2 berdasarkan perhitungan stoikiometri untuk nilai x = 0,1 ; x = 0,5 dan x = 0,9. Preparasi sampel dimulai dengan uji XRD terhadap bahan-bahan dasar, kemudian mencampur semua bahan dasar dengan menggunakan ball mill selama 10 jam. Proses dilanjutkan dengan pemanasan menggunakan furnace dengan suhu 1350o C selama 12 jam, kemudian sampel dikompaksi untuk uji XRD. Sampel diball mill kembali selama 5 jam, kemudian di panaskan pada suhu 11000 C selama 24 jam, sebagian dikompaksi untuk uji XRD dan sebagian lagi tetap dalam bentuk serbuk untuk uji PSA.Hasil karakterisasi sampel dengan XRD direfinement menggunakan program Fullprof. Berdasarkan analisis tersebut diperoleh imformasi mengenai hal-hal sebagi berikut ; untuk x = 0,1 ; x = 0,5 dan x = 0,9 pada sampel LaxCa1xMnO3. memiliki struktur kristal orthorombic.mmm; space group P n m a ( No. 62 ), dan peningkatan komposisi La tidak menyebabkan perubahan space group dan struktur kristal. Adanya meningkatnya komposisi La menyebabkan penyusutan ukuran butir kristal , penurunan nilai parameter kisi , volume unit sel dan kerapatan unit sel.

---

A Gift Doping La on CaMnO3 will form LaxCa1-xMnO3 sampel. The Sampels are made with solid state method from elementary materials of La2O3, CaCO3 and MnO2 based on calculation of stoichiometri for the value of x=0,1 ;x=0,5 ,x=0,9. XRD characterizatim is started for all of raw matrials. All elementary materials is mixed by using ball mill for 10 hours, The process is continued by using furnace with temperature 13500 C for 12 hours. The sample are compacted for the charactsization XRD. The sampel is milled again for 5 hours, then reheated again temperature 11000 C for 24 hours. A past of samples is compacted for the characterization of XRD and the remaining sample is still in form of powder for the characterization of PSA.

The XRD Result is refined by using Fullprof program. Based on the analysis we observe the following ; The crystal structure of LaxCa1xMnO3 x = 0,1 ; x = 0,5 and x = 0,9 is orthorombic with space group P n m a ( No. 62 ), the in creasing of doping is not changed the crystal structure and space group of the samples, but lowering crystal size, lattice parameter, volume and dencity of unit cell."

"Correlation between silicon content and in-steam corrosion rate of Zr 1.5WT%-Si Ingot. Silicon is normally added in a small amount to a Zr - alloy to improve its corrosion resistance without having to sacrifice its neutronic property. An excessive amount of silicon addition is known to have caused faster corrosion rate. The objective of this research was to observe the effect of silicon content on the corrosion rate of Zr - 1.5wt%Nb-Si ingot. The ingot speciments had various silicon contents of 0.1 wt%, 0,2 wt% and 0.25wt%. All them were annealed at 400 oc, 600 oC and 800 oC for four and six hours. The corrosion test was conducted in an autoclove at 8 bars and 350 oC for 8, 15 and 24 hours..."

"Dalam rangka menunjang program pemerintah mengenai penyediaan listrik bagi penduduk yang tidak terjangkau PLN dan mendukung pendirian pabrik sel surya di Indonesia, telah dilakukan penelitian penumbuhan kristal poli CuInSez, Penumbuhan bahan semikonduktor temary compounds AIBmCC"` seperti CuInSe2 dapat dibuat dengan menggunakan tungku sederhana model vertikal dengan temperatur zona tunggal, dimana sebelumya tungku tersebut telah mengalami modifikasi dan kalibrasi. Sebagai hasil dari modifikasi dan kalibrasi tersebut diperoleh suatu tungku vertikal temperatur zona tunggal yang layak digunakan untuk proses penumbuhan kristal poli CulnSe2. Dengan metoda tersebut dapat diperoleh ingot kristal poli CuInSe2 yang cukup bagus.Karakterisasi orientasi struktur kristal telah dilakukan terhadap ingot kristal poli Cu1nSe, ini, dimana ingot diiris menjadi beberapa buah wafer dengan ketebalan 2 mm dan diameter 13 mm. Dari ingot yang diperoleh dengan panjang 35 mm ini diambil 5 buah wafer untuk kepertuan karakterisasi (2 dari bagian atas, 2 dari bagian tengah dan 1 dari bagian bawah). Kelima buah wafer ini masing-masing dikarakterisasi dengan menggunakan - difraktometer sinar-x yang berada di RATAN - Serpong, dimana setelah dilakukan analisa dan perhitungan hasilnya sesuai dengan referensi yang aria. Berdasarkan data pola difraksi sinar-x, puncak-puncak yang muncul untuk CuInSe2 menunjukkan orientasi dari bidang kristal : (112), (103), (211), (105, 313), (204, 220), (116, 312), (305, 323) dan (316, 332). Sedangkan parameter kisi rata-ratanya adalah : a = b = 5,7822 A° ; c = 11,5928 A° dan c = 2,0049, dimana parameter kisi seperti itu adalah chalcopyrite.

---

To support the government program about the electric available for the people in the village is not coverage by PLN and to support the built up of solar cells factory in Indonesia, the research about grow of poly crystals CuInSer were to do. To grow materials of ternary compounds semiconductor AIBut2 I such as CuInSe2, can be made using the simple vertical single zone tempereture furnace which has previously been modified and calibrated. As a result of the above modifications and calibration, a single zone temperatur furnace can be obtained. It can then be used to grow the poly crystal CuInSe2 which this method will results a good ingot of poly crystal CuInSe2.

Characterization of the structural orientation has been made for the CulnSe2 ingot of crystal poly by slicing the ingot into five wafers with 2 mm thickness and 13 mm its diameter From the resulting ingot with 35mm in length, was obtained five wafers for the purpose of characterization (2 from the top portion, 2 from the middle and 1 from the bottom). All of these wafers were characterized using x-ray difiractometer located in BATAN - Serpong. It was found from the calculation and analysis that the result was satisfactory. According to the result of x-ray diffraction data patern, the peaks of CuInSez which founded is an orientation of the crystal fields; (112), (103), (211), (105, 313), (204, 220), (116, 312), (305, 323) and (316, 332). And the lattice parameters of CulnSe2 are : a = b = 5,7822 A° ; c = 11,5928 A° and c = 2,0049, which is the lattice parameter like that is chalcopyrite."

"Indeks bias (n) dan koefi sien absorpsi optis (α) lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi (a-SiC:H) telah diteliti dari hasil pengukuran refl eksi dan transmisi. Lapisan tipis a-SiC:H dihasilkan dengan metode deposisi dc sputtering menggunakan target silikon dalam campuran gas argon dan metan. Indeks bias (n) berkurang dengan peningkatan fl ow rate gas metan. Koefi sien absorpsi optis (α) bergeser ke energi yang lebih tinggi dengan bertambahnya fl ow rate gas metan. Lapisan tipis cenderung makin tidak teratur dan memiliki gap optis yang lebih lebar pada fl ow rate gas metan tinggi. Relasi komposisi terhadap sifat?sifat optik lapisan tipis akan didiskusikan demikianpula terhadap ketidakteraturan jaringan amorf.

---

Methane Flow Rate Effects On The Optical Properties of Amorphous Silicon Carbon (a-SiC:H) Films Deposited By DC Sputtering Methods. We have investigated the refractive index (n) and the optical absorption coeffi cient (α) from refl ection and transmission measurements on hydrogenated amorphous silicon carbon (a-SiC:H) fi lms. The a-SiC:H fi lms were prepared by dc sputtering method using silicon target in argon and methane gas mixtures. The refractive index (n) decreases as the methane fl ow rate increase. The optical absorption coeffi cient (α) shifts to higher energy with increasing methane fl ow rate. At higher methane fl ow rate, the fi lms tend to be more disorder and have wider optical gap. The relation of the optical properties and the disorder amorphous network with the compositional properties will be discussed."

"Pembuatan polikristal Copper Galium Diselenide (CuGaSe2) telah dilakukan dengan menggunakan tungku horizontal zona temperatur tunggal. Unsur-unsur penyusun dicampur, dilelehkan dan selanjutnya didinginkan sehingga menghasilkan polikristal. Kristal yang dihasilkan dikarakterisasi meliputi identifikasi struktur menggunakan XRD (X Ray Diffraction), analisis reaksi kimia selama penumbuhan menggunakan DTA (Differensial Thermal Analysis) dan komposisi unsur menggunakan SEM (Scanning Electron Microscopy).Kristal yang dihasilkan secara visual cukup baik dan tidak menempel pada dinding ampoule. Struktur kristal sampel adalah chalcopyrite. Berdasarkan pengukuran diperoleh nilai parameter kisi ingot a=b, secara berurutan untuk ingot bagian atas, tengah dan bawah adalah 5,613 A; 5,612 A dan 5,615 A; dan nilai c adalah 11,014 A; 10,992 A dan 11,013 A."

"Defek dangling bond dari lapisan tipis amorf silikon karbon (a-SiC:H) hasil deposisi metode dc sputtering telah dipelajari dengan spektroskopi ESR (electron spin resonance). Densitas spin berkurang tidak terlalu besar dengan peningkatan fl ow rate gas metan. Pengaruh kehadiran karbon dan hidrogen terhadap harga-g menunjukkan bahwa sampai fl ow rate gas metan 8 sccm, sinyal ESR didominasi oleh karakteristik defek a-Si:H, sedangkan untuk fl ow rate gas metan lebih besar dari 8 sccm, harga-g berkurang mendekati harga-g dari a-C:H. Hasil analisis inframerah menunjukkan semakin banyak karbon dan hidrogen yang membentuk ikatan Si-H, Si-C dan C-H dengan bertambahnya fl ow rate gas metan. Relasi hasil yang diperoleh dari inframerah dengan densitas defek dan harga-g akan dipelajari.

---

The dangling bond defect density in sputtered amorphous silicon carbon alloys have been studied by electron spin resonance (ESR). The results show that the spin density decreased slightly with increasing methane fl ow rate (CH4). The infl uence of carbon and hydrogen incorporation on g-value revealed that for CH4 fl ow rate up to 8 sccm, the ESR signal is dominated by defects characteristic of a-Si:H fi lms and for CH4 fl ow rate higher than 8 sccm the g-value decreased towards those usually found in a-C:H fi lms. Infrared (IR) results suggest that as CH4 fl ow rate increases more carbon and hydrogen is incorporated into the fi lms to form Si-H, Si-C and C-H bonds. A direct relation between the IR results and the defect density and g-value is observed."

"ABSTRAKHidrogen telah diketahui sebagai faktor penting untuk produk semikondukor silikon. Silikon sebagai material yang paling melimpah dan layak sebagai semikonduktor membutuhkan kondisi layak untuk didapatkan sifat listrik dan optik yang tepat. Fenomena adsorpsi hidrogen pada silikon telah dipelajari menggunakan simulasi komputasi dan eksperimen oleh para peneliti. Simulasi dinamika molekuler menggunakan potensial Lennard-Jones telah dilakukan untuk mendemonstrasikan kemampuan adsorpsi hidrogen permukaan silikon (001) dan (111) dengan variasi temperatur sebesar 233 K, 253 K, 273 K, dan 293 K yang diterapkan pada tekanan 1, 2, 5, 10, dan 15 atm. Berdasarkan hasil simulasi, didapatkan jumlah hidrogen yang diadsorpsi oleh permukaan silikon meningkat apabila jumlah panas dalam sistem berkurang. Tanpa meninjau aspek entropi, permukaan kristal Si (001) memiliki kemampuan adsorpsi lebih tinggi dibandingkan Si (111) disebabkan oleh energi bebas permukaan yang lebih tinggi. Hal tersebut jelas terlihat pada tekanan 15 atm dibandingkan variasi tekanan lainnya Kapasitas adsorpsi paling tinggi dimiliki oleh Si (001) 233 K pada 15 atm dengan jumlah konsentrasi hidrogen teradsorpsi 0,166430075% wt., dan paling rendah dimiliki oleh Si (111) 293K pada 1 atm senilai 0,004759865% wt.

---

ABSTRACTHydrogen was known as important factor for silicon semiconductor product. Silicon as the most abundant and feasible material for semiconductor needs precisely proper condition to have the exact optical and electrical properties. The hydrogen adsorption on silicon phenomena had been studied through computational simulations and experiment by researchers. Molecular dynamics simulation using a Lennard-Jones potential was conducted to demonstrate the hydrogen adsorption capability of silicon surface (001) and (111) with various temperatur applied, 233 K, 253 K, 273 K, and 293 K at pressure 1, 2, 5, 10, dan 15 atm. The amount of hydrogen adsorbed by silicon surfaces were higher as the amount heat of the system decreases. Without considering entropy, Si (001) had higher adsorption capability due to its higher energy surface than Si (111). It had shown where the pressure was at 15 atm, the difference seemed way more obvious than other pressure condition. Si (001) on 233 K at 15 atm had the highest adsorption capacity with 0,17% wt., of hydrogen. The lowest amount of hydrogen capacity was achieved by Si (111) on 293 K at 1 atm with 0,0048% wt."

"Penelitian ini bertujuan untuk mengkaji efisiensi ekstraksi silika dari abu terbang (fly ash) PLTU menggunakan metode Sequential Acid-Alkaline Leaching (SAAL). Metode ini terdiri dari tiga tahapan utama: pelindian asam dengan HCl, pelindian basa dengan NaOH, dan presipitasi menggunakan H2SO4. Fly ash yang digunakan berasal dari limbah PLTU dengan kandungan silika yang tinggi. Fokus penelitian ini adalah pengaruh variasi konsentrasi NaOH dan H2SO4 terhadap recovery silika.Pada tahap pertama, pelindian asam menggunakan HCl dilakukan untuk menghilangkan pengotor seperti Fe, Ca, dan Al. Residu yang diperoleh kemudian dilindi dengan NaOH pada konsentrasi yang bervariasi untuk mengekstraksi silika sebagai natrium silikat. Filtrat yang mengandung natrium silikat selanjutnya dipresipitasi menggunakan H2SO4 untuk menghasilkan endapan silika. Hasil penelitian menunjukkan bahwa variasi konsentrasi NaOH dan H2SO4 memberikan pengaruh signifikan terhadap efisiensi ekstraksi silika. Konsentrasi NaOH yang lebih tinggi meningkatkan jumlah silika yang terlarut dalam larutan natrium silikat, sementara konsentrasi H2SO4 yang optimal diperlukan untuk menghasilkan presipitasi silika yang maksimal. Dengan metode ini, silika dengan kemurnian tinggi dapat diekstraksi dari fly ash, menunjukkan potensi pemanfaatan fly ash sebagai sumber silika yang bernilai tinggi.

---

This study aims to evaluate the efficiency of silica extraction from coal fly ash using the Sequential Acid-Alkaline Leaching (SAAL) method. This method comprises three main stages: acid leaching with HCl, alkaline leaching with NaOH, and precipitation using H2SO4. The fly ash used in this study originates from a power plant waste with high silica content. The focus of this research is on the effect of varying concentrations of NaOH and H2SO4on silica recovery.

In the first stage, acid leaching with HCl is performed to remove impurities such as Fe, Ca, and Al. The resulting residue is then leached with NaOH at varying concentrations to extract silica as sodium silicate. The filtrate containing sodium silicate is subsequently precipitated using H2SO4 to produce silica precipitate. The results show that variations in NaOH and H2SO4 concentrations significantly affect the efficiency of silica extraction. Higher concentrations of NaOH increase the amount of silica dissolved in the sodium silicate solution, while an optimal concentration of H2SO4 is required to maximize silica precipitation. Using this method, high-purity silica can be extracted from fly ash, demonstrating the potential of fly ash as a valuable source of silica."