Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Lead Selenide (PbSe) thin film of 5765 A thickness had been deposited by thermal evaporation in vacuum system and characterised in Physics Laboratories at FMIPA UI Depok. Optical characterisation is done with spectrophotometer MR. Using the Hishikawa method, applied in a computer program, will yield optical parameters such as index of refraction (n), extinction coefficient (k), absorption coefficient (a) and energy gap (Eg). Electrical characterisation is done by measuring the conductivity toward the temperature between 15 - 300 K, Hall Effect, energy gap, density of conduction electrons (N), and mobility (µ). The result shows a not allowed direct transition semiconductor. Different results for the band gap width is recorded between the optical and the electrical methods.

---

Dibuat lapisan tipis PbSe di atas substrat kaca, dengan tehnik pelapisan evaporasi termal dalam sistem vakum dengan ketebalan 5765 A, di laboratorium Fisika FMIPA Ul Depok. Dilakukan karakterisasi optis dengan alat spektrofotomer NIR. Dengan menggunakan metode Hishikawa yang dibuat menjadi suatu program komputer, diperoleh parameter-parameter optis seperti indeks bias (n), koefisien absorpsi (ac) dan konstanta peredaman (k) serta lebar pita terlarang (E9). Karakterisasi listrik dilakukan dengan pengukuran konduktivitas terhadap temperatur antara 15 - 300 K, pengukuran tegangan Hall (VH), menentukan lebar pita terlarang dan kerapatan pembawa muatan (N) serta mobilitas (p.). Hasilnya menunjukkan suatu semikonduktor transisi Iangsung yang tidak diijinkan. Terdapat perbedaan hasil penentuan lebar pita terlarang antara metode optis dan listrik."

"Telah dibuat keramik timbal zirkonium titanat (PZT) doping aluminium dengan variasi persentasi berat 2% dan 8%. Sampel ditekan 2 ton dan dipanaskan pada suhu 800°C selama 8 jam dan ditahan selama 10 jam dan menjadi bulk, setelah itu membuat larutan lapisan tipis dengan mencampur methoxy ethanol di atas substrat Si(100) dan substrat Pt(200)/Si(100), kemudian diletakan pada spin coating dengan kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik dan dipanaskan pada suhu 900°C selama 8 jam dan ditahan selama 3 jam. Dengan metoda ini diharapkan terbentuk lapisan tipis senyawa PZT doping aluminium di atas substrat Si(100) dan substrat Pt(200)/SiI(100). Seluruh sampel dianalisa dengan difraksi sinar-X (XRD) untuk mengetahui parameter kisi, kemudian mengukur konduktifitas dengan I-V meter.

---

Lead zirconium titanate (PZT) ceramic have been made a doped by alluminum with the weight percentage varied from 2% and 8%. The sample was pressed at 2 ton and heated at 800°C during 8 hours with holding time in 10 hours and becoming bulk. The processed to make a thin film by mixing with methoxy ethanol then deposited to Si(100) and Pt(200)/Si(100) substrates, and then placed in spin coating apparatus with 3000 rpm during 30s and heated at 900°C during 8 hours with holding time 3 hours. by this method would be expected that we obtain new compounds of PZT doped by those atoms. All the samples were then analized by XRD to recognize a lattice parameter. We further discuss a characteristic of conductivity measurement with I-V meter analyzed."

"Film tipis timah selenida telah disediakan dengan metode selenisasi tertutup. Pengukuran arus bolak-balik untuk contoh struktur terapit dengan elektroda aluminium (A11SnSe/A1) dilakukan di dalam kriostat pada suhu (228373)°K. Parameter yang diukur acialah kapasitansi, lesapan dielektrik dan konduktansi untuk jangkauan frekuensi (5-200) kHz. Pada frekuensi kurang dari 50 kHz, kapasitansi berkurang terhadap frekuensi dan bertambah mengikut suhu, sedangkan pada frekuensi lebih dari 50 kHz kapasitansi hampir konstan. Kurva lesapan dielektrik diperoleh mencapai minimum pada frekuensi lebih kurang 100 kHz dan bertambah mengikut suhu. Konduktivitas arus bolak-balik bertambah mengikut frekuensi dan suhu dengan konstanta dielektrik 12,13."

"Investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode.To investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode. The deposition rates were adjusted to 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s and the annealing temperatures were to 200 °C, 300 °C and 400 °C- The thickness of thin films were around 7000 A. The optical constant and band gap energy were calculated from the Reflectance ( R ) and Tansmittance (T) by using O.S. Heavens formula. The value of R and T were obtained from UV-VIS Spectrofotometre with the wavelength from 400 inn to 800 run. From the calculations it was found that the deposition rate affected the optical properties and structures. At wave length 550 nm, the deposition rates 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s give the real refractive index n 2.534; 2.503; 2.46; 2.505 respectively and the absorption coefficient a 1.15 x 103, 5.96 x 103, 4.38 x 103, 7.33 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,46 eV, 2,44 eV, 2,42. eV, 2.40 eV respectively and the grain sizes 816 4 A, 291.5 A, 256.7 A, 251.1 A respectively. The annealing process to 200 °C, 300 0C and 400 0C also affected the optical properties and structures. At deposition rate 4 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 °C give the real refraction index 2.513, 2.56, 2.54, 2.53 respectively and the absorption coefficient l .15x 103, 6 x 103, 7 x 103, 4 x 103 /cm respectively and the band-gap energy 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV, 2,42 eV respectively. At deposition rate 8 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.503, 2.527, 2.504, 2.505 respectively and the absorption coefficient 5.96x103, 6.5 x I03, 7.17 x l03 , 3-37 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,44 eV, 2,43 eV, 2.40 eV, 2,41 eV respectively. At deposition rate 12 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.46, 2.546, 2.495, 2.485 respectively and the absorption coefficient 4.38 x 103, 1.27 x 103, 0.15 x 103, 0.23 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV, 2,44 eV respectively. At deposition rate 16 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C. 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.505, 2.498, 2.499, 2.497 respectively and the absorption coefficient 7.33 x 103, 2.9 x 103, 1.7 x 103, 1.95 x 103 1cm respectively and the band gap energy 2,40 eV, 2,41: eV, 2,4.2 eV, 2,43 eV respectively. The c3-stall structures of thin film are found to be hexagonal with preferred orientation (002). The annealing processes affect the grain size. At the deposition rate 4 A's, the annealing process to 400 °C changed the grail? size from 816 A to 193,5 A. At the deposition rate 8 A/s, the amtealing process to 400 0C changed the grain size from 291,5 A to 168 A. At the deposition ratel2 A/s, the annealing process to 400 °C changed the grain size from 256,7 A to 198,2 A. At the deposition rate 16 A/s, the annealing process to 400 °C also changed the grain size from 251,1 A to 235,9 A.

---

Guna mengetahui perubahan sifat optis dan struktur terhadap laju deposisi pembuatan lapisan tipis dan juga terhadap anil, dibuat lapisan Cds dengan co-evaporasi termal CdS dan S diatas substrat kaca. Laju deposisi dibuat pada 4 A/s, 8 A/s, 12 As dan 16 A/s. Anil dilakukan pada setiap laju deposisi dengan 3 macam teinperatur yaitu: 200 0C, 300 oC dan 400 0C_ Ketebalan lapisan yang dibuat berkisar 7000 A. Konstanta optis yaitu koefisien absorpsi dan indek bias dihitung dari reflektansi R dan transmisi T berdasarkan metode fungsi minimal dengan menggunakan persamaan O.S. Heavens. Dad kurva koefisien abrsoipsi terhadap energi foton dibuat lebar pita terlarang CdS. Pengukuran nilai R dan T dilakukan dengan alat UV-VIS Spektrofotometer pada panjang gelombang 400 nm - 800 nm. Dari penelitian didapatkan bahwa laju deposisi mempengaruhi sifat optis material. Didapatkan nilai indek bias nyata pada laju deposisi 4 Als, 8 A/s, 12 A/s dan 16 A/s pada panjang gelombang 550 nm masing masing 2,534; 2,503; 2,46; 2,505 dan koefisien absorpsi masing-masing adalah 1,15 x 103; 5,96 x 103; 4,38 x I03; 7,33. x 103 /cm dan lebar pita terlarang masing-masing adalah 2,46 eV, 2,44 eV, 2.42 eV dan 2,40 eV. Besar butir menurun dengan meningkatnya laju deposisi. Besar butir pada laju deposisi 4 Als. 8 A/s, 12 AN dan 16 A/s berturut-turut adalah 816 A , 291,5 A, 256,7 A dan 251,1 A. Proses anil memberikan basil bahwa dari suhu 200 0C sampai 400 oC terjadi perobahan sifat optis dan struktur. Pada laju deposisi 4 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,513; 2,56; 2,54 dan 2.53 dan nilai koefisien absorpsi adalah 1,15x103; 6 x 103; 7 x 103; 4 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,42 eV. Piida laju deposisi 8 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,503; 2,527; 2,504 dan 2,505 dan nilai koefisien absorpsi adalah 5.96x 103; 6,5 x 103; 7,17 x 103; 3,37 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,44 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,41 eV. Pada laju deposisi 12 A/s berturut-turut tmtuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 'DC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,46; 2,546: 2,495 dan 2,485 dan nilai koefisien absorpsi adalah 4,38 x 103; 1,27 x 103; 0,15 x 103; 0,23 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV dan 2,44 eV. Pada laju deposisi 16 A/s berturut-turut untuk proses tanpa aril, aril .200 0C, 300 oC dan 400 0C indek bias nyata n adalah 2,505; 2,498; 2,499 dan 2.497 dan nilai koefisien absorpsi adalah 7,33 x 103; 2,9 x 103; 1,7 x 103; 1,95 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,40 eV, 2,41 eV, 2,42 eV dan 2,43 eV. Stniktur kristal lapisan tipis CdS yang terbentuk adalah heksagonal dengan prefi-'rred 0i-lank-Ilion (002). Proses anil inerubah besar ukuran butir. Pada sampel dengan laju deposisi 4 A/s anil 400 oC inerubah besar butir dart 816 A ke 193,5 A. Sampel dengan laju deposisi 8 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 291,5 A ke 168 A. Sampel dengan laju deposisi l2 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 256,7 A ke 198,2 A. Sampel dengan laju deposisi 16 A/s anif 400 oC merubah besar butir dari 251,1 Ake 235,9 A."

"ABSTRAKPada setiap perusahaan terdapat tiga komponen pokok yaitu pekerja, alatkerja dan Iingkungan kerja di mana satu dengan yang lainnya salingmemepengaruhi produkrivitas kerja karyawannya. Setiap pekerja mempunyaihak untuk memperoleh perlindungan atas keselamatan dan kesehatan kerjaguna mewujud kan produktivitas kerja yang optimal.Pabrik daur uiang batere Pb, akan melepaskan berton-ton Pb keIingkungan jika tidak dikendalikan. Pb yang di cairkan pada proses daur ulangakan menghasilkan fume dan debu Pb yang termasuk Iogam berat. Ketikamasih di udara logam berat ini dapat saja terabsorbsi ke dalam tubuh manusiamelalui jalur pernafasan, pencernaan dan kulit.Peneritian ini dilakukan untuk mengkaji faktor-faktor yang berhubungandengan kandungan timbal di dalam darah pekerja pabrik daur ulang bateretimbal (Pb) PT. X.Metode yang digunakan pada penelitian ini adalah metode cross sectionalkarena pengukuran paparan dan akibat yang ditimbulkan dibuat pada waktu yang sama dengan menggunakan data sekunder dan data primer. Data primerdidapatkan dari observasi Iangsung di PT. X, dan wawancawa dengan pekerjadengan menggunakan kuesioner.Hasil penelitian menunjukkan bahwa konsentrasi Pb di ruang kerjaberhubungan dengan kandungan Pb di dalam darah pekerja pabrik PT X.Terdapat hubungan yang signifikan antara penggunaan alat pelindung diridengan kandungan Pb di dalam darah pekerja. Di samping itu tempat kerja,yaitu ruang produksi atau ruang kantor, juga merupakan faktor yangberhubungan dengan kandungan Pb di dalam darah pekerja pabrik PT X.Saran bagi pabrik PT X, adalah penambahan exhaust fan di area mehfing,penunjukan pengawas pemakaian APD, dan sosiafisasi kembali tentang bahayaPb dan penggunaan APD kepada para pekerja.

---

ABSTRACTEvery company has three main component, i.e. workers, equipment andworking environment. These componets are interacted each other to createworker productivity. Every worker has right to be protected of their occupationalhealth and safety to optimize the productivity.Lead battery recycling factory, will generate tons of Pb to the environmentif it is not managed. Lead melting proces will generate Pb fume and dust thatcategorized as heavy metals and hazardous. The fume and dust can beabsorbed to workers body through inhalation, ingestion and skin.This research is conducted to assess factors that related to blood lead inworkers of lead battery recycle factory PT. X.Method used in this research is cross sectional due to exposure ismeasured at the same time with the consequence. The research used primaryand secondary data. Primary data is get through observation at PT. X anddistribute quetionnaire to the workers. The result shows that there is relation between Pb concentration inworking area and workers blood Pb. There is signiticant relation between usedof personal protective equipment (PPE) and workers blood Pb. The other factor,i.e, working place, is related to workers blood Pb significaltly as well.Some recommendation for PT X, includes add of exhaust fan at meltingarea, appoint supervisor to control use of PPE and re-socialize hazard Pb anduse of PPE to workers.

---

"