Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKTelah dilakukan perhitungan reflektifitas pada struktur pandu gelombang permukaan miring dan jendela yang diperlukan oleh amplifier laser untuk mengurangi pengaruh osilasi mode Fabry-Perot, memperbesar penguatan sinyal, memperoleh bandwidth yang lebar dan memperkecil loss daya optik. Disamping itu reflektifitas permukaan yang rendah sangat diperlukan untuk mewujudkan amplifier laser semikonduktor gelombang berjalan (TWSLA). Sebelum menghitung reflektifitas tersebut, terlebih dahulu dilakukan penurunan matematik untuk mendapatkan persamaan reflektifitas gabungan antara struktur permukaan miring dan jendela. Penggunaan struktur permukaan miring dan struktur jendela pada amplifier laser untuk memperkecil reflektifitas permukaan merupakan pilihan yang tepat sebagai suatu alternatif untuk menggantikan pemakaian lapisan anti refleksi. Reflektifitas permukaan yang diperlukan oleh amplifier laser semikonduktor TW harus kurang dari 0,1%. Untuk mendapatkan reflektifitas tersebut dengan menggunakan lapisan anti refleksi merupakan masalah yang sulit dalam pembuatannya. Telah diperoleh bahwa reflektifitas gabungan mempunyai nilai yang lebih kecil dari pada reflektifitas struktur permukaan miring atau jendela sendiri-sendiri. Dengan pengguaan struktur permukaan miring sebesar 7° dan struktur jendela yang panjangnya antara 30 gm sampai dengan 50 gm, maka diperoleh reflektifitas gabungan dari 0.0079% sampai 0.0023%. Hasil tersebut didapat dengan mengolah data-data fabrikasi amplifier laser semikonduktor GaInAsP/InP. "

"Telah dilakukan simulasi karakteristik pandu gelombang GaInAsP/InP struktur taper (jenis linear, kuadratik, gaussian dan eksponensial) terhadap perambatan gelombang-optik di dalamnya. Simulasi dilakukan menggunakan metoda perambatan berkas (BPM) yang dikombinasikan dengan metoda indeks efektif untuk menghitung tetapan perambatan efektif pada pandu gelombang kanal yang lebar lapisan penyusunnya dibuat semakin melebar (dibuat dalam struktur taper). Program BPM dibuat dalam perangkat lunak berbasis matrik yaitu MATLAB for WINDOWS. Untuk menjamin keakuratan metoda BPM dalam menganaIisis perambatan gelombang optik dalam struktur taper tersebut dipilih pandu gelombang "wealdy guiding" yang beda indeks bias antar lapisan inti-substratnya sangat kecil. Gelombang optik yang dirambatkan pada pandu gelombang GaInAsP/InP struktur taper diasumsikan terpolarisasi modus TE pada panjang gelombang long-wavelength λ = 1.55 p.m. Dari hasil simulasi diperoleh bahwa penurunan amplitudo dan daya gelombang optik yang merambat di dalamnya sangat tergantung pada jenis taper yang digunakan, apakah itu taper linear, kuadratik, gaussian dan eksponensial. Untuk semua jenis taper, lapisan inti yang dibuat semakin lebar pada "panjang" pandu gelombang yang sarna, akan memberikan laju penurunan daya yang semakin mengecil. Diketahui pula bahwa faktor pengurungan moda dasar dalam pandu gelombang GaInAsP/InP struktur taper, semakin besar dengan melebarnya lapisan inti di setiap jarak perambatannya. Dan dari hasil simulasi diperoleh bahwa faktor pengurungan moda dasar pada pandu gelombang GalnAsP/InP jenis taper linear > kuadratik > Gaussian eksponensial. Ternyata jenis taper juga berpengaruh terhadap jumlah moda yang dapat disalurkan sepanjang "panjang" pandu gelombang GalnAsP/InP. Sedangkan kontur pola medan listrik pada perambatan pola tiga dimensinya bersesuaian dengan tampak atas pandu gelombang GaInAsP/InP struktur taper yang ditinjau. "

"Detektor yang baik merupakan divais yang mampu bekerja pada frekuensi yang lebar, peka terhadap foton yang datang dan tidak menimbulkan derau yang mengganggu dalam proses komunikasi maupun dalam bidang instrumentasi.Untuk maksud tersebut dipilih jenis fotodioda jenis p-i-n dengan bahan aktif semikonduktor GaInAsP sebagai campuran empat macam bahan semikonduktor dari komposisi III dan V pada tabel periodik kimiawi.Dalam tesis ini dibahas tentang perhitungan dan analisa karakteristik fotodioda p-i-n, dari analisa diketahui bahwa hal ini sangat dipengaruhi aleh ketebalan lapisan yang atas (p+), sedangkan lapisan i (intrinsik) pada ketebalan tertentu sampai maksimum tidak mengalami peningkatan effisiensi, disamping itu unjuk kerja fotodioda secara umum sangat dipengaruhi pula oleh nilai resistansi bebannya.A good device for detector should operate at. wide band range, and sensitive to incident photon and produce low noise in both fields of communication and instrumentation systems. For that purpose the device used a type of p-i-n photodiode which contains active layers as quaternary of 111 and V compound in periodic system.

This thesis describes design and analysis of p-i-n photodiode to be used as a laser detector for )..= 1,.28 wiz . The Result show that the thickness of first (p+) and second (z) layer will limit the external efficiency of the detector, and also the load resistance will effect influence the performance of the detector."

"ABSTRACT

Recently, the Indonesian researchers have anticipated the research on photonic devices especially on semiconductor laser. According to the anticipation above, the scope of this research is on photonic devices particularly on design and performance fabrication of 1.55 um GaInAsPfInP semiconductor laser using intrinsic single-mode layers.

The semiconductor laser was designed using intrinsic single-mode layers that consist of 4 (four) layers i.e., 2 (two) waveguiding layers with 1,15 p.m, AMB (Anti Melt Back) layer with 1.3 pm, and active layer with 1.55 pm. The layers were growth by designing 0.17 pm waveguiding layer thickness, 0.1 pm active layer- and AMB layer thickness, respectively. The performance optimizing were on optical confinement factor of the single-mode layers and threshold current.

The design and simulation results that threshold current of 702,5 mA and the optical confinement factor of 0.801 can be achieved. In addition, the optimum performance was obtained with thicker AMB layer, thicker active layer, and thinner wave-guiding layers.

---

ABSTRAKPara peneliti di Indonesia hingga saat ini telah mengantisipasi penelitian di bidang devais fotonik terutama diode laser semikonduktor. Penelitian pada tesis ini di bidang devais fotonik diutamakan pada rancang bangun dan simulasi unjuk kerja dari diode laser semikonduktor pada panjang gelombang 1,55 um dengan bahan GalnAs-PIInP menggunakan lapisan mode tunggal intrinsik.Pada rancang bangun dirancang suatu diode laser semikonduktor dengan lapisan mode tunggal yang terdiri dari empat buah lapisan GaInAsP masing-masing 2 buah lapisan pandu gelombang dengan panjang gelombang 1,15 µm, lapisan aktif dengan 1,55 gm, dan lapisan anti cair ulang (ACU) dengan 1.3 µm. Untuk penumbuhan dipilih lapisan pandu gelombang setebal 0,17 gm, lapisan aktif setebal 0,1 gm dan lapisan ACU setebal 0,1 gm. Dalam perancangan, parameter faktor perangkap cahaya dari lapisan mode tunggal dan besamya arus ambang memegang peranan penting untuk mengoptimalkan unjuk kerja.Hasil rancang bangun dan simulasi memperlihatkan bahwa unjuk kerja perhitungan dengan arus ambang sebesar 702,5 mA dan faktor perangkap cahaya lapisan mode tunggal sebesar 0,801 dapat dicapai. Selain itu optimalisasi unjuk kerja dapat diperoleh dengan cara mempertebal lapisan ACU, membuat lapisan aktif tidak tipis dan lapisan pandu gelombang tidak tebal."

"ABSTRAKPada teknologi laser, cavity merupakan bagian yang sangat penting untuk menghasilkan cahaya yang monokromatis dan koheren. Pada penelitian ini diobservasi metode perhitungan untuk perancangan daerah aktif atau cavity untuk laser GaInAsP/InP BIG-DBR (Bundle Integrated Guide - Bragg Distribution Reflector) untuk panjang gelombang 1,55 µm. Metoda ini pada pembahasan berikutnya disebut Metode perhitungan Spasial yang sangat berguna terutama untuk perancangan fabrikasi dasar dari laser diode semikonduktor menggunakan EFC (Epitaksi Fase Cair).Beberapa parameter digunakan seperti kerapatan arus ambang, arus injeksi bias, lebar pita modulasi (diwakili oleh frekuensi resonansi), pergeseran panjang gelombang dinamis maksimum, dan jarak antar mode. Sebagai hasilnya diperoleh distribusi spacial dan geometris cavity dari laser yang dirancang, dan untuk langkah selanjutnya perancang dapat memilih rancangan yang paling sesuai dengan kebutuhan yang diwakili oleh syarat batas-syarat Batas dalam bentuk parameter limit. Dan arus ambang dan arus bias merupakan batasan yang paling menentukan pada perancangan ini.

---

ABSTRACTIn the laser technology, cavity is a very important part to produce monochromatic and coherence light. In this article the calculation method has been observed to design active region or cavity of 1.55 Erin GaInAsP/InP BIG-DBR (Bundle Integra-red Guide - Bragg Distribution Reflector) laser diode. The method in the next dis-cussion is called Spatial Calculation Method is useful particularly to preliminary fabrication design of such laser type using LPE (Liquid Phase Epitaxy).Several limit parameters is used such as threshold current (density), bias injection current, modulation bandwidth (represents by resonance like frequency of the cavity), dynamic wavelength shift, and mode separation wavelength. As a result is the spatial distribution of geometrical cavity of such laser design, and for the next step the designer could select the appropriate geometrical cavity with boundary value around the limit parameters. And the threshold- and bias injection current are as the very important parameters in the calculation method."

"Penguat fotonik GaInASP/InP sekali lintas berbentuk taper telah melalui proses penelitian secara intensif mengenai struktur dan bentuk geometrisnya. Walaupun begitu adanya komplikasi dari rancangan taper berupa panjang dan lebar output berkolerasi dengan jenis taper, yang berhubungan dengan nilai gain sinyal, jumlah moda, dan daya saturasi, masih memerlukan penelitian lebih lanjut. Penelitian ini yang diiakukan terhadap jenis taper tinier dan eksponensial, berhasil menghasilkan suatu rancangan geometris yang mendekati optimal. Hal ini karena adanya gejala positif bahwa ragam moda yang muncul akibat dari pelebaran lateral, cenderung menyebabkan kondisi kuasi moda dasar terjadi lebih cepat pada taper linier dengan gain sinyal yang masih cukup tinggi. Sementara pada taper eksponensial biarpun lebih lambat, namun gain sinyal yang dihasilkan tidak lebih tinggi daripada taper linier. Berdasarkan gejala optimasi pada kondisi kuasi moda dasar ini bisa ditentukan suatu rancangan optimal pada jenis taper linier dengan lebar output 15 µm dan panjang 1500 µm.

---

Tapered traveling wave semiconductor laser amplifier (TTW-SLA) GaInAsP/InP has intensively overcome research process referring to geometrical structure and design. Nevertheless, there are complications of tapered design such as output length and width correlating to type of taper, which relates to signal gain, a number of modes, and saturation power, still needs researches for a longer time. This research which focused on tinier and exponensial-taper, yields a geometrical design to approach optimation. It is caused by a positive phenomenon that mode variants come by lateral widening, tends to cause single mode quasi condition works faster on linier taper with adequate signal gain. Whereas, on exponensial taper, its signal gain wasn't higher than the other. On the basic of optimation phenomenon at single mode quasi condition, it can be determined an optimal design on linier taper with the output width is 15 µm and the length is 1500 µm."

"Pada penelitian ini dilakukan rancangan dan fabrikasi pernbuatan diode laser (DL) GaInAsP/InP ë. = 1300 µm, yang pelaksanaan nya dilakukan di LP3FT-LIPI Serpong. Dari hasil penumbuhan terdapat pergeseran sebesar 20 nm dari panjang gelombang yang diinginkan, dan untuk mendapatkan hasil yang diinginkan diadakan koreksi berat InAs terhadap In. Proses penumbuhan dilaksanakan dengan menggunakan LPE (liquit phase epitaksi) dimana lapis= Gain AsP yang terdici dari komposisi kristal murni InP, GaAs, InAs dengan doping kristal In-Te untuk tipe- n dan kristal In-Zn untuk tipe-p ditumbuhkan pada substrat InP sehingga terbentuk wafer. Karak edstik lapisan GaInAsP yang dikehendaki dapar ditentukan dengan memvariasikan berat relatif In P, GaAs, InAs terhadap berat In. Lapis= aktif DL ini adalah lapisan GaInAsP dengan panjang gelombang (ë) = 1300 nm. Hasil penumbuhan (wafer) dikarakterisasi dengan Optical Spectrum Analyser untuk mengetahui panjang gelombang yang ditumbuhkan dan Scanning Elektron Microscope untuk mengetahui ketebalan struktur kristal yang ditumbuhkan.Proses selanjutnya, untuk membuat stripe tedebih dahulu ditumbuhkan lapisan silikon (SiO2) diatas wafer dengan ketebalan 1000Ǻ 1200 Ǻ yang menggunakan RF sputtering, dan dengan bantuan photoresist, stripe tersebut dapat dibentuk melalui proses Photolithography. Setelah proses etsa, dimana lapisan SiO2 pada stripe dihilangkan dengan larutan HF, dapat dilakukan metalisasi melalui proses evaporasi dengan menggunakan Au-Zn untuk Khatoda dan Au-Sn untuk Anoda, yang sebelumnya didahului penipisan lapisan substrat dari 360 µm menjadi 00µm.Rancangan dioda stripe ini berhasil ditumbuhkan setelah keluar tungku kristal hasilnya berkilat seperti kaca dan. setelah dikarakterisasi dengan OSA ada panjang gelombang yang diinginkan.In this research we designed and fabricated the GaInAsP/InP Laser diode with ë = 1300 nm, in LP3FT-LIPI Serpong. From the result we obtained the wavelength shifted about 20 am, and to find the required wavelength we corrected the weight of InAs to In. The growth process was carried out using the liquid phase epitaxsi (LPE) where the GaAsInP layer consisted of the composition of the full crystallography of InP, GaAs, InAs with the doped crystal of InTe for n-type and InZn for P-type where grown at the InP-substrate to form the wafer. The characteristic of the required GaInAsP, layer can be determined with the variation of relative weight of InP GaAs, InAs to the weight of In. The active layer was GalnAsP layer with the wavelength of 1300 nm. The growth result was characteristic using the Optical Spectrum Analyser to know the growth wavelength and Scanning Electron Microscope to know the crystal thickness.

Future more to make the stripe we growth the SiO2layer in above of the wafer with 1000 Ǻ1200 Ǻthickness using the RF sputtering, and the stripe can be form by Photolithography process with the photoresist after the etching process where, the silicon oxide layer at the stripe removed by HF, we did the metallization by evaporation process using AuZn for Cathode and AuSn for Anode, where the lapping of substrate from 360 µm to be 100 µm was done previously.

The fabrication of stripe diode was success if the surface of the result will be like mirror and wavelength characteristic will occur by OSA."

"Penelitian pada tesis ini di bidang divais fotonik diutamakan pada pabrikasi dan karakterisasi dari bahan dasar GaInAsP/InP untuk penguat optik dengan panjang gelombang 1,55 µm, yang tidak lain adalah sama dengan bahan dasar untuk laser semikonduktor.Pada rancang bangun penguat optik dibuat struktur lapisan yang menghasilkan moda tunggal yang terdiri dan 4 buah lapisan GaInAsP, masing-masing 2 lapisan pandu gelombang dengan panjang gelombang 1,17 pm, lapisan aktif dengan 1,55 pm, dan lapisan anti cair ulang (ACU) dengan 1,3 gm. Untuk penumbuhan dipilih lapisan pandu gelombang dengan ketebalan 0,25 gm, lapisan aktif 0,19 pm dan lapisan ACU 0,19 gm. Di tumbuhankan dengan menggunakan LPE (Liquid Phase Epitaxy) yaitu penumbuhan yang dilakukan pada saat kristal dalam keadaan fasa cair dengan teknik penumbuhan Two-Phase Solution. Bahan InP, GaAs, InAs sebagai bahan sumber ditumbuhkan diatas substrat InP, membentuk struktur lapisan DH (Double Heterostructure) instrinsik tujuh lapisan dan melalui proses lanjutan dapat dibuat menjadi penguat optik atau diode laser sernikonduktor GaInAsP/InP 1,55 µm.Struktur dasar GaInAsP/InP untuk penguat optik dibuat dengan proses penumbuhan, yang dimulai dengan menyentuhkan larutan kristal Indium pada sampel substrat, kemudian dilakukan penumbuhan lapian dengan menyentuhkan larutan kristal secara berurutan diatas sampel substrat. Proses penumbuhan dilakukan tiga tahapan, yaitu : tahapan pendahuluan, tahapan pembentukan pandu gelombang dan tahapan pembentukan struktur DH (Double Heterostucture). Ketebalan lapisan dapat diatur dengan memvariasi suhu peleburan dan waktu penumbuhan. Karakterisasi ketebalan lapisan dilakukan dengan menggunakan SEM, dan Pengukuran panjang gelombang dilakukan dengan photoluminescence, dengan cara menembakkan laser pada pennukaan sampel. Emisi pandu gelombang diterima, direkam menggunakan optical spectrum analyzer (OSA).

---

This research is focused on photonic devices particularly on fabrication and characteristic of 1.55 gm GaInAsP/InP semiconductor laser materials for an optical amplifier.

The Optical amplifier was designed for a single-mode laser. This layers contains of four layers where two of them ar ,used as 1,17 p.m wave guide and the other are applied as a 1,55 µm active layer and a 1,3 gm anti melt back (AMB) layer. The layers were growth by designing 0.25 gm wave guiding layer thickness, 0,19 gm active layer thickness, and 0.19 gm AMB layer thickness. The layers was grow by LPE (Liquid Phase Epitaxy) with The Two Phase Solution growing technique. Source material InP, GaAs, InAs was grown on InP substrate, form seven layers of intrinsic DH and then via further process, these layers structure ca be made as an optical amplifier or a semiconductor laser diode of 1.55 gm GaInAsPfInP .

The basic structure was made by touching an indium crystal on a sample substrate. Then , some layers were growth by touching other crystal solution consecutively on the sample substrate. The growth process was three step of growth i.e: in the first place of growth, growth of wave guide and growth of DH. The thickness of any layers was arranged by varying the melting temperature and the growth time. The thickness characterization of the layer was carried out by SEM and the wave length measurement was executed by shooting a laser on the sample surface. The emission of the wave guides was received and recorded by an optical spectrum analyzer."

"Kopling antara amplifier permukaan miring dan fiber taper lens-ended diselidiki secara teori. Penelitian teori didasarkan pada model gelombang bidang tiga dimensi yang dihitung melalui pergeseran fasa akibat permukaan iring. Kopling diselidiki berkenaan dengan parameter-parameter berkas dari pandu gelombang amplifier lens-ended, dan juga berkenaan dengan posisi fiber. Terjadinya rugi-rugi kopling karena permukaan miring dan karena variasi dari uji lens yang terbaik, rugi untuk permukaan miring 10° ditemukan lebih kecil dari 0.5 dB dibandingkan amplifier permukaan normal.

---

The coupling between angled-facet amplifiers and tapered lens-ended fibers is investigated theoretically. The theoretical investigation is based on a three-dimensional plane wave model which accounts for the phase differences introduced by the angled facets. The coupling is investigated with respect to the beam parameters of the amplifier wave guids and the tapered lens-ended fiber, and also with respect to the fiber position. For optimized lens radii the excess loss for 0l0° facet angle is found to be less than 0.5 dB compared to a normal facet amplifier."

"Perkembangan produk elektronika pada dekade terakhir ini berlcembang begitu pesatnya. Kemajuan teknologi ini hams ditunjang pula dengan inovasi produk komponen elektronika seperti transistor yang dihasilkan oleh 'industri semikonduktor. Chip yang terbuat dari bahan semikonduktor, merupakan inti dari komponen ini. Perlakuan yang benar terhadap chip dalam perakitan transistor akan menghasilkan produk semikonduktor yang berkualitas.Perakitan chip dalam pembuatan lcomponen transistor adalah meletakkan chip dengan sistem solder pada lead frame dan menghubungkan chip dengan benang emas ke kaki-kaki transiston Mesin perakit chip ini Salah satunya yaitu mesin Mound-er 107B menggunakan die pemiukaan pemanas sebagai medium unluk memanaskan lead frame sehingga pada pennukaannya tercapai ternperatur titik lebur (melting point) dari chip yaitu 310 sampai 3l4°C.Untuk mencapai tcmperatur tersebut diperlukan perhitungan perpindahan kalor yang baik dan tepat. Karena proses perakitan chip berlangsung dalam kecepatan yang tinggi yaitu mesin diset mampu menghasillran produk 0,66 detik per pieses.Dari hasil perhitungan didapatkan panjang lintasan die permukaan pemanas utama sampai posisi chip diletakkan adalah 50 mm dan die pemanas awal adalah 75 mm. Dalam proscs perpindahan kalor yang terjadi pada die tersebut sangat dipengaruhi oleh kondisi permukaan dari die dan perlakuan terhadap lead fianme saat chip diletakkan, karena hal ini berhubungan dengan besamya rcsistansi antara die dengan lead frame.Diharapkan dari hasil perhitungan dan perlakuan terhadap proses penyolderan chip ini dapat dihasilkan produk yang berkualitas tinggi."