Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dibuat empat pasang sampel ZnS dan ZnS:Mn dengan menggunakan substrat kaca preparat ; ZnS dan Mn dengan kemurnian masing-masing 99,99% buatan Leybold Germany. Empat sampel adalah ZnS saja yang dibedakan oleh laju pelapisannya yaitu masing-masing 10 A/s, 20 A/s, 30 A/s dan 40 A/s sedangkan empat sampel lainnya adalah ZnS yang diberi Mn dan dideposisi dengan kelajuan yang sama. Sifat optis diperoleh dari pengukuran spektroskopi optik pada X = 300-800 nm, dan ketebalan sampel kira-kira 7500 A. Dan pada daerah pengamatan tersebut diperoleh bahwa indeks bias berkisar antara n= 2,2 sampai n=2,7. Koefisien ekstingsi berkisar antara k= 0,0338 sampai k=0,15 dan koefisien absorbsi antara a= 5000 cm-1 sampai a= 60000 cm-1. Dari hasil pengamatan terbukti bahwa absorbsi yang terjadi adalah absorbsi fundamental dan dari perhitungan celah energi didapatkan bahwa untuk ZnS dan ZnS:Mn Eg =2,7 eV sampai dengan Eg = 3,2 eV yang sesuai dengan literatur. Hasil perhitungan konstanta dielektrik memberikan harga real kira-kiraεr = 5,7 dan harga imajiner εi = 0,15. Hasil εi yang kecil ini memperlihatkan bahwa ZnS dan ZnS:Mn bersifat transparan pada daerah cahaya tampak."

"Telah dibuat lapisan tipis (thin film) Seng sulfida (ZnS) dan Seng sulfida-Mangan (ZnS:Mn) pada substrat kaca dengan laju deposisi yang berbeda dengan cara evaporasi termal dan co-evaporasi termal di dalam bejana vakum. Pengukuran terhadap karakteristik impedansi lapisan tipis ZnS dan ZnS:Mn dilakukan di luar vakum untuk frekuensi yang bervariasi antara ribuan hingga jutaan hertz dan laju deposisi yang berbeda dengan ketebalan yang tetap. Ternyata pada daerah frekuensi 1 KHz sampai dengan 10 KHz terjadi penurunan impedansi yang relatif tajam, namun laju penurunan tersebut mulai berkurang pada daerah frekuensi di atas 10 KHz hingga sedikit di bawah 1 MHz. Pada daerah frekuensi di atas 1 MHz bahkan terjadi kenaikan harga impedansi yang menunjukkan telah terjadi gejala relaksasi pada lapisan tipis ZnS dan ZnS:Mn yang diamati. Hasil lain yang diperoleh bahwa permitivitas relatif (K) yang terbentuk pada lapisan tipis tersebut meningkat pengaruhnya pada frekuensi di atas 10 KHz sehingga terlihat bahwa kapasitansi lapisan tipis yang diamati memiliki harga yang tidak konstan, Selain itu nilai kapasitansi dan resistansi lapisan tipis ZnS:Mn mengalami perubahan terhadap variasi kadar Mn dari lapisan tipis tersebut."

"Telah dibuat lapisan tipis ZnS tanpa tambahan Sulfur dan dengan tambahan Sulfur dengan metode evaporasi termal. Pola difraksi yang didapat dengan karakterisasi XRD menunjukkan bahwa lapisan tipis ZnS yang dibuat dengan dan tanpa tambahan Sulfur memiliki struktur kristal kubik (Zincblende) dengan preferred orientation [111] untuk laju deposisi 6 A/s dan struktur kristal hexagonal (wurtzite) dengan preferred orientation [0021 untuk laju deposisi 20 Vs. Lapisan tipis yang didapat berbentuk polikristal, hal ini menunjukkan struktur kolumnar yang memang biasanya dimiliki oleh lapisan tipis yang dibuat dengan metode PVD. Juga diamati untuk sampel dengan laju deposisi lebih tinggi mempunyai ukuran butir yang lebih kecil.Dari analisa EDAX diketahui semua sampel kelebihan sulfur baik yang dibuat dengan tambahan Sulfur maupun tanpa tambahan Sulfur. Pengukuran konduktivitas terhadap temperatur menunjukkan lapisan tipis ZnS yang dibuat mempunyai perilaku semikonduktor. Sampel dengan laju deposisi rendah mempunyai hambatan jenis ~106 Ωcm dan sampel dengan laju deposisi tinggi mempunyai hambatan jenis ~107Ωcm untuk ZnS tanpa tambahan sulfur dan ~109Ωcm untuk ZnS dengan tambahan sulfur. Karakterisasi I-V menunjukkan adanya sifat ohmik, non ohmik dan destructive breakdown pada medan ± 3 MV/cm. Mekanisme yang terjadi pada medan rendah adalah tunneling dan pada medan tinggi (>1 MV/cm) terjadi pula electron avalanching."

"The Optical Properties of Cadmium Sulfide Thin Films Prepared by co-evaporation Deposition Methods of CdS and Sulfur. Cadmium Sulfide Thin Films have been deposited by thermal co-evaporation methods of CdS + S. The films were prepared on glass substrate and were varied by changing these deposition rates into 4-16 AIs. The thickness of the films and the real part of refractive indexes have been determined based on interference method using maximum and minimum of reflectance spectrum. The optical parameters a of these films have been determined by reflectance and transmittance spectrum using Hishikawa formulation of T/(1-R). The real part of refractive index and optical parameter a reduce with the higher deposition rate for transparency region - (E<2.6 eV). The optical gap almost did not show a certain tendency by deposition rate variation. The complex dielectric functions of these films reflect the real part of refractive indexes and extinction coefficients.

---

Lapisan tipis CdS telah dideposisi dengan metode co-evaporasi termal CdS+S. Lapisan tipis dideposisi di atas substrat kaca dan divariasi laju deposisinya 4 -16 AIs. Ketebalan dan indeks bias lapisan tipis ditentukan berdasarkan prinsip interferensi dengan menggunakan maksimum dan minimum spektrum reflektansi. Parameter optis a lapisan tipis ditentukan dari spektrum reflektansi dan transmitansi dengan menggunakan formulasi Hishikawa T/(1-R). Indeks bias rill dan parameter optis a berkurang dengan meningkatnya laju deposisi di daerah transparan (E < 2.6 eV). Gap optis tidak menunjukkan kecenderungan tertentu dengan variasi laju deposisi. Fungsi dielektrik kompleks lapisan tipis CdS mewakili indeks bias riil dan koefisien ekstinksi."

"Investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode.To investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode. The deposition rates were adjusted to 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s and the annealing temperatures were to 200 °C, 300 °C and 400 °C- The thickness of thin films were around 7000 A. The optical constant and band gap energy were calculated from the Reflectance ( R ) and Tansmittance (T) by using O.S. Heavens formula. The value of R and T were obtained from UV-VIS Spectrofotometre with the wavelength from 400 inn to 800 run. From the calculations it was found that the deposition rate affected the optical properties and structures. At wave length 550 nm, the deposition rates 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s give the real refractive index n 2.534; 2.503; 2.46; 2.505 respectively and the absorption coefficient a 1.15 x 103, 5.96 x 103, 4.38 x 103, 7.33 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,46 eV, 2,44 eV, 2,42. eV, 2.40 eV respectively and the grain sizes 816 4 A, 291.5 A, 256.7 A, 251.1 A respectively. The annealing process to 200 °C, 300 0C and 400 0C also affected the optical properties and structures. At deposition rate 4 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 °C give the real refraction index 2.513, 2.56, 2.54, 2.53 respectively and the absorption coefficient l .15x 103, 6 x 103, 7 x 103, 4 x 103 /cm respectively and the band-gap energy 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV, 2,42 eV respectively. At deposition rate 8 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.503, 2.527, 2.504, 2.505 respectively and the absorption coefficient 5.96x103, 6.5 x I03, 7.17 x l03 , 3-37 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,44 eV, 2,43 eV, 2.40 eV, 2,41 eV respectively. At deposition rate 12 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.46, 2.546, 2.495, 2.485 respectively and the absorption coefficient 4.38 x 103, 1.27 x 103, 0.15 x 103, 0.23 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV, 2,44 eV respectively. At deposition rate 16 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C. 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.505, 2.498, 2.499, 2.497 respectively and the absorption coefficient 7.33 x 103, 2.9 x 103, 1.7 x 103, 1.95 x 103 1cm respectively and the band gap energy 2,40 eV, 2,41: eV, 2,4.2 eV, 2,43 eV respectively. The c3-stall structures of thin film are found to be hexagonal with preferred orientation (002). The annealing processes affect the grain size. At the deposition rate 4 A's, the annealing process to 400 °C changed the grail? size from 816 A to 193,5 A. At the deposition rate 8 A/s, the amtealing process to 400 0C changed the grain size from 291,5 A to 168 A. At the deposition ratel2 A/s, the annealing process to 400 °C changed the grain size from 256,7 A to 198,2 A. At the deposition rate 16 A/s, the annealing process to 400 °C also changed the grain size from 251,1 A to 235,9 A.

---

Guna mengetahui perubahan sifat optis dan struktur terhadap laju deposisi pembuatan lapisan tipis dan juga terhadap anil, dibuat lapisan Cds dengan co-evaporasi termal CdS dan S diatas substrat kaca. Laju deposisi dibuat pada 4 A/s, 8 A/s, 12 As dan 16 A/s. Anil dilakukan pada setiap laju deposisi dengan 3 macam teinperatur yaitu: 200 0C, 300 oC dan 400 0C_ Ketebalan lapisan yang dibuat berkisar 7000 A. Konstanta optis yaitu koefisien absorpsi dan indek bias dihitung dari reflektansi R dan transmisi T berdasarkan metode fungsi minimal dengan menggunakan persamaan O.S. Heavens. Dad kurva koefisien abrsoipsi terhadap energi foton dibuat lebar pita terlarang CdS. Pengukuran nilai R dan T dilakukan dengan alat UV-VIS Spektrofotometer pada panjang gelombang 400 nm - 800 nm. Dari penelitian didapatkan bahwa laju deposisi mempengaruhi sifat optis material. Didapatkan nilai indek bias nyata pada laju deposisi 4 Als, 8 A/s, 12 A/s dan 16 A/s pada panjang gelombang 550 nm masing masing 2,534; 2,503; 2,46; 2,505 dan koefisien absorpsi masing-masing adalah 1,15 x 103; 5,96 x 103; 4,38 x I03; 7,33. x 103 /cm dan lebar pita terlarang masing-masing adalah 2,46 eV, 2,44 eV, 2.42 eV dan 2,40 eV. Besar butir menurun dengan meningkatnya laju deposisi. Besar butir pada laju deposisi 4 Als. 8 A/s, 12 AN dan 16 A/s berturut-turut adalah 816 A , 291,5 A, 256,7 A dan 251,1 A. Proses anil memberikan basil bahwa dari suhu 200 0C sampai 400 oC terjadi perobahan sifat optis dan struktur. Pada laju deposisi 4 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,513; 2,56; 2,54 dan 2.53 dan nilai koefisien absorpsi adalah 1,15x103; 6 x 103; 7 x 103; 4 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,42 eV. Piida laju deposisi 8 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,503; 2,527; 2,504 dan 2,505 dan nilai koefisien absorpsi adalah 5.96x 103; 6,5 x 103; 7,17 x 103; 3,37 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,44 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,41 eV. Pada laju deposisi 12 A/s berturut-turut tmtuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 'DC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,46; 2,546: 2,495 dan 2,485 dan nilai koefisien absorpsi adalah 4,38 x 103; 1,27 x 103; 0,15 x 103; 0,23 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV dan 2,44 eV. Pada laju deposisi 16 A/s berturut-turut untuk proses tanpa aril, aril .200 0C, 300 oC dan 400 0C indek bias nyata n adalah 2,505; 2,498; 2,499 dan 2.497 dan nilai koefisien absorpsi adalah 7,33 x 103; 2,9 x 103; 1,7 x 103; 1,95 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,40 eV, 2,41 eV, 2,42 eV dan 2,43 eV. Stniktur kristal lapisan tipis CdS yang terbentuk adalah heksagonal dengan prefi-'rred 0i-lank-Ilion (002). Proses anil inerubah besar ukuran butir. Pada sampel dengan laju deposisi 4 A/s anil 400 oC inerubah besar butir dart 816 A ke 193,5 A. Sampel dengan laju deposisi 8 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 291,5 A ke 168 A. Sampel dengan laju deposisi l2 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 256,7 A ke 198,2 A. Sampel dengan laju deposisi 16 A/s anif 400 oC merubah besar butir dari 251,1 Ake 235,9 A."

"Multiferroik berupa BiFeO3 telah berhasil dibuat dengan mensintesis Zinc sebanyak 5% melalui proses Sol Gel-Auto Combustion. Metode ini merupakan salah satu wet method karena pada prosesnya melibatkan larutan sebagai medianya. Citric Acid (C6H8O7) digunakan sebagai pembakar, HNO3 dan H2O digunakan sebagai pelarut. Material ini di kalsinasi dengan variasi temperatur 450oC, 500oC dan 550oC juga varias waktunya adalah 2jam,4jam, dan 12jam. Penilitian ini bertujuan untuk mengetahui bagaimana pengaruh substitusi Zinc (Zn) terhadap sifat termal dan magnetnya pada bahan. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa material BiFe0,95Zn0,05O3 memiliki tiga fasa yaitu BiFeO3, Bi2O3, dan Bi12,5Fe 0,5 O19,48. Pada temperatura 550oC dengan penahanan waktu 12jam didapat dua fasa yaitu BiFeO3 dan Bi12,5Fe 0,5 O19,48. Pada penelitian ini ukuran Kristalit material BiFe0,95Zn0,0 5O3 yaitu 49,3nm yang terkecil dan yang terbesar adalah 223 nm. Hasil DSC menunjukan pada temperatur 130oC sampai 200oC terjadi eksoterm yang menyababkan hasil TGA memperlihatkan massa material berkurang. Material BiFe0,95Zn0,05O3 termasuk softmagnetik dan sifat magnetnya adalah ferromagnetik lemah dilihat dari kurva histerisisnya.

---

Synthesizes Multiferroic BiFeO3 has succesfully made with 5% of Zinc (Zn) by Sol-Gel Auto Combustion method. This method is one of wet method because the process using aqueos mixture. Combuser in this experiment using Citric Acid (C6H8O7), and for the solvent using H2O and HNO3. Calcined at temperatur 450oC, 500oC dan 550oC and for time variation at 2,4, dan 12hours. This study aims to determine how the effect of Zinc subsitution on thermal and magnetic properties of the material.

Results showed that the XRD’s of material BiFe0,95Zn0,05O3 has three phases, namely BiFeO3, Bi2O3, and Bi12,5Fe 0,5 O19,48. At temperatur of 550oC with 12 hours of detention time obtained two phases, namely BiFeO3 and Bi12,5Fe 0,5 O19,48. Crystal size in this experiment is 49,3 nm for the smallest size and 223nm for the largest size. The result of DSC showed the temperaturas of 130oC to 200 oC occurred exothermic that causing the result of TGA showed mass material decrease. The Material of BiFe0,95Zn0,05O3 was softmagnetic and the magnetic properties is a weak ferromagnetic that seen from the hysterisis curve."