Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Indeks bias (n) dan koefi sien absorpsi optis (α) lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi (a-SiC:H) telah diteliti dari hasil pengukuran refl eksi dan transmisi. Lapisan tipis a-SiC:H dihasilkan dengan metode deposisi dc sputtering menggunakan target silikon dalam campuran gas argon dan metan. Indeks bias (n) berkurang dengan peningkatan fl ow rate gas metan. Koefi sien absorpsi optis (α) bergeser ke energi yang lebih tinggi dengan bertambahnya fl ow rate gas metan. Lapisan tipis cenderung makin tidak teratur dan memiliki gap optis yang lebih lebar pada fl ow rate gas metan tinggi. Relasi komposisi terhadap sifat?sifat optik lapisan tipis akan didiskusikan demikianpula terhadap ketidakteraturan jaringan amorf.

---

Methane Flow Rate Effects On The Optical Properties of Amorphous Silicon Carbon (a-SiC:H) Films Deposited By DC Sputtering Methods. We have investigated the refractive index (n) and the optical absorption coeffi cient (α) from refl ection and transmission measurements on hydrogenated amorphous silicon carbon (a-SiC:H) fi lms. The a-SiC:H fi lms were prepared by dc sputtering method using silicon target in argon and methane gas mixtures. The refractive index (n) decreases as the methane fl ow rate increase. The optical absorption coeffi cient (α) shifts to higher energy with increasing methane fl ow rate. At higher methane fl ow rate, the fi lms tend to be more disorder and have wider optical gap. The relation of the optical properties and the disorder amorphous network with the compositional properties will be discussed."

"Fungsi dieiektrik kompleks lapisan tipis amorfsilikon karbon (a-Sii.xCx:H) hasit deposisi sputtering telah ditentukan dengan menggunakan hasil pengukuran spektroskopi ellipsometer. Besaran optis lapisan tipis a-Si/.,Cx:H diperoleh dengan prosedur MSE terhadap tan i// dan cos A hasil eksperimen dengan tan y/ dan cos A model matematis sistem lapisan tipis. Mode! sistem tiga media digunakan untuk mendiskripsikan lapisan tipis a-Sii.xCx:H di alas substrat corning 7059 yang terletak di udara. Fungsi dieiektrik kompleks yang diperoleh merupakan kurva yang mulus terhadap energi dan memperlihatkan kehadiran maksimum kurva. Fungsi dieiektrik bagian riil si merefleksikan kuadrat bagian riil indeks bias n sedangkan fungsi dieiektrik bagian imajiner £2 mewakili karakteristik bagian imajiner indeks bias k. Peningkatan konsentrasi karbon mengurangi tinggi maksimum dan menggeser posisi maksimum kurva ke energi yang lebih tinggi. Gap optis bertambah dengan peningkatan konsentrasi karbon sedangkan parameter B berkurang dengan meningkatnya konsentrasi karbon. Berkurangnya harga parameter B berhubungan dengan peningkatan ketidak-teratwan dari sistem amorf. Pengaruh peningkatan konsentrasi karbon terhadap fungsi dieiektrik, gap optis dan parameter B merupakan akibat dari berkurangnya ikatan Si-Si dan bertambahnya ikatan Si-C. Pengaruh konsentrasi karbon terhadap pseudo-fungsi dieiektrik kompleks mirip dengan fungsi dieiektrik kompleks.

---

The complex dielectric functions of the a-Si/.,Cx:H films deposited by sputtering methods have been determined by spectroscopy ellipsometry. Optical constants of the a-Sii.xCx:H films are obtained from the MSE procedure for the experimental and model parameters y/ and A. Model of three medium systems is used to describe the a-Si/.^C^H films on corning 7059 substrate in air ambient- The complex dielectric function curves are smooth and show a maximum. The real part of dielectric function reflects the behavior of n2 and the imaginary part reflects the dependence of k on energy. The curve maximum decrease in magnitude and shift to the higher energies with the carbon concentration increase. The optical gap becomes higher with the carbon contained increase in the films but the B parameter decreases. The decrease of this parameter has been related to the increase of compositional disorder. The influence of carbon concentration on the dielectric function, optical gap and B parameter is the result of replacing Si-Si bonds by Si-C bonds. The influence of carbon concentration to the pseudo-dielectric function is similar to the dielectric function.

---

The complex dielectric functions of the a-Si/.,Cx:H films deposited by sputtering methods have been determined by spectroscopy ellipsometry. Optical constants of the a-Sii.xCx:H films are obtained from the MSE procedure for the experimental and model parameters y/ and A. Model of three medium systems is used to describe the a-Si/.^C^H films on corning 7059 substrate in air ambient- The complex dielectric function curves are smooth and show a maximum. The real part of dielectric function reflects the behavior of n2 and the imaginary part reflects the dependence of k on energy. The curve maximum decrease in magnitude and shift to the higher energies with the carbon concentration increase. The optical gap becomes higher with the carbon contained increase in the films but the B parameter decreases. The decrease of this parameter has been related to the increase of compositional disorder. The influence of carbon concentration on the dielectric function, optical gap and B parameter is the result of replacing Si-Si bonds by Si-C bonds. The influence of carbon concentration to the pseudo-dielectric function is similar to the dielectric function

;Fungsi dieiektrik kompleks lapisan tipis amorfsilikon karbon (a-Sii.xCx:H) hasit deposisi sputtering telah ditentukan dengan menggunakan hasil pengukuran spektroskopi ellipsometer. Besaran optis lapisan tipis a-Si/.,Cx:H diperoleh dengan prosedur MSE terhadap tan i// dan cos A hasil eksperimen dengan tan y/ dan cos A model matematis sistem lapisan tipis. Mode! sistem tiga media digunakan untuk mendiskripsikan lapisan tipis a-Sii.xCx:H di alas substrat corning 7059 yang terletak di udara. Fungsi dieiektrik kompleks yang diperoleh merupakan kurva yang mulus terhadap energi dan memperlihatkan kehadiran maksimum kurva. Fungsi dieiektrik bagian riil si merefleksikan kuadrat bagian riil indeks bias n sedangkan fungsi dieiektrik bagian imajiner £2 mewakili karakteristik bagian imajiner indeks bias k. Peningkatan konsentrasi karbon mengurangi tinggi maksimum dan menggeser posisi maksimum kurva ke energi yang lebih tinggi. Gap optis bertambah dengan peningkatan konsentrasi karbon sedangkan parameter B berkurang dengan meningkatnya konsentrasi karbon. Berkurangnya harga parameter B berhubungan dengan peningkatan ketidak-teratwan dari sistem amorf. Pengaruh peningkatan konsentrasi karbon terhadap fungsi dieiektrik, gap optis dan parameter B merupakan akibat dari berkurangnya ikatan Si-Si dan bertambahnya ikatan Si-C. Pengaruh konsentrasi karbon terhadap pseudo-fungsi dieiektrik kompleks mirip dengan fungsi dieiektrik kompleks.

---

Abstract

The complex dielectric functions of the a-Si/.,Cx:H films deposited by sputtering methods have been determined by spectroscopy ellipsometry. Optical constants of the a-Sii.xCx:H films are obtained from the MSE procedure for the experimental and model parameters y/ and A. Model of three medium systems is used to describe the a-Si/.^C^H films on corning 7059 substrate in air ambient- The complex dielectric function curves are smooth and show a maximum. The real part of dielectric function reflects the behavior of n2 and the imaginary part reflects the dependence of k on energy. The curve maximum decrease in magnitude and shift to the higher energies with the carbon concentration increase. The optical gap becomes higher with the carbon contained increase in the films but the B parameter decreases. The decrease of this parameter has been related to the increase of compositional disorder. The influence of carbon concentration on the dielectric function, optical gap and B parameter is the result of replacing Si-Si bonds by Si-C bonds. The influence of carbon concentration to the pseudo-dielectric function is similar to the dielectric function."

"Jenis kecenderungan ikatan lokal atomik lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi (a-Sit-rCx: H) hasil deposisi sputtering dengan target grafit dan silikon telah ditentukan dengan menggunakan prosedur minimasi. Prosedur minimasi dilakukan terhadap fungsi dielektrik kompleks hasil eksperimen dengan fungsi dielektrik kompleks model tetrahedron yang dikembangkan oleh Mui-Smith. Lapisan tipis a-Si1-xC1:H yang dihasilkan dengan target grafit memiliki kecenderungan ikatan lokal atomik CD (chemically disordered) sedangkan hasil dart target silikon memiliki jenis kecenderungan ikatan lokal atomik CORD (chemical ordering with homogeneous dispersion). Kehadiran void pada lapisan tipis a-Si1-xCx: H untuk kedua jenis target juga dapat diketahui dari prosedur minimasi. Jumlah void yang cenderung konstan pada lapisan tipis yang dihasilkan dengan target grafit mendukung hasil para peneliti lain bahwa jumlah void bukan dipengaruhi oleh peningkatan konsentrasi karbon tetapi karena peningkatan hydrogen. Lapisan tipis yang dihasilkan dengan menggunakan target grafit memiliki jumlah void yang lebih tinggi dibandingkan lapisan tipis yang dihasilkan dart target silikon atau lapisan tipis yang dihasilkan dengan target silikon lebih kompak dibandingkan hasil target grafit.

---

Determination of Local Atomic Bonding Preferences of Amorphous Silicon Carbon Deposited by 2 Sputtering Targets : Graphite and Silicon. The preferences of local atomic bonding of amorphous silicon carbon films deposited by graphite and silicon target has been determined by minimizing procedure. The experimental complex dielectric function has been minimized by complex dielectric function model developed by Mui-Smith. The preferences of local atomic bonding for films deposited by graphite target was chemically disordered (CD) whereas for films deposited by silicon target was chemical ordering with homogeneous dispersion (COHD). Minimization procedure shows the presence of voids in the films for both silicon and graphite targets. The monotonic behavior of voids with carbon concentration for films deposited by graphite target agree with other's researcher results that the amounts of void are not influenced by increasing carbon concentration but are influenced by hydrogen concentration. The films deposited by graphite target contain more voids than silicon target or films deposited by silicon target have a compact structure than graphite target."