Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Teknologi implan medis pada saat ini telah menjadi bagian penting dalam suatu metode monitoring kondisi tubuh dari suatu makhluk hidup. Dalam sistem teknologi implan medis yang dijalankan secara nirkabel,diperlukan sistem Wireless Power Transfer. Sistem Pada sistem WPT terdapat 2 bagian penting, yaitu transmitter dan reciever. Pada bagian transmitter memiliki peran penting untuk proses amplifikasi daya, dibagian transmitter yang memiliki peran tersebut adalah Power Amplifier (PA). Topologi PA yang digunakan adalah Class-J yang dikenal memiliki liniearity yang baik tanpa mengorbankan efisiensi yang dimiliki, lalu terdapat komponen MOSFET yang bertugas sebagai switching tegangan-arus yang mengalir diterapkan dalam PA, spesifikasi MOSFET diharapkan memiliki kemampuan switching yang cepat dan memiliki efek parasitik dan resistansi yang rendah. PA akan dioperasikan dengan parameter frekuensi masukan sebesar 13,56 MHz sebagai spesifikasi dari penerapan untuk alat implant biomedis. Desain PA dilakukan dengan menggunakan perangkat lunak Advance System Design 2020 (ADS 2020) untuk mendapatkan efisiensi yang tinggi dengan parameter yang diharapkan. Hasil dari desain merupakan dengan target mendapatkan nilai PAE setinggi-tingginya dengan keluaran daya juga yang besar dalam hal ini Power Gain (dBm), dan hasil penguatan dalam decibel (dB) sebesar-besarya agar daya tidak hilang ketika ditransfer melalui coil menuju reciever. Melalui desain ini diperoleh output power atau P1dB sebesar 12,3 dBm sedangkan pada hasil simulasi P1dB sebesar 32 dBm..

---

Medical implant technology at this time has become an important part in a method of monitoring the body condition of a living being. In a medical implant technology system that runs wirelessly, a Wireless Power Transfer system is needed. System In the WPT system there are 2 important parts, namely transmitter and receiver. The transmitter section has an important role for the power amplification process, the transmitter section has a Power Amplifier (PA) role. The PA topology used is Class-J which is known to have good linearity without sacrificing its efficiency, then there is a MOSFET component that acts as a current-voltage switching applied in the PA, the MOSFET specification is expected to have fast switching capabilities and has parasitic and parasitic effects. low resistance. The PA will be operated with an input frequency parameter of 13.56 MHz as a specification of the application for biomedical implant devices. The PA design was carried out using the Advance System Design 2020 (ADS 2020) software to obtain high efficiency with the expected parameters. The result of the design is with the target of getting the highest PAE value with a large power output in this case Power Gain (dBm), and the maximum gain in decibels (dB) so that power is not lost when transferred through the coil to the receiver. Through this design, the output power or P1dB is 12.3 dBm, while the P1dB simulation results are 32 dBm."

"Teknologi implant biomedis menjadi salah satu teknologi yang paling banyak digunakan pada saat ini. Teknologi tersebut memanfaatkan sistem WPT untuk mentransmisikan energi nya. Salah satu bagian penting pada WPT adalah PA. Pada skripsi ini, didesain sebuah PA yang beroperasi pada frekuensi kerja 13.56 MHz yang dapat mencapai PAE hingga 80% dan gain hingga 20 dB. Pada PA ini digunakan konfigurasi Kelas A dengan menggunakan titik kerja kelas AB. PA dapat menghasilkan daya output hingga 10 dBm atau sekitar 10 mW. Tahapan desain dimulai dengan melakukan simulasi menggunakan perangkat lunak ADS (Advanced Design System) 2020 untuk menguji dan menganalisis PAE, gain, dan daya output. Berdasarkan hasil simulasi, didapatkan PAE sebesar 87.48%, gain sebesar 41.44 dBm, dan P1dB sebesar 12.39 dBm. Pada tahapan berikutnya, skematik rangkaian PA pada ADS didesain menjadi sebuah layout PCB dengan menggunakan komponen yang tersedia di pasaran. Layout PCB tersebut kemudian dicetak dan diuji. Berdasarkan pengukuran PCB, didapatkan PAE sebesar 14.58%, gain sebesar 39.1 dB, dan P1dB sebesar 12.4 dBm.

---

Biomedical implant technology is one of the most widely used technologies today. The technology utilizes the WPT system to transmit its energy. One of the important parts of WPT is PA. In this research, a 13.56 MHz PA that can reach PAE up to 80% and gain up to 20 dB has been designed. This PA used Class A configurations with Class AB operation. This PA could produce an output power up to 10 dBm or approximately 10 mW. The design process started from simulation using ADS (Advanced Design System) 2020 to observe and analyze PAE, gain, and output power. Based on simulation, this PA could reach PAE up to 87.48%, gain up to 41.44 dBm, and P1dB of 12.39 dBm. The next step of the design process is designing a PCB layout based on the schematic on ADS 2020 using available components. The PCB layout was printed and tested. Based on the PCB testing result, this PCB could reach PAE up to 14.58%, gain up to 39.1 dB, and P1dB of 12.4 dBm."

"Saat ini, implan telah banyak dikembangkan dalam dunia kesehatan, seperti implan koklea, prostesis retina, implan alat pacu jantung dll. Low noise amplifier (LNA) adalah salah satu rangkaian utama pada rangkaian penerima sistem transfer daya nirkabel untuk aplikasi implan medis yang berfungsi untuk mengamplifikasi sinyal keluaran dari antena penerima. Dalam penelitian ini, dirancang suatu rangkaian penerima berdaya dan berderau rendah dengan frekuensi kerja 13,56 MHz. Menggunakan tiga blok rangkaian, yaitu LNA, penyearah, dan filter, rangkaian penerima ini didesain untuk mengamplifikasi daya sekaligus menyearahkannya. Dari hasil simulasi, rangkain penerima yang didesain memiliki penguatan (S21) sebesar 43dB, noise figure 1,179dB, dan daya yang dibutuhkan sebesar 0,987 mW. Rangkaian ini telah diimplementasikan dalam sebuah PCB dalam ukuran 85,1 mm x 32,6 mm dan diuji parameter-parameternya.

---

Nowadays, implant has been developed a lot in medical field, such as cochlear implant, retinal prostheses, pacemaker implant, etc. Low noise amplifier (LNA) is a main circuit of wireless power transfer system receiver, which has a function to amplify output signal from receiver antenna. In this thesis, a low-noise low-power 13,56 MHz receiver had been designed. Using three circuit blocks: LNA, rectifier, and filter, this receiver was designed to do amplification and rectification as well. From simulation, this receiver got amplification gain (S21) 43dB, noise figure 1.179dB, and power consumption 0.987mW. The receiver was implemented in 85.1 mm x 32.6 mm PCB and had been tested for its parameters."

"ABSTRAKPower amplifier merupakan salah satu subsistem dalam rangkaian transmitter yang sangat penting. Power amplifier berfungsi untuk menaikkan daya dari sinyal yang akan dikirimkan sehingga sinyal masih mampu dideteksi oleh rangkaian penerima. Power Amplifier yang dirancang diperuntukan sebagai bagian dari sistem transmitter Indonesian Inter University Satellite (Iinusat). Iinusat merupakan sebuah satelit berkriteria nano yang dikembangkan oleh beberapa perguruan tinggi di Indonesia. Power amplifier yang akan dirancang didisain sehingga memiliki Maximum Available Gain (MAG) > 17 dB pada frekuensi downlink 436.9 MHz dengan faktor kestabilan (K) > 1. Selain itu, parameter yang juga harus diperhatikan dari perancangan power amplifier ini adalah nilai Voltage Standing Wave Ratio (VSWR) yang memiliki nilai 1≤VSWR≤1.2, dimana hal ini merepresentasikan banyaknya nilai sinyal terpantul. Pada kedua port power amplifier, baik input maupun output, diberikan rangkaian matching agar nilainya menjadi konjugasi dari nilai impedansi sistem untuk memaksimalkan daya yang mampu diteruskan oleh divais. Proses perancangan dilakukan dengan menggunakan piranti lunak advanced design system (ADS). Berdasarkan simulasi, hasil akhir rangkaian adalah bandwidth sebesar 1.5 MHz, faktor kestabilan 1.187, dan nilai VSWR sebesar 1.147.

---

ABSTRACTPower amplfier is one of many subsystems in transmitting circuitry which can be considered very important. Power amplifier can boost signal?s power up in order to be able to be transmitted in a quite long distance and still can be well detected by the receiver?s circuit. This Power amplifier is designed as a part of transmitter system in Indonesian Inter University Satellite (Iinusat). Iinusat is a nanosatellite built by several Indonesian universities. The designed power amplifier has maximum available gain (MAG) >17 dB and stability factor (K)>1. other parameter that is being considered in the design is the Voltage Standing Wave Ratio (VSWR), which the value is 1≤VSWR≤1.2. A making of microstrip line as a path of the signal and a connector between two components is required in this project to obtain a better result in designing the power amplifier subsystem. Both in the input and output port of this power amplifier, there are matching networks which are used as matching system so that the input and output port values are the conjugation of the system impedance. Advanced design system (ADS) is used in the designing process. The simulation yields bandwidth of the signal 1.5 MHz, stability factor 1.187, and the VSWR 1.147."

"Saat ini perkembangan teknologi Wireless Power Transfer (WPT) atau transmisi daya nirkabel semakin meningkat dengan pesat. Penelitian dalam peningkatan efisiensi WPT pun semakin beragam, baik di sisi transmitter maupun di sisi receiver nya. Pada tugas akhir ini, penelitian untuk meningkatkan efisiensi WPT dilakukan di sisi transmitter yaitu pada bagian Power Amplifier (PA). Penambahan terminasi harmonik ketiga pada sisi output PA kelas E konvensional secara efektif mampu menurunkan nilai arus yang mengalir dari drain ke source, sehingga total konsumsi daya rangkaian menjadi lebih rendah. Di sisi lain, modifikasi yang diusulkan mampu meningkatkan power gain secara signifikan sehingga diperoleh peningkatan Power Added Efficiency (PAE). Hasil simulasi desain PA kelas-E dengan terminasi harmonik ketiga pada frekuensi 6,78 MHz menggunakan perangkat lunak Advanced Design Sistem 2020, mampu meningkatkan efisiensi hingga 3,5% dibandingkan PA kelas-E konvensional dan power gain yang dihasilkan bernilai lebih dari 30 dB. Karena keterbatasan alat pengukuran, hasil desain PA pada PCB hanya menghasilkan power output sebesar -3.02 dBm, serta power gain sebesar -27 dB. Perbaikan dan optimasi desain dilakukan untuk memperoleh kondisi optimum desain PA yaitu menggunakan mode bias transistor kelas B pada tegangan VGS 8 volt, dan tegangan VDD sebesar 35 volt. Dengan kondisi tersebut, PA yang diusulkan memiliki nilai power gain sebesar 31.848 dB dan nilai PAE sebesar 26.116%.

---

Nowadays, the development of Wireless Power Transfer (WPT) technology or wireless power transmission is increasing rapidly. Research on improving the efficiency of WPT is also increasingly diverse, both on the transmitter and the receiver side. In this final project, the research to improve WPT efficiency is carried out at the transmitter side, i.e., the Power Amplifier (PA). The addition of a third harmonic termination on the output side of the conventional class E PA effectively reduces the drain to the source, so that the total power consumption is decreased. On the other hand, the proposed modification boosts the power gain so that the Power Added Efficiency (PAE) increases simultaneously. The simulation of class-E PA with third harmonic termination at a frequency of 6.78 MHz increases the PAE by 3.5% compared to conventional E-class PA and the power gain increase by 6.23 dB. Due to the limitations of measurement tools, the PA design on the PCB only produces an output power of -3.02 dBm and a power gain of -27 dB. Design improvement and optimization are carried out to obtain the optimum conditions for the PA design by using class B transistor bias mode at VGS of 8 V and VDD of 35 V. Under these conditions, the proposed PA has a power gain of 31,848 dB and a PAE of 26,116%."

"Antena aktif yang merupakan integrasi antara antena gelombang mikro dengan perangkat aktif seperti amplifier telah mendapat perhatian yang luas pada beberapa tahun belakangan ini. Pada umumnya, penempatan elemen aktif yaitu transistor microwave dalam rangkaian terintegrasi microwave (Microwave Integrated Circuit, MIC) dibuat pada saluran transmisi microstrip. Pada tesis ini dibahas mengenai rancangan microwave power amplifier sebagai elemen aktif dari antena yang dibuat dengan memakai rangkaian penyesuai saluran transmisi coplanar waveguide. Keuntungan utama yang diharapkan dapat diperoleh dengan pemakaian coplanar waveguide antara lain; interkoneksi komponen pada rangkaian lebih mudah karena hanya bagian permukaan dari struktumya yang diperlukan, memberikan kemudahan dalam memperluas rangkaian pada bidang atas substrat sehingga sangat sesuai digunakan pada rangkaian terintegrasi microwave.Transistor microwave yang dipakai pada rancangan amplifier ini adalah GaAs MeSFET tipe NE 76084 yang memiliki potensi tidak stabil (potentially unstable) pada frekuensi 5 GHz, dan kondisi ini umumnya dihindari dalam rancangan microwave amplifier. Sekalipun transistor tersebut berpotensi tidak stabil, pada tesis ini diperlihatkan realisasi rancangan microwave amplifier dengan membuatnya menjadi stabil melalui pemilihan koefisien refleksi beban yang sesuai.Perancangan dilakukan dengan bantuan perangkat lunak CAD untuk amplifier, AutoCAD dan perangkat keras mesin cetak quick circuit. Pengukuran terhadap beberapa parameter seperti power gain, bandwith, return loss dan VSWR dilakukan pada rancangan akhir amplifier dengan frekuensi operasi 5 GHz.

---

Active antennas which are integration between microwave antenna and an active device such as amplifier have found wide interest in the past few years. Mostly, the placement of active element (i.e. microwave transistor) in microwave integrated circuit (MIC) made on microstrip transmission line. This paper describes the design of microwave power amplifier as an active part of active antenna implemented on coplanar waveguide. With the design proposed here, the main advantage which may be expected from the proposed coplanar waveguide compared to microstrip line is based on the fact, that network interconnection is easily obtained. It structure's necessary only on the surface side of the substrate, allowing planar circuits on the top side to be extended and thus making it compatible with microwave integrated-circuit.

The amplifier investigated in this paper utilized GaAs MeSFET (NE 76084) which is potentially unstable can be realized by the proper selection of the load reflection coefficient. This condition must, therefore, be avoided for the design of microwave amplifier.

The amplifier was designed using several tools such as CAD for amplifier and Auto CAD software, and Quick-circuit machine. Measured result of power gain, VSWR and bandwidth of the amplifier operating in 5 GHz are given."

"Transfer daya nirkabel atau wireless power transfer (WPT) memiliki banyak aplikasi terutama untuk charging berbagai divais elektronika seperti implan-implan biomedik dan perangkat elektronik baik berdaya kecil (smartphone dan smart watch) ataupun berdaya besar (electronic vehicle). WPT yang memiliki topologi sederhana masih berupa tantangan karena banyak WPT yang sudah dikembangkan memiliki rangkaian elektronika yang rumit terutama dengan ditambahnya DC-DC konverter seperti kelas E. Penelitian ini menghadirkan sebuah WPT dengan metode IPT (Inductive Power Transfer) sebagai jembatan antara pemancar dan penerima yang kumparannya dibuat dengan tangan. Hasil simulasi dari desain dalam penelitian ini dengan komponen ideal menghasilkan sebuah pemancar dengan efisiensi rata-rata 77.25%, simulasi dengan komponen pasaran rata-rata 46.17%, dan hasil uji coba rangkaian pada protoboard rata-rata 41.62% dengan efisiensi tertingginya adalah 45.90%.

---

Wireless power transfer (WPT) has many applications especially for elctronic devie charging such as biomedic implants, low powered devices (smartphone and smart watch), and high powered devices (electronic vehicles). Although, a WPT with simple design that provides decent efficiency is still a challenge because most of developed WPT has complexity added to its circuit with the addition of DC-DC converters such as Class E converters. This research presents a WPT using IPT method as a bridge between transmitter and receiver which coils are made by hands. The simulation with ideal components resulted with an average efficiency of 77.25%, simulation with non-ideal comonents resulting in 46.17%, and the designed circuit on a protoboard with 41.62% average efficiency with the highest point in 45.90%."

"ABSTRAKConcurrent multiband LNA merupakan salah satu tipe multiband LNA yangmampu bekerja pada beberapa frekuensi berbeda secara simultan dalam satuwaktu. Pada tesis ini dirancang concurrent multiband LNA yang bekerja padaempat frekuensi tengah yaitu 950 MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, dan 2.65 GHz.LNA yang dirancang menggunakan transistor HJ-FET NE3210S01 dengan biasjenis self bias, topologi input matching inductive degeneration yang ditambahkanresonator LC paralel, dan ditambah transistor yang dipasang cascode. Simulasidilakukan dengan menggunakan perangkat lunak Advance Design System (ADS),layout dibuat dengan perangkat lunak altium designer dan kemudian difabrikasi diatas PCB.Hasil simulasi dari rancangan LNA menunjukkan bahwa pada keempat frekuensitengah 950 MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, dan 2.65 GHz, S21 mencapai 21.77 dB,17.88 dB, 16.71 dB, dan 15.85 dB untuk keempat frekuensi tengah. S11 sebesar -23.23 dB, -20.46 dB, -17.93 dB, dan -19.69 dB. NF sebesar 0.73 dB, 0.69 dB,0.68 dB, dan 0.75 dB.Hasil pengukuran menunjukkan frekuensi tengah yang bergeser menjadi 665 MHzdengan S11 -14.57 dB dan S21 -4.56 dB, 1.07 GHz dengan S11 -13.42 dB dan S21 -5.79 dB, 1.34 GHz dengan S11 -13.34 dB dan S21 -2.01 dB, dan 2.84 GHz denganS11 -24.49 dB dan S21 -14.79 dB.

---

ABSTRACTConcurrent multiband LNA is one type of multiband LNA that works at severalfrequency bands one time simultaneously. This project presents a design ofConcurrent multiband LNA that works at four frequency centers namely 950MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, and 2.65 GHz. The simulated LNA uses HJ-FETNE3210S01 with self bias, inductive degeneration topology added with resonatorLC, and added with cascode transistor. Simulation performed with AdvanceDesign System (ADS), layout is designed with altium designer software thanfabricated on PCB.The simulation result of the LNA shows that, at four frequency centers 950 MHz,1.85 GHz, 2.35 GHz, and 2.65 GHz, S21 achieves 21.77 dB, 17.88 dB, 16.71 dB,and 15.85 dB respectively, S11 achieves -23.23 dB, -20.46 dB, -17.93 dB, and -19.69 dB respectively, NF achieves 0.73 dB, 0.69 dB, 0.68 dB and 0.75 dBrespectively.The measurement result shows that frequency centers shift, they are 665 MHzwith S11 -14.57 dB and S21 -4.56 dB, 1.07 GHz with S11 -13.42 dB and S21 -5.79dB, 1.34 GHz with S11 -13.34 dB and S21 -2.01 dB, and 2.84 GHz with S11 -24.49dB and S21 -14.79 dB."

"Saat ini, pemanfaatan wireless power transfer untuk menyediakan daya bagi implan medis menjadi krusial dalam meminimalisasi tindakan operasi berulang yang diperlukan untuk penggantian baterai. Akan tetapi sistem Wireless Power dan Data Transfer (WPDT) konvensional memiliki dua koil induktif, sehingga diperlukan rangkaian yang kompleks dan area besar. Pada penelitian ini, diusulkan rangkaian pemancar WPDT koil tunggal dengan modulasi amplitudo shift keying (ASK) yang yang compact dan mampu menghasilkan efisiensi tinggi. Dua buah kapasitor parallel yang dirangkai seri dengan koil pemancar memungkinkan operasi transfer daya dan data berada pada kondisi optimal. Uji coba rangkaian pada level PCB memperoleh efisiensi sebesar 40,47% dan dapat ditingkatkan hingga 96,44% dengan rentang frekuensi 8,5 MHz hingga 11,5 MHz.

---

Currently, the utilization of wireless power transfer to provide power for medical implants is crucial in minimizing the need for repeated surgical procedures for battery replacement. However, conventional Wireless Power and Data Transfer (WPDT) systems have two inductive coils, requiring complex circuitry and a large area. In this study, a single-coil WPDT transmitter circuit with amplitude shift keying (ASK) modulation is proposed, which is compact and capable of achieving high efficiency. Two parallel capacitors connected in series with the transmitter coil enable power and data transfer operations to be in optimal condition. Circuit testing at the PCB level achieved an efficiency of 40.47% and can be improved up to 96.44% within the frequency range of 8.5 MHz to 11"

"ABSTRAKTo support the WiMAX infrastructure development in Indonesiaa dualband2.3/3.3 GHz low noise amplifier (LNA) is designed and analyzed. The LNAis designed by combining the inductive source degeneration architecture and theproposed switchable inductor for controlling gain. The chipis implemented byTSMC 0.18-μm CMOS technology.First of all, the mathematical analysis of the proposed LNA architecture isconducted. It includesinput-impedance, gain and noise figure analysis. Theproposed input-impedance analysis modifies the input impedance of the inductivesource degeneration LNA architecture, includes devices selection to fulfill S11requirement. Furthermore, the gain analysis is performed to explain the proposedswitchable inductor structure for controlling gain. It shows that combining onchipinductor paralleled with series bond-wire and on-board inductor will obtain aflatter gain for two bands of interest. The noise figure for source inductivedegeneration LNA architecture is derived. The noise figure described by thederived equations agrees well with that obtained from the simulation.Secondly, the proposed dual-band 2.3/3.3 GHz LNA is simulated. At lowbandmode, simulated results show the maximum S21 of 18.69 dB, an S11 below -29 dB, and a flat noise figure of 2.3 ~ 2.33 dB from 2.3 to 2.4 GHz. The LNApresents the IIP3 and the P1dB of -12.1 dBm and -23.3 dBm, respectively, whileconsuming 18.4 mW at 1.5 V power supply. At high-band mode, the simulationresults show the S21 of 17.01 ~ 17.48 dB, the S11 below -21 dB, and an flat noisefigure of 2.36 ~ 2.37 dB from 3.3 to 3.4 GHz. The LNA consumes only 12.9 mWat high-band mode, while exhibiting the IIP3 and the P1dB of -11.3 dBm and -22.1dBm, respectively.And then, the proposed LNA is verified by the post-simulation in whichthe bond-wire effects are considered for an on-board deployment. At low-bandmode, the post-simulation results show the S11 of -29.11 dB ~ -32 dB, the S21 of17.18 ~ 17.42 dB, and the flat noise figure of 2.67 ~ 2.71 dB. The LNA exhibitsthe IIP3 and P1dB of -13.4 dBm and -24.2 dBm respectively, while consuming16.32 mW power. At high-band mode, the LNA exhibits the S21 of 15.5 ~ 15.88dB, the S11 of -12.94 ~ -16.82 dB, and the flat noise figure of 2.52 ~ 2.54 dB whileconsuming 11.75 mW. The IIP3 and P1dB for the high-band mode are -12.3 dBmand 23.3 dBm, respectively. The total chip area ofthe proposed LNA is 0.9 mm2,including the IO pads."