Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Valley elektronik adalah nilai energi ekstrem dalam struktur pita suatu material, yang dalam kondisi tertentu dapat memberikan derajat kebebasan baru selain muatan dan spin. Dalam hal ini, bidang penelitian yang disebut valleytronics berfokus pada manipulasi dan pemanfaatan valley untuk aplikasi potensial dalam teknologi informasi dan perangkat elektronik. Dari banyak pilihan material, semikonduktor dua dimensi (2D) berjenis logam transisi dichalcogenides (TMDs) muncul sebagai kelas material yang potensial untuk valleytronics karena ketersediaan celah pita yang cukup besar pada dua posisi vektor gelombang yang tidak ekuivalen yang memiliki kerusakan simetri pembalikan waktu sekaligus inversi. Dalam penelitian ini, kami menyelidiki polarisasi valley optik pada material monolayer NbX2 (X = S, Se, Te) 2D, yang juga merupakan spesies TMD, dengan menghitung elemen matriks interaksi elektron-foton untuk eksitasi elektronik yang diinduksi oleh cahaya terpolarisasi sirkular. Dari perhitungan prinsip pertama beserta efek spin-orbit coupling (SOC), kami menemukan bahwa, meskipun monolayer NbX2 secara intrinsik adalah logam, elektron di valley K (atau K’) dapat dieksitasi secara selektif oleh cahaya terpolarisasi sirkular kiri (atau kanan). Dengan menyesuaikan posisi level Fermi dan energi laser agar beresonansi dengan celah pita di valley K (atau K’), secara teori dimungkinkan untuk mendapatkan polarisasi valley optik yang sempurna di valley K (atau K’) pada monolayer NbX2. Kami juga menemukan bahwa Berry’s curvature dari NbX2 adalah besaran yang berguna untuk menentukan polarisasi valley optik. Polarisasi valley optik berkorelasi dengan Berry’s curvature karena adanya efek SOC di NbX2. Hasil penelitian kami memperluas kelas material opto-valleytronics, tidak hanya terbatas pada semikonduktor tetapi juga mencakup logam.

---

Electronic valleys are the energy extrema in the band structure of a material, which, under a specific condition, can give a new degree of freedom beyond the charge and spin. In this regard, a research field called “valleytronics” focuses on the manipulation and utilization of the valley degree of freedom for its potential applications in information technology and future electronic devices. Of many materials, semiconducting two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs) emerged as a potential class of materials for valleytronics due to the availability of sizable band gaps at two inequivalent, time-reversal, and inversion symmetry-broken wave vectors. In this work, we investigate the optical valley polarization in 2D monolayer NbX2 (X = S, Se, Te), a particular species of TMDs, by computing electron-photon interaction matrix elements for electronic excitations induced by circularly polarized light. From first-principles calculations with the spin-orbit coupling (SOC) effect, we find that, although monolayer NbX2 are intrinsically metallic, the electrons at the K (or K’) valleys can be excited selectively with left-handed (or right-handed) circularly polarized light. By adjusting the Fermi level position and laser energy to be resonant to band gaps at the K (or K’) valleys, it is theoretically possible to obtain perfect optical valley polarization at the K (or K’) valleys in monolayer NbX2. We also find that Berry’s curvature of NbX2 is a useful quantity to be analyzed for determining the optical valley polarization, i.e., the optical valley polarization correlates to Berry’s curvature due to the presence of strong SOC in NbX2. Our research results extend the class of opto-valleytronic materials, not only limited to semiconductors but also including metals."

"

Logam transisi dichalgogenides (TMDs) memperlihatakan sifat-sifat yang unik pada fase struktur monolayernya, yaitu celah pita langsung, yang menjadikannya kandidat menjanjikan dalam penerapannya dalam optoelektronik. Diantara TMDs tersebut, WS₂ memperlihatkan interaksi spin-orbit yang kuat sehingga dalam uji eksperimen dapat memisahkan pita-pita energi pada band valensinya hingga sebesar ~400 meV. Tidak seperti TMDs lainnya, puncak eksitonik pertamanya A berbentuk sangat tajam, sedangkan puncak eksitonik keduanya berbentuk lebih lebar dengan intensitas yang relatif lebih kecil jika dibandingkan puncak pertama. Untuk mendapatkan nilai eksitoniknya secara teori, khususnya puncak B, kami menerapkan metode Double-Grid. Efek-efek interaksi elektron-hole sendiri dibahas dengan membandingkannya terhadap yang dihitung pada level partikel independen. Perhitungan first principle yang kami lakukan dengan menerapkan efek interaksi spin-orbit menunjukkan terjadinya pergeseran celah pita energi ke wilayah energi yang lebih rendah sebesar 0.36 eV jika dibandingkan dengan perhitungan tanpa menggunakan efek spin-orbit. Lebih lanjut, efek spin-orbit ini juga menyebabkan pemisahan pada pita energi valensi tertingginya sebesar 410 meV. Dari sisi struktur eksitoniknya, interaksi spin-orbit menyebabkan terpecahnya puncak-puncak eksiton WS₂ monolayer menjadi dua bagian, khususnya pada puncak kedua dan ketiga

---

Transition metal dichalcogenides (TMDs) display unique properties in their monolayer structures, namely a direct band-gap transition, which becomes a promising candidate for optoelectronics applications. Among them, WS₂ exhibits strong spin-orbit (SO) interaction which splits the electronic valence band as observed in the experimental data up to 400 meV. Unlike the other TMDs, the first excitonic peak A is very sharp for WS₂, while the secondary peak B is broader with smaller relative intensity. In this study, we perform first-principles calculations on the electronic band structure and solve the Bethe-Salpeter equation (BSE) for the complex dielectric function of monolayer WS₂ to study the effects of spin-orbit coupling on its excitonic structures. To resolve the excitonic peaks, in particular the B peak, we implement the double-grid method. We discuss the effects of electron-hole interaction on the absorption spectrum by comparing it with that calculated at the independent-particle level. Our first principle with spin-orbit calculation band structure shows spin-orbit coupling induce red-shifting of 0.36 eV compare to one without spin-orbit interaction. It also induces splitting of 400 meV on the valence band structure. From perspective of exitonic structure, spin-orbit coupling induces peak splitting on the second and third peak of WS₂ monolayer absorption optical spectra.

"

"The need of electronic has influenced the world of pharmaceutical nowadays.A hardness tester tester is one of the measurement devices that need digitation....."

"Salah satu penyebab terjadinya gangguan pada generator sinkran adalah terjadinya sparkover antara lilitan stator, kasus ini terjadi pada generator unit satu PLTA Cirara. di mana dengan adanya gangguan tersebut generator gaga/ menyalurkan daya ke sistem interkoneksi Jawa-Bali. Tugas akhir ini berisi analisis terhadap penyebah terjadinya sparkover pada Jilitan stator dan analisis daerah penyebaran hotspot akibat arus lebih yang dihasilkan oleh adanya hubung singkat altfara lilitan stator setelah lerjadinya spark-over. Penurunan daya isolasi antara /ilium stator (terdiri dari isolasi penutup sambungan batang lilitan dan isolasi udara sejauh 5 em) menjadi sebuah alasan mengapa sparkover dopa/ terjadi pada lilitan stator generator sinkron PLTA Cirata. dengan adanya penunman daya isolasi, Isolator antara li/itan stator tidak mampu mcnahan gradien tegangan yang timbul. Faktor-faktor yang mengakibatkan terjadinya sparkover ini dapal diketahui dari pengamatan ftsik stator di lapangart dan pengujfan kegagalan isolasi dari sampei Isolator penutup sambungan barang /ilium stator Generator PLTA Cirata yang dilakukan di Laboratorium Tegangan tinggi Sparkover mengakibatkan terjadinya hubung singkot anrara lilitan stator yang berbeda fasa, di mana hubung singkat akan menimbulkan arus yang mengalir."

"Pengendali PD merupakan pengendali yang sudah teruji dan banyak diterapkan pada proses pengendalian suatu sistem, salah satu penerapannya yaitu pada pengendalian kemudi kapal kargo, Walaupun pengendali PD (fixed parameters) ini bekerja dengan baik ruunun peiformance-nya menurun pada saat kapal mengalami perubahan kecepatan maupun saat terjadinya gangguan seperti angin, ombak dan arus. Selain itu diperlukan waktu yang cukup lama dalam melakukan penalaan terbadap parameter-parameter pengendali PD jika proses penalaan itu dilakukan secara manual (trial and error). Oleh sebab itu dibutuhkan suatu metode untuk mengatasi permasalahan tersebut. Pada skripsi ini dibahas mengenai penerapan GMRAC (Genetic Madel Reference Adaptive Control) dalam proses pengendalian kemudi kapal kargo. GMRAC merupakan sistem kendali adaptif yang didalamnya terdapat algoritma genetika sebagai metode penalaan terhadap pengendali dari suatu plant (kendalian) yang berdasarkan acuan dari model referensi sistem tersebut. Algoritma genetika digunakan sebagai teknik pencarian parameter-parameter pengendali PD berdasarkan mekanisme genetika dan seleksi alam, sedangkan model referensi digunakan sebagai acuan agar hasil keluaran dari sistem yang dikendalikan berkelakuan sesuai dengan performance yang diinginkan. Proses penalaan pengendali PD dilakukan secara dinamis terhadap perubahan kecepatan kapal maupun saat adanya gangguan (disturbance) yang sangat mempengaruhi dinamika kapal kargo. Hasil pengendalian kemudi kapal kargo dengan GMRAC disimulasikan dengan menggunakan perangkat lunak MATLAB versi 5.3 yang ditampilkan berupa grafik tanggapan waktu untuk menunjukkan settling time, rise time, peak time, overshoot dan error steady state serta grafik error antara model referensi dan system GMRAC. Berdasarkan karakteristik tanggapan waktu dan grafik error tersebut akan dilihat performance dari pengendalian GMRAC terhadap perubahan kecepatan kapal maupun dalam mengatasi gangguan (disturbance) yang menerpa kapal."

"ABSTRAKPada skripsi ini akan dibahas mengenai unjuk kerja modulasi kode trellis (TC)4 - state 8-PSK dengan adanya interferensi jamak, dimana sinyal interferensi didekati sebagai sinyal dan bukan sebagai noise. Model kana! fading yang digunakan adalah Nakagami untuk sinyal utama dan flat Rayleigh untuk sinyal interferensi.Beberapa persamaan telah diperoleh guna melakukan evaluasi unjuk kerja yang dinyatakan sebagai bit error rate (BER). Dari hasil diperoleh bahwa unjuk kerja BER TC 8-PSK tanpa interferensi lebih baik deripada TC 8-PSK dengan interferensi.Unjuk kerja BER TC 8-PSK dengan interferensi lebih baik apabila interferensi didekati sebagai noise dibandingkan dengan apabila interferensi didekati sebagai sinyat non Gaussian. Sedangkan , pada kana!fading Nakagarni, unjuk kerjanya akar semakin baik jika parameter fading Nakagami (m) semakin besar. Pada nilai perarneter fading yang sama, unjuk kerja TC 8-PSK semakin buruk jika jumlah sinyal interferensi semakin banyak. Selarjutnya unjuk kerja TC 8-PSK semakin baik jika besamya signal to interference ratio (SIR) semakin besar.

---

"

"Sistem Pendeteksi Kecurangan atau Fraud Management System adalah suatu sistem yang mempunyai kemampuan untuk melakukan deteksi dan analisa penggunaan jasa layanan pada jaringan telekomunikasi, untuk dapat mengurangi kerugian karena fraud. Seiring dengan makin majunya teknologi, perkembangan kemampuan pars fraudster, kelemahan sistem dan prosedur dari operator telekomunikasi selalu menjadi incaran untuk dimanfaatkan. Sistem Pendeteksi Kecurangan pada dasarnya hanya mampu untuk melakukan pendeteksian terhadap kecurangan-kecurangan yang telah terjadi. Kelemahan dari suatu sistem aplikasi pendukung GSM dapat dimanfaatkan oleh penguna jasa dengan atau tanpa bantuan dari orang datam untuk mengubah status SIM Card dari tidak aktif menjadi aktif tanpa mengikuti prosedur yang berlaku sehingga mengakibatkan kerugian bagi operator karena tidak bisa ditagih. Pembuatan Sistem Pendeteksi Kecurangan atau Fraud Management System dilakukan dengan menggunakan metode analisa error terhadap data-data pembicaraan (Call Data Record) yang terdapat pada system Billing, serta melakukan perbandingan data (Reconciliation) antara data switching yang disimpan di database HLR (Home Location Register) dengan data yang tercatat pada sistem Billing. Hasil akhir dari proses analisa error dan perbandingan data pada Tugas Akhir ini akan ditampilkan dalam bentuk laporan perbedaan data, lengkap dengan status, jenis error, indikasi kecurangan. Dokumen laporan ini dapat digunakan sebagai dasar untuk menghapus atau merubah informasi yang tersimpan di switching dan indikasi kelemahan dari sistem Billing atau kecurigaan adanya fraud."

"Wireless LAN (WLAN) technology was designed with conceptually simple radio data communication for limited area with resources that have many compromise. The use of licence freeISM frequency of 2.4 GHz adding limitation in the already compromised technical design, which inturn will affect its performances...."

"ABSTRAKUntuk menunjang fitur baru dalam jaringan telekomunikasi seperti Trimitra dan Indosat Fax Plus dibutuhkan kemampuan sentral untuk menghubungkan beberapa sentral sekaligus dalam sebuah sambungan telepon pada saat yang bersamaan (multidestination).Algoritma Shortest Shortest Part Tree (SSP-T), Common Link (CL), dan Center Node (CN) merupakan tiga algoritma yang dapat diterapkan untuk mengatasi permasalahan multidestination statik. Ketiga algoritma ini mempunyai karakteristik yang berbeda-beda (dalam hal biaya dan waktu) apabila diterapkan pada suatu jaringan telekomunikasi.Skripsi ini merupakan suatu simulasi dalam menentukan keputusan routing pada permasalahan multidestination statik dengan menggunakan algoritma SSP-T, CL, dan CN. Dari hasil simulasi terlihat bahwa algoritma SSP-T selalu mempunyai waktu operasi yang tercepat, sementara algoritma CN selalu menghasilkan biaya sambungan yang lebih kecil dibandingkan dengan algoritma SSP-T.

---

"

"Sel termoradiatif (TR) menghasilkan energi listrik dari energi panas melalui sambungan p-n. Proses ini melibatkan produksi kelebihan elektron dan hole karena perbedaan suhu antara sel dengan lingkungannya yang menghasilkan rekombinasi radiatif dan emisi foton. Tujuan dari tesis ini adalah untuk memperdalam pemahaman kita tentang bagaimana suhu, ketergantungan celah pita, kehilangan sub-celah pita (sub-bandgap), dan faktor rasio pembangkitan nonradiasi mempengaruhi efektivitas sel TR. Secara khusus, tesis ini berfokus pada semikonduktor celah pita langsung pada golongan III-V. Dengan menggunakan model keseimbangan terperinci dan perhitungan DFT, efisiensi dievaluasi berdasarkan ketergantungan suhu dan celah pita. Ditemukan bahwa material dengan energi celah pita yang lebih kecil tidak terlalu terpengaruh oleh sub-celah pita dan kehilangan panas. Oleh karena itu, material tersebut lebih efisien. Di antara material yang dikaji (GaAs, GaSb, InAs, InP, dan Si), InAs menunjukkan efisiensi tertinggi sekitar 24,99% pada suhu sel 1000 K. Hal ini disebabkan oleh energi celah pita yang kecil. Selain itu, material dengan celah pita langsung terbukti lebih efisien dalam mengubah radiasi termal menjadi listrik daripada material dengan celah pita tidak langsung. Tesis ini menunjukkan bahwa efisiensi sel TR dapat ditingkatkan secara signifikan dengan menggabungkan pita perantara, rekayasa celah pita, dan mengoptimalkan sifat intrinsik. Namun, eksperimen lebih lanjut diperlukan untuk memvalidasi temuan ini. Penelitian ini memberikan dasar untuk mengoptimalkan sel TR untuk mencapai konversi energi panas ke listrik yang lebih efisien.

---

Thermoradiative (TR) cells generate electrical energy from thermal energy through p-n junctions. This process involves the production of an excess of electrons and holes owing to the temperature difference between the cell and its surroundings, resulting in radiative recombination and photon emission. The objective of this thesis is to deepen our understanding of how the temperature, bandgap dependencies, sub-bandgap loss, and nonradiative generation ratio factors influence the effectiveness of TR cells. In particular, it focuses on direct-bandgap semiconductors in the III-V group.

Utilizing detailed-balance models and DFT calculations, the efficiency was evaluated based on temperature and bandgap dependencies. It was found that materials with smaller bandgap energies are less affected by sub-bandgap and heat losses; hence, they are more efficient. Among the examined materials (GaAs, GaSb, InAs, InP, and Si), InAs exhibited the highest efficiency of approximately 24.99% at a cell temperature of 1000 K. This was attributed to the small bandgap energy. Moreover, materials with direct bandgaps proved to be more efficient in converting thermal radiation to electricity than those with indirect bandgaps.

This thesis suggests that the efficiency of TR cells can be significantly improved by incorporating an intermediate band, bandgap engineering, and optimizing the intrinsic properties. However, further experiments are required to validate these findings. This research provides a foundation for optimizing TR cells to attain more efficient thermal-to-electrical energy conversion."