Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Material low band gap baru tipe-p Poly 2,2 39;- 2,5-bis 2-octyldodecyl -3,6-dioxo-2,3,5,6- tetrahydropyrrolo[3,4-c] pyrrole-1,4-diyl dithieno[3,2-b]thiophene-5,5 39;- diyl-alt-thiophen-2,5-diyl telah menarik banyak perhatian untuk aplikasi sebagai material fotoaktif pada divais elektronik seperti pada sel surya dan fotodetektor. Modifikasi morfologi pada lapisan fotoaktif menjadi tantangan karena panjang difusi exciton pada semikonduktor organic terbatas hanya 10-20 nm. Oleh karena itu, bentuk dan struktur material semikonduktor organic menggunakan template AAO untuk membuat berbagai macam struktur nano seperti nanotube,nanorod, dan struktur nano yang lain semakin menarik perhatian peneliti.Pada penelitian ini, sintesis dan karakterisasi sifat optik dan struktur material PDPPBTT nanotube telah dilakukan. Struktur PDPPBTT nanotube telah dibuat dengan menggunakan AAO template yang diinfiltrasi dengan metode sentrifugasi. Larutan polimer dibuat dengan dua konsentrasi, yaitu 5 mg/mL dan 10 mg/mL dan dilakukan variasi kecepatan putar centrifuge yaitu 3000, 3500 dan 4000 rpm. Karakterisasi sifat optik dilakukan dengan UV-Vis spektrofotometer dan Photoluminescence, karakterisasi morfologi dengan FESEM dan analisis struktur dengan Raman.Berdasarkan hasil UV-Vis, intensitas serapan PDPPBTT 5 mg/mL pada kecepatan putar 3000 rpm menunjukkan hasil yang paling tinggi dibandingkan dengan kecepatan putar yang lain. Hal ini juga didukung dengan hasil pengujian morfologi yang memperlihatkan struktur nanotube pada 3000 rpm lebih panjang dan rapat. Selain pengaruh kecepatan putar, penelitian ini juga membahas tentang pengaruh konsentrasi larutan. Larutan dengan konsentrasi 10 mg/mL terlihat lebih baik dibandingkan dengan konsentrasi 5 mg/mL, hal tersebut dapat dilihat dari hasil pengujian morfologinya. Konsentrasi 10 mg/ml struktur nano nya sangat rapat dan kuat sehingga membentuk rumpun clump . Hal ini berkaitan dengan transfer muatan yang terjadi pada material PDPPBTT. Dari hasil Photoluminescence, konsentrasi yang besar juga berpengaruh terhadap mekanisme intra atau intermolekul pada rantai polimer, hal itu terlihat pada hasilnya yang mengalami penurunan intensitas dan redshift. Berdasarkan penelitian ini, material PDPPBTT berpotensi kuat untuk dapat diaplikasikan dalam sebuah divais optoelektronik.

---

The novel highly conductive low band gap p type materials, Poly 2,2 39 2,5 bis 2 octyldodecyl 3,6 dioxo 2,3,5,6 tetrahydropyrrolo 3,4 c pyrrole 1,4 diyl dithieno 3,2 b thiophene 5,5 39 diyl alt thiophen 2,5 diyl has attracted numerous attention for potential applications as a photoactive material of optoelectronic devices such as solar cells and photodetector. The morphological control of the photoactive layer remains a challenge due to the exciton diffusion length of organic semiconductors is limited to 10 20 nm. Therefore the patterning of organic semiconducting materials using hard templates for fabrication of nanostructures such as nanotubes, nanorods, and other novel nanostructures attracted increasing attention.In this study, synthesis and characterization of optical properties and structure of PDPPBTT nanotube have been performed. The structure of PDPPBTT nanotubes have been made using AAO templates infiltrated by centrifugation method. Polymer solution was made with two concentrations 5 mg mL and 10 mg ml. Moreover, the centrifuge rotation speed which were used varied from 3000, 3500 and 4000 rpm. The characterization of optical properties was performed with UV Vis spectrophotometers and Photoluminescence, morphological characterization with FESEM and structural analysis with Raman spectroscopy.Based on the UV Vis results, the absorbance of PDPPBTT with 5 mg mL at 3000 rpm showed the highest value compared to other rotation speed. It rsquo s also supported by the results of morphological test which showed longer length and denser distribution at 3000 rpm rotation speed. Moreover, the effect of concentration on optical property, morphology, and structure have also been studied. The solution with 10 mg mL concentration showed better result compared to 5 mg mL concentration. The morphological measurement showed that the nanostructure obtained from 10 mg ml concentration formed a dense and strong clump. This is related to the charge transfer that occurs on PDPPBTT material. Photoluminescence measurement showed that difference in concentration value affect the intra or intermolecular mechanism in the polymer chain. This could be seen from extremely decrease of intensity and redshift which is found from the result of photoluminescence measurement."

"Tujuan dari dilakukanya percobaan ini untuk menganalisis sifat morfologi, optik, dan struktur kimia dari struktur nano untuk mendapatkan hasil yang paling baik pada aplikasi optoelektronika. Telah dilakukan sintesis struktur nano dari bulk heterojunction poly{2,2'-(2,5-bis(2-octyldodecyl)-3,6-dioxo-2,3,5,6 tetrahydropyrrolo[3,4-c]pyrrole1,4-diyl)dithieno[3,2-b]thiophene-5,5'-diyl-alt-thiophen-2,5-diyl} (PDPPBTT):[6,6]-Phenyl C71 butyric acid methyl ester (PC71BM) pada template aluminium (AAO) dengan menggunakan metode sentrifugasi dengan variasi konsentrasi (5 dan 10 mg mL-1) dan kecepatan putar sentrifugasi (3000, 3500, and 4000 rpm). Sifat morfologi menunjukkan bentuk yang tidak jelas antara nanorod dan nanotube. Sifat optik yang diinginkan terdapat pada struktur nano dengan variasi 3000 rpm pada 10 mg mL-1 yang menghasilkan intensitas tertinggi pada absorpsi UV-Vis dan intensitas terendah pada emisi PL. Penambahan PC71BM menghasilkan rantai konjugasi yang lebih panjang yang berpengaruh pada sifat optiknya. Puncak Raman menunjukkan struktur molekul yang terdapat pada PDPPBTT dan PC71BM dengan susunan rantai polimer yang lebih baik.

---

The aim of this study to analyze the morphological, optical and chemical structure properties of the nanostructure to obtain the optimum condition for optoelectronic device application. Nanostructures of bulk heterojunction poly{2,2'-(2,5-bis(2-octyldodecyl)-3,6-dioxo-2,3,5,6 tetrahydropyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4-diyl)dithieno[3,2-b]thiophene5,5'-diyl-alt-thiophen-2,5-diyl} (PDPPBTT):[6,6]-Phenyl C71 butyric acid methyl ester (PC71BM) by fabricating in aluminum template (AAO) using centrifuge method is done with varying the concentrations (5 and 10 mg mL-1 ) and centrifugal rotational speeds (3000, 3500, and 4000 rpm). The morphological properties showed no clearly nanorods or nanotubes formed. Desired optical properties of nanostructures formed at 3000 rpm for 10 mg mL-1 which exhibited highest intensity of absorption peak and do significantly decreasing intensity at emission of PL spectra. Adding PC71BM experience longer conjugation chain hence affected its optical properties in better performances for optoelectronic devices. For Raman peaks, showed molecular structures of PDPPBTT and PC71BM in better arrangement of polymer chain."

"ABSTRAKPelarut etanol banyak digunakan sebagai pensintesis senyawa Cu2ZnSnS4, karena harganya relatif murah dan ramah lingkungan. Namun, elemen karbon sebagai salah satu penyusun etanol sering membentuk residu karbon setelah pengeringan dan annealing. Pada penelitian ini, diamati pengaruh waktu preannealing terhadap konsentrasi karbon dan pengaruhnya pada struktur dan sifat optik dari lapis tipis Cu2ZnSnS4 hasil sintesis menggunakan spin coating dengan pelarut etanol setelah di annealing. Hasil dari penelitian didapatkan semakin lama waktu preannealing didapatkan konsentrasi karbon yang semakin rendah, struktur dan morfologi yang semakin baik, namun hasil sifat optik yang dihasilkan kurang sesuai.

---

ABSTRACTEthanol is widely used for synthesizing Cu2ZnSnS4 compounds, because it is relatively cheap and environmentally friendly. However, carbon elements inside ethanol, usually can form carbon residue after dried and annealed. This study consents on the effects of pre-annealing time to carbon concentration and its effects to structures and optical properties from spin coated Cu2ZnSnS4 thin film with ethanol solvent after annealed. The results of this study are the longer pre-annealing time, the less carbon concentration and better structures and morphology. However, optical properties is not expected"

"Investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode.To investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode. The deposition rates were adjusted to 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s and the annealing temperatures were to 200 °C, 300 °C and 400 °C- The thickness of thin films were around 7000 A. The optical constant and band gap energy were calculated from the Reflectance ( R ) and Tansmittance (T) by using O.S. Heavens formula. The value of R and T were obtained from UV-VIS Spectrofotometre with the wavelength from 400 inn to 800 run. From the calculations it was found that the deposition rate affected the optical properties and structures. At wave length 550 nm, the deposition rates 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s give the real refractive index n 2.534; 2.503; 2.46; 2.505 respectively and the absorption coefficient a 1.15 x 103, 5.96 x 103, 4.38 x 103, 7.33 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,46 eV, 2,44 eV, 2,42. eV, 2.40 eV respectively and the grain sizes 816 4 A, 291.5 A, 256.7 A, 251.1 A respectively. The annealing process to 200 °C, 300 0C and 400 0C also affected the optical properties and structures. At deposition rate 4 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 °C give the real refraction index 2.513, 2.56, 2.54, 2.53 respectively and the absorption coefficient l .15x 103, 6 x 103, 7 x 103, 4 x 103 /cm respectively and the band-gap energy 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV, 2,42 eV respectively. At deposition rate 8 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.503, 2.527, 2.504, 2.505 respectively and the absorption coefficient 5.96x103, 6.5 x I03, 7.17 x l03 , 3-37 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,44 eV, 2,43 eV, 2.40 eV, 2,41 eV respectively. At deposition rate 12 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.46, 2.546, 2.495, 2.485 respectively and the absorption coefficient 4.38 x 103, 1.27 x 103, 0.15 x 103, 0.23 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV, 2,44 eV respectively. At deposition rate 16 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C. 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.505, 2.498, 2.499, 2.497 respectively and the absorption coefficient 7.33 x 103, 2.9 x 103, 1.7 x 103, 1.95 x 103 1cm respectively and the band gap energy 2,40 eV, 2,41: eV, 2,4.2 eV, 2,43 eV respectively. The c3-stall structures of thin film are found to be hexagonal with preferred orientation (002). The annealing processes affect the grain size. At the deposition rate 4 A's, the annealing process to 400 °C changed the grail? size from 816 A to 193,5 A. At the deposition rate 8 A/s, the amtealing process to 400 0C changed the grain size from 291,5 A to 168 A. At the deposition ratel2 A/s, the annealing process to 400 °C changed the grain size from 256,7 A to 198,2 A. At the deposition rate 16 A/s, the annealing process to 400 °C also changed the grain size from 251,1 A to 235,9 A.

---

Guna mengetahui perubahan sifat optis dan struktur terhadap laju deposisi pembuatan lapisan tipis dan juga terhadap anil, dibuat lapisan Cds dengan co-evaporasi termal CdS dan S diatas substrat kaca. Laju deposisi dibuat pada 4 A/s, 8 A/s, 12 As dan 16 A/s. Anil dilakukan pada setiap laju deposisi dengan 3 macam teinperatur yaitu: 200 0C, 300 oC dan 400 0C_ Ketebalan lapisan yang dibuat berkisar 7000 A. Konstanta optis yaitu koefisien absorpsi dan indek bias dihitung dari reflektansi R dan transmisi T berdasarkan metode fungsi minimal dengan menggunakan persamaan O.S. Heavens. Dad kurva koefisien abrsoipsi terhadap energi foton dibuat lebar pita terlarang CdS. Pengukuran nilai R dan T dilakukan dengan alat UV-VIS Spektrofotometer pada panjang gelombang 400 nm - 800 nm. Dari penelitian didapatkan bahwa laju deposisi mempengaruhi sifat optis material. Didapatkan nilai indek bias nyata pada laju deposisi 4 Als, 8 A/s, 12 A/s dan 16 A/s pada panjang gelombang 550 nm masing masing 2,534; 2,503; 2,46; 2,505 dan koefisien absorpsi masing-masing adalah 1,15 x 103; 5,96 x 103; 4,38 x I03; 7,33. x 103 /cm dan lebar pita terlarang masing-masing adalah 2,46 eV, 2,44 eV, 2.42 eV dan 2,40 eV. Besar butir menurun dengan meningkatnya laju deposisi. Besar butir pada laju deposisi 4 Als. 8 A/s, 12 AN dan 16 A/s berturut-turut adalah 816 A , 291,5 A, 256,7 A dan 251,1 A. Proses anil memberikan basil bahwa dari suhu 200 0C sampai 400 oC terjadi perobahan sifat optis dan struktur. Pada laju deposisi 4 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,513; 2,56; 2,54 dan 2.53 dan nilai koefisien absorpsi adalah 1,15x103; 6 x 103; 7 x 103; 4 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,42 eV. Piida laju deposisi 8 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,503; 2,527; 2,504 dan 2,505 dan nilai koefisien absorpsi adalah 5.96x 103; 6,5 x 103; 7,17 x 103; 3,37 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,44 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,41 eV. Pada laju deposisi 12 A/s berturut-turut tmtuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 'DC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,46; 2,546: 2,495 dan 2,485 dan nilai koefisien absorpsi adalah 4,38 x 103; 1,27 x 103; 0,15 x 103; 0,23 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV dan 2,44 eV. Pada laju deposisi 16 A/s berturut-turut untuk proses tanpa aril, aril .200 0C, 300 oC dan 400 0C indek bias nyata n adalah 2,505; 2,498; 2,499 dan 2.497 dan nilai koefisien absorpsi adalah 7,33 x 103; 2,9 x 103; 1,7 x 103; 1,95 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,40 eV, 2,41 eV, 2,42 eV dan 2,43 eV. Stniktur kristal lapisan tipis CdS yang terbentuk adalah heksagonal dengan prefi-'rred 0i-lank-Ilion (002). Proses anil inerubah besar ukuran butir. Pada sampel dengan laju deposisi 4 A/s anil 400 oC inerubah besar butir dart 816 A ke 193,5 A. Sampel dengan laju deposisi 8 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 291,5 A ke 168 A. Sampel dengan laju deposisi l2 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 256,7 A ke 198,2 A. Sampel dengan laju deposisi 16 A/s anif 400 oC merubah besar butir dari 251,1 Ake 235,9 A."

"ABSTRAKBi 2 Se 3 merupakan salah satu material topologi insulator (TI) yang telah menjaditopik yang menarik untuk menyelidiki sifat-sifat dari bahan tersebut, bukan hanyakarena sifatnya namun karena aplikasi untuk masa depan. Selama bertahun-tahun,penelitian bahan topologi insulator telah menjadi target pengembangan fotode-tektor untuk telekomunikasi, gambar medis, dan penciuman gas. Bahan topologiinsulator berbeda dengan metal dan insulator biasanya. Di bagian permukaan,bahan ini bersifat seperti metal, dan di sisi luarnya, bahan ini menunjukkan ciriseperti insulator dengan celah pita yang kecil. Dalam riset kali ini, DFT digunakanuntuk memperhitungkan sifat-sifat ground-state bahan ini. Sementara, untuksifat excited-state menggunakan teori many-body perturbation dikoreksi denganmenggunakan aproksimasi GW dan perhitungan spektrum absorpsi di terapkanmelalui persamaan BSE (Bethe-Salpeter Equation)untuk melengkapi studi efekdari interaksi elektron-elektron dan elektron-hole.

---

ABSTRACTBi 2 Se 3 , one of the topological insulators (TIs) has spawned a lot of interest tofurther investigate properties of this material, not only because of its naturalimportance, but also its applications for future devices. Over the past few years ap-plied research on TIs has been targeted to develop photodetectors of near-infraredwavelengths for telecommunication, medical imaging, and gas sensing. TI isdifferent from simple metal or insulator in the sense that the inside part is insulatingwhile its surface is metallic due to the presence of gapless surface states, meaningthat electrons can only move along the surface of the material. In this work, Densityfunctional theory (DFT) is used to calculate the ground state properties of Bi 2 Se 3.While its excited state properties are corrected within GW approximation and thecalculation on optical spectra are implemented by Bethe-Salpeter Equation (BSE)using many body perturbation theory (MBPT) to complete the study of the effectof electron-electron and electron-hole interactions."

"Penggunaan mineral anorganik pada industri pembuatan kertas mulai berkembang. Mineral tersebut berfungsi sebagai filler kertas untuk mengurangi penggunaan pulp yang berlebih. Selain menguntungkan secara ekonomi, penggunaan filler pada kertas dapat meningkatkan sifat optik dan retensi kertas yang dihasilkan. Salah satu mineral yang memiliki potensi baik untuk digunakan sebagai filler adalah zeolit. Pada penelitian ini dilakukan variasi pada ukuran zeolit sebagai bentuk optimalisasi karakteristik kertas yang diinginkan. Hasil yang diamati digunakan sebagai pembanding terhadap kertas dengan filler PCC mengingat PCC merupakan salah satu filler yang umum digunakan sebagai material filler kertas. Berdasarkan hasil yang didapatkan, zeolit sebagai filler belum dapat disebut sebagai mineral alternatif PCC ketikan digunakan pada kertas. Nilai brightness pada kertas dengan zeolit berada jauh di bawah kertas dengan PCC. Hal tersebut disebabkan oleh nilai brightness PCC yang lebih tinggi. Namun, opacity yang didapatkan oleh kertas zeolit berada pada spesifikasi yang dibutuhkan dan sebanding dengan kertas PCC sebab indeks bias kedua mineral tersebut tidak terpaut jauh. Pada karakteristik yang lain, yaitu sifat mekanik, terbukti zeolit dan pengecilan ukuran partikelnya berhasil meningkatkan kuat tarik kertas yang dihasilkan. Ukuran partikel yang diperkecil pada durasi tertentu dapat menahan partikel beraglomerasi dan mempertahankan ikatan antar serat kertas dengan optimal.

---

The use of inorganic minerals in the papermaking industry is growing. These minerals function as paper fillers to reduce the use of excess pulp. Besides being economically beneficial, the use of fillers in paper can improve the optical and retention properties of the paper produced. One mineral that has good potential to be used as a filler is zeolite. In this study, variations in zeolite size were carried out as a form of optimization of the desired paper characteristics. The results observed were used as a comparison to paper with PCC filler considering that PCC is one of the fillers commonly used as paper filler material. Based on the results obtained, zeolite as a filler cannot be called an alternative mineral to PCC when used in paper. The brightness value of paper with zeolite is far below paper with PCC. This is due to the higher brightness value of PCC. However, the opacity obtained by zeolite paper is within the required specifications and comparable to PCC paper because the refractive indices of the two minerals are not far apart. In other characteristics, namely mechanical properties, it was evident that zeolite and its particle size reduction successfully increased the tensile strength of the paper produced. The reduced particle size for a certain duration can prevent particles from agglomerating and maintain optimal bonding between paper fibers."

"ABSTRAKMaterial perovskite merupakan material yang memiliki sifat fisika dan sifat kimia yang menarik, sehingga memiliki potensial sebagai bahan multiferroic. Material multiferroic merupakan material yang memiliki sifat fisika lebih dari satu. Untuk mendapatkan material multiferroic dilakukan salah satu cara yang disebut subsititusi kation parsial. Substitusi kation parsial ini dapat dilakukan dengan cara menganti setengah dari kation site -B dengan B' dan B" yang disebut dengan double perovskite. Adapun rumus umum double perovskite yaitu A2B'B"O6. Pada penelitian ini, material double perovskite Sr2FeMnO6 dengan variasi precursor Mn-Cloride dan Mn-Nitrate telah berhasil disintesis menggunakan metode sol-gel. Adapun hasil dari sintesis berupa sampel kalsinasi dan sintering. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa material double perovskite dengan variasi precursor Mn-Cloride dan Mn-Nitrate memiliki struktur dan space group yang sama yaitu cubic dengan space group Fm3m. Hasil uji Uv-Vis menunjukkan bahwa material ini memiliki dua nilai band gap energy yaitu optical gap dan fundamental energy gap. Dimana untuk nilai optical band gap berkisar diantara 3.12-3.33 eV dan nilai fundamental energy gap berkisar diantara 4.07-4.08 eV. Material double perovskite dengan Sr2FeMnO6 dengan precursor Mn-Nitrate memiliki nilai kosntanta dielektrik lebih besar dibandingkan dengan dengan precursor Mn-Cloride.

---

ABSTRACTPerovskite material is a material that has interesting physical and chemical properties, so it has potential as a multiferroic material. Multiferroic material is a material that has more than one physical property. To get multiferroic material, one method is called partial cation substitution. This partial cation substitution can be done by replacing half of the cation site -B with B' and B" called double perovskite. The general formula for double perovskite is A2B'B"O6. In this study, the Sr2FeMnO6 double perovskite material with variations of the Mn-Cloride and Mn-Nitrate precursors was successfully synthesized using the sol-gel method. The results of the synthesis are calcined and sintering samples. The XRD characterization results show that the double perovskite material with variations of the Mn-Cloride and Mn-Nitrate precursors has the same structure and space group, namely cubic with Fm3m space group. Uv-Vis test results show that this material has two band gap energy values, namely optical gap and fundamental energy gap. Where for optical band gap values range between 3.12-3.33 eV and fundamental energy gap values range between 4.07-4.08 eV. Double perovskite material with Sr2FeMnO6 with Mn-Nitrate precursors has a greater dielectric value than Mn-Cloride precursors."

"ABSTRACTThe role of excitons in semiconducting materials carries potential applications. Excitonic signals usually do not appear clearly in optical absorption spectra of semiconductor systems with narrow gap, such as Gallium Arsenide, which makes experimental analyses on excitons in such systems become very challenging. On the iii iv theoretical side, calculation of optical spectra based purely on Density Functional Theory DFT without taking electron hole interactions into account does not lead to the appearance of any excitonic signal. Meanwhile, existing DFT based algorithms that include a full vertex correction through Bethe Salpeter equation may reveal an excitonic signal, but the algorithm has not provided a way to analyze the excitonic signal further. Motivated to provide a way to isolate the excitonic effect in the optical response theoretically, we develop a method of calculation for the optical conductivity of a narrow band gap semiconductor GaAs within the k.p 8 band model, that includes electron hole interactions through first order electron hole vertex correction. The k.p model is chosen because it provides a description of 8 energy bands 2 conduction and 6 valence bands in which the role of spin orbit coupling is also taken into account. We expect that this first order vertex correction reveals how the optical spectral weight redistributes as a function of temperature.

---

ABSTRAKPeran eksiton pada material semikonduktor membawa banyak potensi aplikasi. Sinyal eksiton tidak terlalu jelas kemunculannya pada spektrum absorbsi optis semikonduktor bercelah sempit, seperti Gallium Arsenite, sehingga analisis keberadaan eksiton secara eksperimen menjadi cukup menantang. Dari segi teori, perhitungan dengan metode Density Functional Theory DFT yang tidak melibatkan interaksi electron-hole belum dapat menunjukan keberadaan eksiton. Sedangkan untuk perhitungan DFT yang mengikutsertakan koreksi vertex secara lengkap dengan metode Bethe-Salpeter equation BSE dapat memunculkan sinyal eksiton, namun algoritma yang ada belum dapat memberi cara untuk menganalisis eksiton lebih jauh. Dengan motifasi tersebut, kami mengembangkan metode perhitungan konduktifitas optis semikonduktor bercelah sempit material Gallium Arsenite dengan menerapkan model k.p 8 pita, dengan mengikutsertakan interaksi electronhole melalui koreksi verteks orde pertama. Metode k.p di pilih karena metode ini dapat menjelaskan 8 pita 2 pita konduksi dan 6 pita valensi dan turut melibatkan faktor spin orbit coupling."

"ABSTRAKKeluarga perovskite SrNbO 3 ? merupakan photocatalysist yang baik. Dengan penambahan oksigen yang bervariasi menyebabkan sifat-sifat optis dan transportnya berubah. Sejauh informasi yang diperoleh, belum ada penelitian yang menjelaskan sifat-sifat optis berupa grafik dalam daerah energi foton. Oleh sebab itu kami ingin memberikan perhitungan berupa grafik kurva dielektrik beserta sifat transport nya. Karena itu kami termotivasi mempelajari sifat optik dari keluarga material SrNbO3 ? , yaitu SrNbO 3 dan SrN bO 3.5 dengan metode Densitiy Functional Theory DFT . Penelitian sebelumnya menunjukan bahwa SrNbO3 dan SrNbO3.5 adalah material dengan korelasi yang lemah. Dari perhitungan yang didapat, energi fermi SrN bO 3 berada di daerah conduction band yang mengindikasikan bahwa material ini bersifat metal, begitu juga pada kurva dielektrik menunjukan sifat metal.Sementara SrN bO 3.5 adalah material yang memiliki energi fermi berada di daerah band gapnya, dari kurva dielektriknya material SrN bO 3.5 bersifat insulator.

---

ABSTRACT

The perovskite family of SrNbO is a good photocatalyst. With the addition of oxygen varies causing optical properties and transport changes. As far as the information obtained, there has been no research that explains the optical properties of graphs in range of photon energy. Therefore we want to give a calculation in the form of dielectric curve graph and its transport properties. We are therefore motivated to study the optical properties of the SrN bO 3 material family, ie SrN bO 3 and SrN bO 3.5 with the textit Densitiy Functional Theory DFT method.Previous research has shown that SrN bO 3 and SrN bO 3.5 are materials with weak correlations. From the calculations obtained, the fermi energy SrN bO 3 is in the conduction band area indicating that this material is metal. While SrN bO 3.5 is a material that has fermi energy in the band gap region, from its dielectric curveSrN bO 3.5 is an insulator."

"

Bismuth Ferrite, BiFeO₃ (BFO) merupakan material yang memperlihatkan sifat ferroelektrik yang baik dan sifat ferromagnetik yang lemah. Lemahnya sifat ferromagnetik material BFO ini disebabkan adanya sifat antiferromagnetik sikloid tipe G. Salah satu upaya meningkatkan sifat ferromagnetik BFO ini adalah dengan mendoping atom Bi yang berada pada posisi A didalam senyawa ABO₃ menggunakan Li (Bi_1-xLi_xFeO₃, x= 0,02, 0,04, 0,06) dan Zn (Bi_1-zZn_zO₃, z= 0,05, 0,1, 0,15). Proses sintesis doping BFO tersebut dilakukan menggunakan metode sol-gel. Dari sampel hasil doping tersebut diketahui bahwa keberadaan Li dan Zn telah memicu terjadinya kenaikan saturasi magnetik didalam BFO. Kenaikan sifat magnetik ini diakibatkan oleh pengecilan sudut Fe–O–Fe. Pengecilan sudut ini disebabkan oleh perubahan rasio kisi c/a kristal BFO didalam struktur rombohedral dengan spacegroup (s.g.) R3c. Kenaikan sifat magnetik didalam sampel BFO hasil doping tersebut disertai munculnya Fe²⁺ dan terbentuknya vakansi oksigen sebagai kompensasi atas keberadaan Li¹⁺ dan Zn²⁺ yang menggantikan posisi Bi³⁺. Keberadaan Li didalam BFO teridentifikasi pada energi ikat sebesar 56,7 eV menggunakan XPS. Penggunaan metode sol-gel didalam proses preparasi sampel diketahui efektif untuk menghasilkan bubuk sampel berskala nano (<200 nm).

---

Bismuth Ferrite, BiFeO₃ (BFO) is a material that shows excellent ferroelectric properties and weak ferromagnetic properties. The weak ferromagnetic properties of BFO material are due to the antiferromagnetic nature of cycloid type G. One effort to improve the ferromagnetic properties of BFO is to dope Bi atoms in position A in the compound ABO₃ using Li (Bi_1-xLi_xFeO₃, x= 0,02, 0,04, 0,06) and Zn (Bi_1-zZn_zO₃, z= 0,05, 0,1, 0,15). The BFO doping synthesis process was carried out using the sol-gel method. From the doping sample, it is known that the presence of Li and Zn has triggered an increase in magnetic saturation in BFO. This increase in magnetic properties was caused by the reduction of Fe – O – Fe angle. This reduction in angle is caused by changes in the lattice ratio of c / a BFO crystals in the rhombohedral structure to the spacegroup (s.g.) R3c. The increase in magnetic properties in the doped BFO sample is accompanied by the appearance of Fe²⁺ and the formation of oxygen vacancy as compensation for the presence of Li¹⁺ and Zn²⁺ which replace the position of Bi³⁺. Li's presence in BFO was identified in the binding energy of 56.7 eV using XPS. The use of the sol-gel method in the sample preparation process is known to be effective for producing nanoscale sample powders (<200 nm). 

"