Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Layer manufacturing process has proven as a process that can produce a high complexity mechanical part.Now, Improvement of LM methods continuously conduct that is aimed to increase precessions and efficiency of theseprocesses. Pressure filament deposition modelling is a form of layer manufacturing process that is designed to produce aplastic part with controlling its semisolid phase. In this research, the equipment of filament depositor is designed andtested to make the product filament deposition. With operation condition observation, the optimal temperature andpressure of deposition process was determined. These experiments used PVC as crystalline material and polypropyleneas amorphous material. To optimize this process, the tensile strength and density test were conducted. The shape oftensile test specimens is based on ASTM 638 standard and made in 3 orientations deposition path, namely: in 0 degree,45 degree and 90 degree from load force axis. To found the most accurate dimension, controlling the time delay,temperature of build part, feeding speed and variation deposition path was conducted. The results of experiments showthat the filament deposition method can only be applied for amorphous material in which it has a semisolid phase. Fromthe tensile strength test, the binding strength among filaments is 0.5 kg/mm2, 20% of the tensile strength of filament.And the density of a sample product, which used the filament diameter of 0.8 mm, is 0.7668 g/cm3. Accuracy of productdimension can be increased by: controlling time delay in location where the motion orientation of hopper filament ischanged and controlling temperature of build part surface."

"Interpretasi postsatck seismik yang menggambarkan batas litologi bawah permukaan kadang mengalami kendala dalam mengenal kandungan fluida dan unit litologi tertentu terutama dalam pemisahan volcanic tuff dan hydrocarbon sand, hal ini disebabkan keterbatasan dalam respon resolusi seismik vertikal. Pemodelan AVO (Amplitude Versus Offset) dikombinasikan dengan FRM (Fluid Replacement Modeling) dilakukan untuk mengenali ketebalan tuning dan efek fluida pada respon seismik efektif untuk membantu karakterisasi reservoir. Tujuan dari penelitian ini adalah untuk identifikasi sifat reservoir dengan menerapkan pemodelan sintetik AVO berdasarkan satu sumur sebagai referensi. Penulis menggunakan 3 buah lintasan data seismik 2D pada area eksplorasi deepwater. Model geologi, fluida, dan sifat petrofisika dibangun berdasarkan data sumur yang tersedia. Analisa model AVO dilakukan menggunakan 2 terminologi persamaan Zoeppritz yang menghasilkan data sudut dekat (10 derajat) dan sudut jauh (30 derajat). Analisa lebih lanjut menunjukan bahwa kandungan fluida mempengaruhi langsung terhadap respon amplitudo pada daerah ini. Attribut AVO dihasilkan dari penambahan sudut datang (A) dan gradien (B), hal ini memberikan pencerahan yang lebih baik dalam menggambarkan efek fluida dibandingkan pada intercept normal incidence (A). Akhirnya penampang AVO dapat menunjukan perbedaan respon karekterisasi reservoir terutama pada pemisahan respon volcanic tuff dan hydrocabon sand pada daerah penelitian.

---

The interpretation of poststack seismic describes the subsurface lithology boundary which sometimes difficult to recognize fluid content and individual lithology unit especially for distinguishing between volcanic tuff and hydrocarbon sand because of limitation in the vertical resolution seismic response. Forward AVO (Amplitude Versus Offset) modeling combined with FRM (Fluid Replacement Modeling) is designed to recognize tuning thickness and fluid effect in seismic response effectively, which improve reservoir characterization work. The objective of this study is to identify reservoir properties by applying AVO synthetic modeling from one well as reference. We used 3 lines of 2D seismic data exploration in the area of deepwater. The geological model, fluid, and petrophysical properties generated from available well log data. The AVO modeling analysis is conduct by 2 terms of Zoeppritz equation produce near angle (at 10 degree) and far angle (30 degree) data set. Further analysis implies that the fluid content significant influence directly to amplitude response in this area. The AVO attribute is generated from the addition of incidence angle (A) and gradient (B) gives better illumination in representation of fluid effect rather than in intercept normal incidence (A) term only. Finally the AVO sections show the difference reservoir characterization response, especially for distinguishing between volcanic tuff and hydrocarbon sand response in the area."

"Telah dirancang dan dibuat sistem penumbuhan semikonduktor yang telah digunakan dalam penumbuhan semikonduktor lapisan tipis Cadmium Telleruide (CdTe). Sistem penumbuhan yang dirancang dan yang dibuat tersebut, terdiri dari tabung tempat penu nbuhan yang dibuat dari tabung kwarsa, sedangkan kumparan pemanas dibuat dari kawat kantha tipe A dengan diameter 0,508 mm dan resistivitasnya 9,915 ohm/m Sebagai dudukan source, dopant dan substrat holder dibuat dan grafit.Untuk menutup tabung tempat penumbuhan semikonduktor tersebut, dibuat penutup tabung dari bahan messing yang dilengkapi dengan sheel dan bahan apiezon grease yang digunakan untuk menghindari kebocoran pada persambungan antara tabung kwarsa dengan tutup tabung tersebut. Untuk mendeteksi keadaan temperatur yang terjadi dalam tabung kwarsa, pada masing masing lokasi source, dopant dan substrat holder digunakan thermocoupet tipe K. Untuk mengontrol temperatur yang terjadi dalam tabung kwarsa, digunakan alat kontrol temperatur yang diintegrasikan dengan triac, sebagai alat pembatas temperatur bila melebihi yang ditentukan sebelumnya.Pada penumbuhan semikonduktor tersebut, menggunakan source Cadmium Tefleruide (CdTe) dan dopant Aluminium (Al) dengan kemurnian 6N, sedangkan substrat holdernya menggunakan grafit dan gelas corning. Penumbuhan semikonduktor lapis CdTe dilakukan dalam tabung kwarsa yang divakumkan dengan metoda penguapan CVD (Chemical Vapour Deposition). Penumbuhan semikonduktor lapis ini dilakukan dengan cara source maupun dopant dipanaskan sampai menguap sedangkan substrat holder dipanaskan antara 360 samai 460 C, kemudian dialirkan gas nitrogen (N2) untuk membawa uap-uap source maupun dopant ke substrat holder. Dari hasil penumbuhan yang dilakukan diperoleh semikonduktor tipe-n dan tipe-p."

"In pesticide applications, small droplets are desired for better coverage and uniform distribution. Yet small droplets have a problem : Drift, the movement of droplets off-target...."