Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKAntimony (Sb) doped tin oxide (ATO) merupakan salah satu material transparan yang telah mendapatkan popularitas lebih akhir-akhir ini karena sangat berperan penting terhadap teknologi. transparansi tinggi pada cahaya tampak, konsentrasi dan mobilitas elektron tinggi membuat ATO sebagai bahan penting untuk oksida transparan konduktif, display flat-panel, sel surya, jendela arsitektur perangkat optoelektronik dan sensor gas. Dalam penelitian ini, lapisan tipis antimony doped-tin oxide (ATO) dibuat dengan biaya rendah dan sederhana menggunakan metode ultrasonic spray pyrolysis. Lapisan tipis ATO telah ditumbuhkan dengan menvariasikan konsentrasi doping antimon (0%, 1%, 2%, 3% Sb) dan waktu deposisi (10, 20, 30 menit). Sifat struktural, morfologi, optik dan listrik dari lapisan ini telah dianalisis dengan difraksi sinar-X, mikroskop elektron, UV-VIS dan instrumen four point probe. Analisis XRD menunjukkan bahwa semua lapisan polikristalin dengan struktur kristal tetragonal. Analisis sifat optik dan listrik menunjukkan bahwa konsentrasi optimum doping Sb telah diperoleh untuk meningkatkan transparansi danmeningkatkan konduktivitas listrik lapisan tipis timah oksida

---

ABSTRACTAntimony (Sb) doped tin oxide (ATO) is one transparent material that has gained its popularity more recently due to their great technological importance. High transparency in the visible light, high concentration and mobility of electron makes ATO as an important material for the field of transparent conducting oxide, flat-panel display, solar cell, architectural windows optoelectronic devices and gas sensor. In this study, Sb doped-tin oxide (ATO) thin films has been fabricated by low cost and simple, ultrasonic spray pyrolysis method. ATO thin films have been deposited with various antimony doping concentrations (0%, 1%, 2%, 3% Sb) and time deposition(10, 20, 30 minutes). The structural, morphological, optical and electrical properties of these films have been analyzed by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, UV-VIS and four point probe instruments. XRD studies show that all films are polycrystalline with tetragonal crystal structure. The optic and electric properties studies show that the concentration optimum of Sb doping has been obtained to increase transparency and improve the electrical conductivity of tin oxide thin film."

"Nanorod seng oksida (ZnO) berdopan tunggal Al, berdopan tunggal Mg, dan berdopan ganda Al-Mg ditumbuhkan di atas substrat kaca berlapis indium timah oksida (ITO) melalui dua tahap, yaitu deposisi lapisan benih dengan metode ultrasonic spray pyrolysis (USP) dan penumbuhan nanorod dengan metode hidrotermal. Pengamatan scanning electron microscopy (SEM) menunjukkan sebagian besar nanorod ZnO memiliki orientasi tegak lurus terhadap permukaan substrat dan pemetaan elemen dengan energy dispersive x-ray spectroscopy (EDS) menunjukkan seluruh elemen dopan tersebar merata di seluruh permukaan nanorod ZnO. Analisis difraksi sinar-x (XRD) menunjukkan bahwa pada nanorod ZnO berdopan Al, Mg, Al-Mg tidak terdapat fasa sekunder dan puncak bergeser ke sudut 2θ yang lebih besar karena adanya pembesaran volume kisi kristal. Spektrum UV-vis menunjukkan bahwa penambahan dopan tunggal Al atau Mg cenderung meningkatkan transparansi pada panjang gelombang cahaya tampak, sedangkan penambahan dopan Al pada nanorod ZnO berdopan ganda Al-Mg justru mengurangi transparansi. Perubahan energi celah pita akibat penambahan dopan Al dan/atau Mg masih belum memiliki pola yang jelas. Sedangkan hasil pengujian fotoluminesen (PL) menunjukkan semua nanorod ZnO memiliki banyak cacat alami kisi kristal.

---

Al-doped, Mg-doped, and Al-Mg-doped zinc oxide (ZnO) nanorods were grown on indium tin oxide (ITO) coated glass substrates through two steps, i.e.seed layer deposition using ultrasonic spray pyrolysis (USP) method and nanorod growing using hydrothermal method. Scanning electron microscopy (SEM) imaging showed that most of the ZnO nanorods had the growth orientation perpendicular to the substrates surface and the element mapping undergone using energy dispersive x-ray spectroscopy (EDS) showed that all the doping elements were well distributed on the entire of the ZnO nanorod surfaces. XRD analysis results showed that Al-, Mg-, and Al-Mg- doped ZnO nanorods had no secondary phase and peaks shifted to the larger angles 2θ due to the increment of the crystal lattice volume.

UV-vis spectra showed that the addition of a single dopant Al or Mg tended to higher the optical transparency at the visible range, while the addition of dopants Al in Al-Mg double doped ZnO nanorods tended to lower the optical tranparency. Changes in band gap energy due to the addition of dopants Al and/or Mg had no clear pattern yet. While the photoluminescence (PL) test results indicated all the ZnO nanorods contained many native crystal lattice defects."

"ABSTRAKSeng oksida (ZnO) telah diaplikasikan sebagai pemanas transparan. Namun, penelitian tentang mikrorod ZnO sebagai pemanas transparan belum dikembangkan. Pada penelitian ini dilakukan fabrikasi lapisan tipis mikrorod ZnO dengan metode chemical bath deposition. Material yang digunakan yaitu zinc nitrate tetrahydrate dan heksametilentetramine. Varibel pada penelitian ini yaitu konsentrasi larutan bibit sebesar 0.005, 0.010, 0.015, 0.025, dan 0.050 M serta perlakuan hidrotermal pada sampel 0.015 M. Karakterisasi mikrorod ZnO dilakukan dengan menggunakan XRD, FESEM, UV-Vis dan four point probe. Hasil penelitian menunjukkan peningkatan konsentrasi larutan mampu menurunkan celah pita energi, E_g mikrorod ZnO yaitu 3.60 menjadi 3.18 eV dan meningkatkan ukuran kristalit yaitu 41.541 hingga 95.076 nm. Diameter terbesar mikrorod ZnO yaitu 288.252 nm pada konsentrasi 0.015 M. Selain itu, peningkatan konsentrasi larutan menyebabkan transmitansi dan resistivitas turun yaitu masing-masing sebesar 72% menjadi 35% dan 0.787 x10^-4 menjadi 0.013 x 10^-4 Ωcm. Perlakuan hidrotermal pada sampel 0.015 M menyebabkan penurunan diameter dari 288. 252 menjadi 125.824 nm dan meningkatkan ukuran kristalit serta menurunkan E_g yaitu masing-masing 71.198 menjadi 165.696 nm dan 3.25 menjadi 3.19 eV. Selain itu, perlakuan hidrotermal menurunkan transmitansi dan resistivitas  yaitu masing-masing sebesar  50.5% menjadi 38% dan  1.126 x 10^-4 menjadi 0.833 x 10^-4 Ωcm. Perlakuan hidrotermal menghasilkan pemanas transparan yang optimum.

---

Zinc oxide (ZnO) has been applied as a transparent heater. However, research on ZnO microrod as transparent heaters has not been developed. In this study, the fabrication of microrod ZnO was carried out by using the chemical bath deposition method. The material used is zinc nitrate tetrahydrate and hexamethylentetramine. The variables in this study were the concentration of seed solutions of 0.005, 0.010, 0.015, 0.025, and 0.050 M and the hydrothermal treatment in the sample 0.015 M. The characterization of ZnO microrod was carried out using XRD, FESEM, UV-Vis and four point probes. The results showed an increase in solution concentration was able to reduce the energy band gap, E_g of ZnO microrod which is 3.60 to 3.18 eV and increase the size of the crystallite which is 41.541 to 95.076 nm. The largest diameter of ZnO microrod is 288.252 nm at a concentration of 0.015 M. In addition, an increase in the concentration of the solution causes transmittance and resistivity to decrease, from 72% to 35% and from 0.787 x10^-4 to 0.013 x 10^-4 Ωcm, respectively. The hydrothermal treatment of 0.015 M sample caused a decrease in diameter from 288. 252 to 125.824 nm and increased the size of the crystallite and lowered Eg, from 71.198 to 165.696 nm and from 3.25 to 3.19 eV, respectively. In addition, it has decreases transmittance and resistivity from 50.5% to 38% and from 1.126 x 10^-4 to 0.833 x 10^-4 Ωcm, respectively. The hydrothermal treatment produces optimum transparent heaters.

"

"Investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode.To investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode. The deposition rates were adjusted to 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s and the annealing temperatures were to 200 °C, 300 °C and 400 °C- The thickness of thin films were around 7000 A. The optical constant and band gap energy were calculated from the Reflectance ( R ) and Tansmittance (T) by using O.S. Heavens formula. The value of R and T were obtained from UV-VIS Spectrofotometre with the wavelength from 400 inn to 800 run. From the calculations it was found that the deposition rate affected the optical properties and structures. At wave length 550 nm, the deposition rates 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s give the real refractive index n 2.534; 2.503; 2.46; 2.505 respectively and the absorption coefficient a 1.15 x 103, 5.96 x 103, 4.38 x 103, 7.33 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,46 eV, 2,44 eV, 2,42. eV, 2.40 eV respectively and the grain sizes 816 4 A, 291.5 A, 256.7 A, 251.1 A respectively. The annealing process to 200 °C, 300 0C and 400 0C also affected the optical properties and structures. At deposition rate 4 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 °C give the real refraction index 2.513, 2.56, 2.54, 2.53 respectively and the absorption coefficient l .15x 103, 6 x 103, 7 x 103, 4 x 103 /cm respectively and the band-gap energy 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV, 2,42 eV respectively. At deposition rate 8 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.503, 2.527, 2.504, 2.505 respectively and the absorption coefficient 5.96x103, 6.5 x I03, 7.17 x l03 , 3-37 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,44 eV, 2,43 eV, 2.40 eV, 2,41 eV respectively. At deposition rate 12 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.46, 2.546, 2.495, 2.485 respectively and the absorption coefficient 4.38 x 103, 1.27 x 103, 0.15 x 103, 0.23 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV, 2,44 eV respectively. At deposition rate 16 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C. 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.505, 2.498, 2.499, 2.497 respectively and the absorption coefficient 7.33 x 103, 2.9 x 103, 1.7 x 103, 1.95 x 103 1cm respectively and the band gap energy 2,40 eV, 2,41: eV, 2,4.2 eV, 2,43 eV respectively. The c3-stall structures of thin film are found to be hexagonal with preferred orientation (002). The annealing processes affect the grain size. At the deposition rate 4 A's, the annealing process to 400 °C changed the grail? size from 816 A to 193,5 A. At the deposition rate 8 A/s, the amtealing process to 400 0C changed the grain size from 291,5 A to 168 A. At the deposition ratel2 A/s, the annealing process to 400 °C changed the grain size from 256,7 A to 198,2 A. At the deposition rate 16 A/s, the annealing process to 400 °C also changed the grain size from 251,1 A to 235,9 A.

---

Guna mengetahui perubahan sifat optis dan struktur terhadap laju deposisi pembuatan lapisan tipis dan juga terhadap anil, dibuat lapisan Cds dengan co-evaporasi termal CdS dan S diatas substrat kaca. Laju deposisi dibuat pada 4 A/s, 8 A/s, 12 As dan 16 A/s. Anil dilakukan pada setiap laju deposisi dengan 3 macam teinperatur yaitu: 200 0C, 300 oC dan 400 0C_ Ketebalan lapisan yang dibuat berkisar 7000 A. Konstanta optis yaitu koefisien absorpsi dan indek bias dihitung dari reflektansi R dan transmisi T berdasarkan metode fungsi minimal dengan menggunakan persamaan O.S. Heavens. Dad kurva koefisien abrsoipsi terhadap energi foton dibuat lebar pita terlarang CdS. Pengukuran nilai R dan T dilakukan dengan alat UV-VIS Spektrofotometer pada panjang gelombang 400 nm - 800 nm. Dari penelitian didapatkan bahwa laju deposisi mempengaruhi sifat optis material. Didapatkan nilai indek bias nyata pada laju deposisi 4 Als, 8 A/s, 12 A/s dan 16 A/s pada panjang gelombang 550 nm masing masing 2,534; 2,503; 2,46; 2,505 dan koefisien absorpsi masing-masing adalah 1,15 x 103; 5,96 x 103; 4,38 x I03; 7,33. x 103 /cm dan lebar pita terlarang masing-masing adalah 2,46 eV, 2,44 eV, 2.42 eV dan 2,40 eV. Besar butir menurun dengan meningkatnya laju deposisi. Besar butir pada laju deposisi 4 Als. 8 A/s, 12 AN dan 16 A/s berturut-turut adalah 816 A , 291,5 A, 256,7 A dan 251,1 A. Proses anil memberikan basil bahwa dari suhu 200 0C sampai 400 oC terjadi perobahan sifat optis dan struktur. Pada laju deposisi 4 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,513; 2,56; 2,54 dan 2.53 dan nilai koefisien absorpsi adalah 1,15x103; 6 x 103; 7 x 103; 4 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,42 eV. Piida laju deposisi 8 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,503; 2,527; 2,504 dan 2,505 dan nilai koefisien absorpsi adalah 5.96x 103; 6,5 x 103; 7,17 x 103; 3,37 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,44 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,41 eV. Pada laju deposisi 12 A/s berturut-turut tmtuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 'DC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,46; 2,546: 2,495 dan 2,485 dan nilai koefisien absorpsi adalah 4,38 x 103; 1,27 x 103; 0,15 x 103; 0,23 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV dan 2,44 eV. Pada laju deposisi 16 A/s berturut-turut untuk proses tanpa aril, aril .200 0C, 300 oC dan 400 0C indek bias nyata n adalah 2,505; 2,498; 2,499 dan 2.497 dan nilai koefisien absorpsi adalah 7,33 x 103; 2,9 x 103; 1,7 x 103; 1,95 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,40 eV, 2,41 eV, 2,42 eV dan 2,43 eV. Stniktur kristal lapisan tipis CdS yang terbentuk adalah heksagonal dengan prefi-'rred 0i-lank-Ilion (002). Proses anil inerubah besar ukuran butir. Pada sampel dengan laju deposisi 4 A/s anil 400 oC inerubah besar butir dart 816 A ke 193,5 A. Sampel dengan laju deposisi 8 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 291,5 A ke 168 A. Sampel dengan laju deposisi l2 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 256,7 A ke 198,2 A. Sampel dengan laju deposisi 16 A/s anif 400 oC merubah besar butir dari 251,1 Ake 235,9 A."

"ABSTRAKLogam transisi oksida (MxOy,M = Co, Fe, Cu, Zn) menarik untuk dijadikanmaterial baru sebagai anoda baterai ion lithium karena secara umum mempunyaikapasitas spesifik lebih besar dari material grafit. Diantara logam logam transisi tersebutZnO mempunyai kelebihan karena mempunyai kapasitas teoritis yang yang tinggi sekitar978 mAh/g atau setara tiga kali dari grafit seperti yang dipakai pada baterai ion lithiumdewasa ini. Kelebihan lain dari ZnO adalah tidak beracun, ketersediaannya banyak danmurah dalam preparasi. Selain itu ZnO mempunyai band gap yang lebar (3,37 eV padasuhu kamar), mobilitas elektron tinggi (100 cm2/Vs) dan ikatan energi yang besar (60meV) sehingga yang telah banyak digunakan di banyak aplikasi seperti semikonduktor,bahan konduktor transparan, biosensor dan bahan anoda dari baterai lithium-ion. Secarakhusus, struktur nano ZnO telah menarik banyak perhatian karena sifat unik dankemungkinan penerapannya di bidang yang luas. Tetapi penerapan material ZnO sebagaianoda baterai ion lithium juga mempunyai kelemahan karena terjadinya ekspansi volumeselama proses charge dan discharge yang akan menyebabkan kerusakan material anodatersebut dan berakibat pada turunnya kapasitas baterai. Maka dilakukan pengendalianmorfologi terhadap struktur ZnO dalam bentuk microrods yang ditumbuhkan padasubstrat tembaga (Cu foils) dengan menggunakan metode kimia basah atau chemical bathdeposition (CBD) pada suhu rendah. Parameter yang diamati adalah keseragaman,densitas dan diameter ZnO microrods hingga didapatkan kondisi optimum untukpertumbuhan ZnO. Efek annealing temperatur pada pertumbuhan ZnO microrods dankristalisasi selanjutnya diteliti. Ukuran, keselarasan dan keseragaman ZnO microrodsdievaluasi dengan pemindaian mikroskop elektron (SEM dan HRSEM), sedangkan untukanalisis struktural dilakukan dengan teknik X-ray difraksi (XRD). Hasil penelitianmenunjukkan bahwa suhu anil berpengaruh secara signifikan terhadap pertumbuhanmicrorods ZnO. Dengan melalui sejumlah pengujian terhadap struktur dan morfologi didapatkan bahwa parameter eksperimental yang baik dicapai dengan menggunakan 3(tiga) lapisan benih, anil pada suhu 150oC dalam waktu 10 menit anil, memberikandiameter rata-rata 218 nm, ukuran kristal 50,16 nm dan densitas 5,05 microrods μm2.Ukuran kristalit terbesar (65,34 nm) diperoleh pada suhu anil pada suhu 100oC dan 10menit waktu anil. Citra SEM dan HRSEM pada semua sampel yang diuji menunjukkan bahwa ZnOmicrorods berhasil ditumbuhkan pada substat lembaran tembaga dengan diameter 200900 nm. Hasil CV memperlihatkan bahwa kapasitas spesifik tertinggi sebesar didapatkanoleh sampel ZnO150 dengan nilai kapasitas spesifik sebesar 811 mAh/gr untukdischarge dan 773 mAh/gr untuk charge pada pengisian densitas arus 0.5 A/gSedangkan kapasitas spesifik terendah didapat pada sampel ZnO50 dengan nilaikapasitas spesifik sebesar 572 mAh/gr untuk discharge dan 562 untuk charge. Sedangkanuntuk ketahanan siklus didapatkan oleh sampel ZnO100 dengan kapasitas retensi 94%pada siklus ke 80 dan ZnO 150 dengan kapasitas retensi 82 %. Dari pengujian ratecapabilities, baterai ZnO memiliki kemampuan discharge dan charge dari 0,1 C hingga2C. Hal ini menunjukkan bahwa telah tercapai tujuan penelitian yaitu sebagaipengembangan awal anoda ZnO microrods sebagai anoda baterai ion lithium dengankapasitas spesifik yang tinggi.

---

ABSTRACTTransition-metal oxides (MxOy, M = Co, Fe, Cu, Zn) are such an attractive newmaterials for lithium ion battery anodes, as they generally have bigger specific capacitythan graphite materials. Among the transition metals, ZnO have an advantage of theirhigh theoretical capacity for about 978 mAh/g which are three times the equivalent ofgraphite used in today's lithium ion batteries. Another advantage of ZnO is non-toxic. Itsavailability is abundant and cheap in preparation. In addition, ZnO as a semiconductormaterial has a wide band gap (3.37 eV at room temperature), high electron mobility (100cm2/Vs) and large energy bonds (60 meV) so that it has been widely used in manyapplications, including transparent conductors, biosensors and anode materials fromlithium-ion batteries. In particular, the ZnO nanostructure has attracted much attentiondue to its unique nature and its possible application in a wide field. The variousnanostructures of ZnO have been synthesized using different approaches. In this work,the liquid chemical deposition facile (CBD) of ZnO microrods on copper (Cu) foils wasstudied. During synthesis, we control the uniformity, density and diameter of ZnOmicrorods to determine the optimum conditions. The effects of temperature annealing onthe growth of ZnO microrods and crystallization were further investigated. The size,alignment and uniformity of ZnO microrods were evaluated by scanning electronmicroscopy (SEM), while for structural analysis performed by XRD technique. Theresults showed that the annealing temperature significantly affected the growth of ZnOmicrorods. We found excellent experimental parameters achieved by using 3 (three) seedlayers, annealing at 150 ° C within 10 minutes annealing, giving an average diameter of218 nm, a crystal size of 53.29 nm and a density of 5.05 microrods / μm2. The largestcrystal size ( 65.34 nm) was obtained at annealing temperatures at 100 ° C and 10minutes anneal time. The SEM and HRSEM images in all samples tested showed thatZnO microrods were successfully grown on copper sheet substrates with diameters of200-900 nm. The CV results show that the highest specific capacity is obtained by theZnO150 sample with a specific capacity value of 811 mAh/gr for discharge and 773mAh/gr for charging the current density of 0.5 A/g. While the lowest specific capacitywas obtained in the ZnO50 sample with a specific capacity value of 572 mAh/gr fordischarge and 562 for charge. While for cycle resistance obtained by the sample ZnO100"

"Sebagai bahan semikonduktor. CuInSe2 yang berbentuk serbuk ( powder ) telah dibuat menjadi lapisan tipis dengan menggunakan metode evaporasi thermal. Lapisan yang dihasilkan, didapat dari dua kali evaporasi dengan temperatur substrat yang berbeda masing-masing 150 °C dan 200 °C. Untuk lapisan tipis dengan temperature substrat 150 °C diannealing pada atmosfir Selenium. sedangkan lapisan tipis dengan temperatur substrat 200 °C diannealing dalam ruang vakum selama 10 menit pada temperatur 200 °C. Selanjutnya pengukuran sifat optik dan sifat listrik dilakukan terhadap ketiga bagian sampel. antara lain; sampel lapisan tipis yang belum diannealing dalam ruang vakum/diannealing pada atmosfir Selenium, yang diannealing dalam ruang vakum dan yang diannealing pada atmosfir Selenium yaitu untuk dikarakterisasi. Dari hasil pengkarakterisasian dilaporkan bahwa, dengan proses annealing pada atmosfir Se dan ruang vakum bentuk spektrum transmisi dan reflektansi terlihat lebih halus. Kedua lapisan tipis ini baik yang diannealing dalam ruang vakum maupun diannealing pada atmosfir Selenium memiliki resistivitas sekitar ( 2.2 s/d 2.5 ) ohm cm dengan type konduktivitasnya cenderung lebih banyak type - N dari pada type - P."

"ABSTRAKMaterial perovskite merupakan material yang memiliki sifat fisika dan sifat kimia yang menarik, sehingga memiliki potensial sebagai bahan multiferroic. Material multiferroic merupakan material yang memiliki sifat fisika lebih dari satu. Untuk mendapatkan material multiferroic dilakukan salah satu cara yang disebut subsititusi kation parsial. Substitusi kation parsial ini dapat dilakukan dengan cara menganti setengah dari kation site -B dengan B' dan B" yang disebut dengan double perovskite. Adapun rumus umum double perovskite yaitu A2B'B"O6. Pada penelitian ini, material double perovskite Sr2FeMnO6 dengan variasi precursor Mn-Cloride dan Mn-Nitrate telah berhasil disintesis menggunakan metode sol-gel. Adapun hasil dari sintesis berupa sampel kalsinasi dan sintering. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa material double perovskite dengan variasi precursor Mn-Cloride dan Mn-Nitrate memiliki struktur dan space group yang sama yaitu cubic dengan space group Fm3m. Hasil uji Uv-Vis menunjukkan bahwa material ini memiliki dua nilai band gap energy yaitu optical gap dan fundamental energy gap. Dimana untuk nilai optical band gap berkisar diantara 3.12-3.33 eV dan nilai fundamental energy gap berkisar diantara 4.07-4.08 eV. Material double perovskite dengan Sr2FeMnO6 dengan precursor Mn-Nitrate memiliki nilai kosntanta dielektrik lebih besar dibandingkan dengan dengan precursor Mn-Cloride.

---

ABSTRACTPerovskite material is a material that has interesting physical and chemical properties, so it has potential as a multiferroic material. Multiferroic material is a material that has more than one physical property. To get multiferroic material, one method is called partial cation substitution. This partial cation substitution can be done by replacing half of the cation site -B with B' and B" called double perovskite. The general formula for double perovskite is A2B'B"O6. In this study, the Sr2FeMnO6 double perovskite material with variations of the Mn-Cloride and Mn-Nitrate precursors was successfully synthesized using the sol-gel method. The results of the synthesis are calcined and sintering samples. The XRD characterization results show that the double perovskite material with variations of the Mn-Cloride and Mn-Nitrate precursors has the same structure and space group, namely cubic with Fm3m space group. Uv-Vis test results show that this material has two band gap energy values, namely optical gap and fundamental energy gap. Where for optical band gap values range between 3.12-3.33 eV and fundamental energy gap values range between 4.07-4.08 eV. Double perovskite material with Sr2FeMnO6 with Mn-Nitrate precursors has a greater dielectric value than Mn-Cloride precursors."

"Material low band gap baru tipe-p Poly 2,2 39;- 2,5-bis 2-octyldodecyl -3,6-dioxo-2,3,5,6- tetrahydropyrrolo[3,4-c] pyrrole-1,4-diyl dithieno[3,2-b]thiophene-5,5 39;- diyl-alt-thiophen-2,5-diyl telah menarik banyak perhatian untuk aplikasi sebagai material fotoaktif pada divais elektronik seperti pada sel surya dan fotodetektor. Modifikasi morfologi pada lapisan fotoaktif menjadi tantangan karena panjang difusi exciton pada semikonduktor organic terbatas hanya 10-20 nm. Oleh karena itu, bentuk dan struktur material semikonduktor organic menggunakan template AAO untuk membuat berbagai macam struktur nano seperti nanotube,nanorod, dan struktur nano yang lain semakin menarik perhatian peneliti.Pada penelitian ini, sintesis dan karakterisasi sifat optik dan struktur material PDPPBTT nanotube telah dilakukan. Struktur PDPPBTT nanotube telah dibuat dengan menggunakan AAO template yang diinfiltrasi dengan metode sentrifugasi. Larutan polimer dibuat dengan dua konsentrasi, yaitu 5 mg/mL dan 10 mg/mL dan dilakukan variasi kecepatan putar centrifuge yaitu 3000, 3500 dan 4000 rpm. Karakterisasi sifat optik dilakukan dengan UV-Vis spektrofotometer dan Photoluminescence, karakterisasi morfologi dengan FESEM dan analisis struktur dengan Raman.Berdasarkan hasil UV-Vis, intensitas serapan PDPPBTT 5 mg/mL pada kecepatan putar 3000 rpm menunjukkan hasil yang paling tinggi dibandingkan dengan kecepatan putar yang lain. Hal ini juga didukung dengan hasil pengujian morfologi yang memperlihatkan struktur nanotube pada 3000 rpm lebih panjang dan rapat. Selain pengaruh kecepatan putar, penelitian ini juga membahas tentang pengaruh konsentrasi larutan. Larutan dengan konsentrasi 10 mg/mL terlihat lebih baik dibandingkan dengan konsentrasi 5 mg/mL, hal tersebut dapat dilihat dari hasil pengujian morfologinya. Konsentrasi 10 mg/ml struktur nano nya sangat rapat dan kuat sehingga membentuk rumpun clump . Hal ini berkaitan dengan transfer muatan yang terjadi pada material PDPPBTT. Dari hasil Photoluminescence, konsentrasi yang besar juga berpengaruh terhadap mekanisme intra atau intermolekul pada rantai polimer, hal itu terlihat pada hasilnya yang mengalami penurunan intensitas dan redshift. Berdasarkan penelitian ini, material PDPPBTT berpotensi kuat untuk dapat diaplikasikan dalam sebuah divais optoelektronik.

---

The novel highly conductive low band gap p type materials, Poly 2,2 39 2,5 bis 2 octyldodecyl 3,6 dioxo 2,3,5,6 tetrahydropyrrolo 3,4 c pyrrole 1,4 diyl dithieno 3,2 b thiophene 5,5 39 diyl alt thiophen 2,5 diyl has attracted numerous attention for potential applications as a photoactive material of optoelectronic devices such as solar cells and photodetector. The morphological control of the photoactive layer remains a challenge due to the exciton diffusion length of organic semiconductors is limited to 10 20 nm. Therefore the patterning of organic semiconducting materials using hard templates for fabrication of nanostructures such as nanotubes, nanorods, and other novel nanostructures attracted increasing attention.In this study, synthesis and characterization of optical properties and structure of PDPPBTT nanotube have been performed. The structure of PDPPBTT nanotubes have been made using AAO templates infiltrated by centrifugation method. Polymer solution was made with two concentrations 5 mg mL and 10 mg ml. Moreover, the centrifuge rotation speed which were used varied from 3000, 3500 and 4000 rpm. The characterization of optical properties was performed with UV Vis spectrophotometers and Photoluminescence, morphological characterization with FESEM and structural analysis with Raman spectroscopy.Based on the UV Vis results, the absorbance of PDPPBTT with 5 mg mL at 3000 rpm showed the highest value compared to other rotation speed. It rsquo s also supported by the results of morphological test which showed longer length and denser distribution at 3000 rpm rotation speed. Moreover, the effect of concentration on optical property, morphology, and structure have also been studied. The solution with 10 mg mL concentration showed better result compared to 5 mg mL concentration. The morphological measurement showed that the nanostructure obtained from 10 mg ml concentration formed a dense and strong clump. This is related to the charge transfer that occurs on PDPPBTT material. Photoluminescence measurement showed that difference in concentration value affect the intra or intermolecular mechanism in the polymer chain. This could be seen from extremely decrease of intensity and redshift which is found from the result of photoluminescence measurement."

"

Bismuth Ferrite, BiFeO₃ (BFO) merupakan material yang memperlihatkan sifat ferroelektrik yang baik dan sifat ferromagnetik yang lemah. Lemahnya sifat ferromagnetik material BFO ini disebabkan adanya sifat antiferromagnetik sikloid tipe G. Salah satu upaya meningkatkan sifat ferromagnetik BFO ini adalah dengan mendoping atom Bi yang berada pada posisi A didalam senyawa ABO₃ menggunakan Li (Bi_1-xLi_xFeO₃, x= 0,02, 0,04, 0,06) dan Zn (Bi_1-zZn_zO₃, z= 0,05, 0,1, 0,15). Proses sintesis doping BFO tersebut dilakukan menggunakan metode sol-gel. Dari sampel hasil doping tersebut diketahui bahwa keberadaan Li dan Zn telah memicu terjadinya kenaikan saturasi magnetik didalam BFO. Kenaikan sifat magnetik ini diakibatkan oleh pengecilan sudut Fe–O–Fe. Pengecilan sudut ini disebabkan oleh perubahan rasio kisi c/a kristal BFO didalam struktur rombohedral dengan spacegroup (s.g.) R3c. Kenaikan sifat magnetik didalam sampel BFO hasil doping tersebut disertai munculnya Fe²⁺ dan terbentuknya vakansi oksigen sebagai kompensasi atas keberadaan Li¹⁺ dan Zn²⁺ yang menggantikan posisi Bi³⁺. Keberadaan Li didalam BFO teridentifikasi pada energi ikat sebesar 56,7 eV menggunakan XPS. Penggunaan metode sol-gel didalam proses preparasi sampel diketahui efektif untuk menghasilkan bubuk sampel berskala nano (<200 nm).

---

Bismuth Ferrite, BiFeO₃ (BFO) is a material that shows excellent ferroelectric properties and weak ferromagnetic properties. The weak ferromagnetic properties of BFO material are due to the antiferromagnetic nature of cycloid type G. One effort to improve the ferromagnetic properties of BFO is to dope Bi atoms in position A in the compound ABO₃ using Li (Bi_1-xLi_xFeO₃, x= 0,02, 0,04, 0,06) and Zn (Bi_1-zZn_zO₃, z= 0,05, 0,1, 0,15). The BFO doping synthesis process was carried out using the sol-gel method. From the doping sample, it is known that the presence of Li and Zn has triggered an increase in magnetic saturation in BFO. This increase in magnetic properties was caused by the reduction of Fe – O – Fe angle. This reduction in angle is caused by changes in the lattice ratio of c / a BFO crystals in the rhombohedral structure to the spacegroup (s.g.) R3c. The increase in magnetic properties in the doped BFO sample is accompanied by the appearance of Fe²⁺ and the formation of oxygen vacancy as compensation for the presence of Li¹⁺ and Zn²⁺ which replace the position of Bi³⁺. Li's presence in BFO was identified in the binding energy of 56.7 eV using XPS. The use of the sol-gel method in the sample preparation process is known to be effective for producing nanoscale sample powders (<200 nm). 

"