Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Laser semikonduktor dapat diimplementasikan diberbagai bidang, diantaranya adalah bidang telekomunikasi, radar, spektroskopi dan sensor. Khusus pemanfaatan dalam bidang telekomunikasi, laser dimanfaatkan untuk membangkitkan gelombang mikro dengan teknik heterodyne dengan cara mixing dua sumber laser. Dalam aplikasi ini, kualitas stabilitas panjang gelombang laser menjadi sangat krusial untuk menghasilkan kestabilan sumber gelombang mikro yang diinginkan. Dalam beberapa penelitian telah dilaporkan bahwa perubahan temperatur menyebabkan perubahan panjang gelombang secara linear. Dalam pengujian yang kami lakukan, dibuktikan bahwa kenaikan temperatur menyebabkan pergeseran Bragg wavelength kearah long wavelength pada tipikal laser sebesar 0.094 nm/oC. Selain pergeseran panjang gelombang terhadap variasi temperatur, dibuktikan juga bahwa kenaikan temperatur menyebabkan penurunan daya optis pada output laser. Dari hasil penelitian yang kami lakukan didapatkan nilai tunabilitas gelombang mikro terhadap variasi temperatur laser sebesar 10.35 GHz/oC dan nilai tunabilitas gelombang mikro terhadap variasi arus injeksi laser sebesar 0.37 GHz/mA. Dalam penelitian ini kami menunjukkan bahwa beat frekuensi hasil mixing dua laser dioda dapat dituning dengan memvariasikan temperatur salah satu laser dan membiarkan laser lainnya konstan. Kestabilan gelombang mikro yang dihasilkan terhadap kestabilan temperatur laser didapatkan nilai ±2.7 GHz.

---

Semiconductor laser can be implemented in various fields, such as for telecommunication, radar, spectroscopy and sensor. Specialized for telecommunication application, laser can be applied to generate microwave with heterodyne technique by mixing two laser sources. In this application, the quality of the laser wavelength stability is crucial in order to generate stability desired microwave source. In some studies it has been reported that the change of temperature causes the wavelength changes linearly. In our experiment, it is proven that the increase in temperature causes a shift in the peak wavelength toward the long wavelength laser typical of 0.094 nm/oC. In addition to the shift in wavelength, it is also shown that the increase in temperature causes a decrease in the optical power at the laser output. From the experiments of mixing two lasers that we have conducted, it was found that the tunability factor of laser beat frequency versus temperature is 10.35 GHz/oC and the tunability beat frequency caused by injection is 0.37 GHz/mA. In this paper we show that the beat frequency of the result of mixing two laser diodes can be tuned by varying the temperature of one laser and let the other laser constant. From the experiment, the microwave stability we can obtain ±2.7 GHz."

"Salah satu usaha untuk meningkatkan kapasitas transmisi dan/atau memperpanjang jarak transmisi pada komunikasi serat optik, yaitu dengan dikembangkannya diode laser yang dapat diatur panjang gelombangnya (tunable laser diode). Diode laser ini dapat dibuat dengan 2 cara, yaitu memfabrikasi langsung laser mode tunggal (single mode laser) atau laser mode jamak (multimode laser) yang digandeng dengan external tuning. Pada Tesis ini dilakukan uji coba dan analisa suatu sistem penalaan (tuning), sehingga cahaya laser menghasilkan panjang gelombang dengan lebar spektral yang sempit. Sistem ini menggunakan laser semikondulctor GaAs sebagai diode laser mode jamak yang mempunyai rentang panjang gelombang 640,7 nm and 722,08 nm dan daya maksimum 4 mW. Disamping itu sebagai external tuning digunakan kisi yang mempunyai jarak antara celala (d) = 327,762 µm ± 55,84 p.m , sedangkan antara diode laser dengan kisi, digunakan lensa sebagai kolimator. Dari hasil uji coba dan analisa menunjukkan bahwa panjang gelombang yang akan ditransmisikan dapat dipilih dengan merubah sudut kisi terhadap sumbu optic. Perubahan sudut kisi dapat dilakukan antara 0° sampai 60°, sedangkan panjang gelombangnya antara 675,86 nm dan 682,43 nm dengan lebar spektral antara 29.65 nm dan 113.10 nm.

---

One way to increase transmission capacity and/or to extend transmission distance in optical fiber communication is by providing tunable laser diode. There are two ways in making each laser diode, namely, fabricating directly single mode laser or using multimode laser coupled with external tuning. In this thesis a tuning system will be measured and analysed, so that laser light produces the wavelength with narrow spectral width. This system uses GaAs laser semiconductor as multimode laser diode that has wavelength range 640.7 nm and 722.08 rim and maximum power of 4 mW. Besides grating with period of grating 327,762 p.m ± 55,84 p.m is used as external tuning, while between laser diode and grating, a lens is used as collimator. The measurement and analysis shows that the wavelength that will be transmitted can be selected by changing grating angle to optical axis. The variation of grating angle is between 0° and 60°, whereas the wavelength is between 675.53 nm and 682.43 nm with spectral width between 29.65 nm and 113.10 nm."

"Sejauh ini, pendeteksian objek di dalam air dilakukan dengan teknologi sonar yang memanfaatkan gelombang suara. Namun keterbatasan kecepatan rambat suara di dalam air menjadi penghambat perkembangan sistem deteksi di bawah air. Disisi lain cahaya dapat merambat lebih cepat di dalam air, selain itu laser memiliki sifat monokromatis dan koheren sehingga laser dapat mendeteksi objek dengan jarak yang cukup jauh dan dengan akurasi tinggi. Pada Skripsi ini dilakukan eksperimen untuk mengamati karakterisasi propagasi cahaya laser dengan λ = 532 nm sebagai dasar untuk mendeteksi objek di dalam air. Eksperimen dilakukan di berbagai tingkat salinitas air, untuk mewakili berbagai jenis air di alam. Selanjutnya dilakukan eksperimen dengan membuat jaring-jaring laser serta rangkaian pendeteksi sebagai sistem pendeteksi objek asing di dalam air dengan  memanfaatkan sensor fotodioda dan ESP32. Dari hasil eksperimen didapat nilai untuk absorptivitas berkas laser semikonduktor λ = 532 nm pada air garam dengan tingkat salinitas 35 ppt adalah sebesar 0,00415 L.

---

So far, underwater object detection has been carried out using sonar technology that utilizes sound waves. However, the limited speed of sound propagation in the water is an obstacle for the development of underwater detection systems. On the other side, light can travel faster in water. In addition, the laser has monochromatic and coherent properties so that the laser can detect objects at a considerable distance and with high accuracy. In this thesis, an experiment was carried out to observe the characterization of laser light propagation with λ = 532 nm as the basis for detecting objects underwater. Experiments were carried out at various levels of water salinity, to represent the different types of water in nature. Furthermore, experiments were carried out by making laser nets and detection circuits as a system for detecting foreign objects underwater by utilizing photodiode sensors and ESP32. Based on the experimental results, it was found that the absorptivity of the semiconductor laser beam λ = 532 nm in salt water with a salinity level of 35 ppt was 0.00415 L."

"This book offers the reader a practical guide to the control and characterization of laser diode beams. Following a short introduction to the working principles of laser diodes, the book describes the basics of laser diode beams and beam propagation, including Zemax modeling of a Gaussian beam propagating through a lens. The core of the book is concerned with laser diode beam manipulations, collimating and focusing, circularization and astigmatism correction, coupling into a single mode optical fiber, diffractive optics and beam shaping, and manipulation of multi transverse mode beams. The final chapter of the book covers beam characterization methods, describing the measurement of spatial and spectral properties, including wavelength and linewidth measurement techniques. "

"This thesis describes the device physics of GaN-based laser diodes, together with recent efforts to achieve longer emission wavelengths and short-pulse emission. Experimental and theoretical approaches are employed to address the individual device properties and optimize the laser diodes toward the requirements of specific applications."

"ABSTRACT

Recently, the Indonesian researchers have anticipated the research on photonic devices especially on semiconductor laser. According to the anticipation above, the scope of this research is on photonic devices particularly on design and performance fabrication of 1.55 um GaInAsPfInP semiconductor laser using intrinsic single-mode layers.

The semiconductor laser was designed using intrinsic single-mode layers that consist of 4 (four) layers i.e., 2 (two) waveguiding layers with 1,15 p.m, AMB (Anti Melt Back) layer with 1.3 pm, and active layer with 1.55 pm. The layers were growth by designing 0.17 pm waveguiding layer thickness, 0.1 pm active layer- and AMB layer thickness, respectively. The performance optimizing were on optical confinement factor of the single-mode layers and threshold current.

The design and simulation results that threshold current of 702,5 mA and the optical confinement factor of 0.801 can be achieved. In addition, the optimum performance was obtained with thicker AMB layer, thicker active layer, and thinner wave-guiding layers.

---

ABSTRAKPara peneliti di Indonesia hingga saat ini telah mengantisipasi penelitian di bidang devais fotonik terutama diode laser semikonduktor. Penelitian pada tesis ini di bidang devais fotonik diutamakan pada rancang bangun dan simulasi unjuk kerja dari diode laser semikonduktor pada panjang gelombang 1,55 um dengan bahan GalnAs-PIInP menggunakan lapisan mode tunggal intrinsik.Pada rancang bangun dirancang suatu diode laser semikonduktor dengan lapisan mode tunggal yang terdiri dari empat buah lapisan GaInAsP masing-masing 2 buah lapisan pandu gelombang dengan panjang gelombang 1,15 µm, lapisan aktif dengan 1,55 gm, dan lapisan anti cair ulang (ACU) dengan 1.3 µm. Untuk penumbuhan dipilih lapisan pandu gelombang setebal 0,17 gm, lapisan aktif setebal 0,1 gm dan lapisan ACU setebal 0,1 gm. Dalam perancangan, parameter faktor perangkap cahaya dari lapisan mode tunggal dan besamya arus ambang memegang peranan penting untuk mengoptimalkan unjuk kerja.Hasil rancang bangun dan simulasi memperlihatkan bahwa unjuk kerja perhitungan dengan arus ambang sebesar 702,5 mA dan faktor perangkap cahaya lapisan mode tunggal sebesar 0,801 dapat dicapai. Selain itu optimalisasi unjuk kerja dapat diperoleh dengan cara mempertebal lapisan ACU, membuat lapisan aktif tidak tipis dan lapisan pandu gelombang tidak tebal."

"Kebutuhan akan sebuah sistem pada kendaraan yang mampu memberikan kemudahan bagi pengemudi sekaligus menjamin keselamatan pengemudi dan lingkungan di sekitamya atau mengurangi dampak dari skenario kecelakaan terburuk menjadi alasan dikembangkannya sistem pemandu pengemudi atau driver assistance system (DAS). DAS menggunakan pulsed laser semikonduktor dan photodiode yang diintegrasikan dalam suatu sistem analog dan digital sehingga mampu memindai target dalam jarak puluhan hingga ratusan meter di depan kendaraan dengan sudut jangkauan yang cukup besar dalam waktu yang sangat singkat. Waktu tempuh ini memungkinkan sistem menganalisa posisi target dan mengambil langkah, baik dalam fungsi keamanan maupun pemandu kemudi otomatis. Salah satu penerapan teknologi ini akan memungkinkan sistem pengendaraan otomatis pada kendaraan dalam batas kecepatan normal, sehingga diharapkan tingkat kecelakaan lalu lintas dapat semakin berkurang. Pada skripsi ini 905 nm modified multiple quantum well disimulasikan. Kondisi optimum tercapai ketika confinement factor pada lapisan quantum well memiliki nilai yang besar, optical loss kecil dan deam divergensi far field pada FWHM sebesar ~25_. Hasilnya, didapatkan suatu struktur laser dengan jenis material dan komposisi yang optimum, lima lapisan quantum well, dengan 99,3% confinement factor pada daerah aktif, 0,4 cm-1 intensitas modal loss dan eye-safety 25_ beam divergensi far field. Proses simulasi ini menggunakan software WAVEGUIDE yang memiliki keunggulan dalam menganalisa struktur dari sisi transversal, serta memungkinkan perancangan struktur laser dengan banyak lapisan (multilayer). Hal ini disebabkan pada pulsed laser tidak terdapat mode lateral untuk memperoleh divergensi lateral beam yang kecil. Parameter-parameter yang akan menjadi bahan analisa dalam simulasi adalah optical confinement factor (?), indeks bias efektif imajiner, dan sudut divergensi far field-nya (FWHM), sehingga didapat nilai optimal dari performansi laser secara keseluruhan. Analisa dilakukan terhadap nilai dari parameter-parameter tersebut dengan memvariasikan ketebalan dari confining layer dan lapisan aktif, serja jumlah quantum well yang berbeda."

"Penelitian pada tesis ini di bidang divais fotonik diutamakan pada pabrikasi dan karakterisasi dari bahan dasar GaInAsP/InP untuk penguat optik dengan panjang gelombang 1,55 µm, yang tidak lain adalah sama dengan bahan dasar untuk laser semikonduktor.Pada rancang bangun penguat optik dibuat struktur lapisan yang menghasilkan moda tunggal yang terdiri dan 4 buah lapisan GaInAsP, masing-masing 2 lapisan pandu gelombang dengan panjang gelombang 1,17 pm, lapisan aktif dengan 1,55 pm, dan lapisan anti cair ulang (ACU) dengan 1,3 gm. Untuk penumbuhan dipilih lapisan pandu gelombang dengan ketebalan 0,25 gm, lapisan aktif 0,19 pm dan lapisan ACU 0,19 gm. Di tumbuhankan dengan menggunakan LPE (Liquid Phase Epitaxy) yaitu penumbuhan yang dilakukan pada saat kristal dalam keadaan fasa cair dengan teknik penumbuhan Two-Phase Solution. Bahan InP, GaAs, InAs sebagai bahan sumber ditumbuhkan diatas substrat InP, membentuk struktur lapisan DH (Double Heterostructure) instrinsik tujuh lapisan dan melalui proses lanjutan dapat dibuat menjadi penguat optik atau diode laser sernikonduktor GaInAsP/InP 1,55 µm.Struktur dasar GaInAsP/InP untuk penguat optik dibuat dengan proses penumbuhan, yang dimulai dengan menyentuhkan larutan kristal Indium pada sampel substrat, kemudian dilakukan penumbuhan lapian dengan menyentuhkan larutan kristal secara berurutan diatas sampel substrat. Proses penumbuhan dilakukan tiga tahapan, yaitu : tahapan pendahuluan, tahapan pembentukan pandu gelombang dan tahapan pembentukan struktur DH (Double Heterostucture). Ketebalan lapisan dapat diatur dengan memvariasi suhu peleburan dan waktu penumbuhan. Karakterisasi ketebalan lapisan dilakukan dengan menggunakan SEM, dan Pengukuran panjang gelombang dilakukan dengan photoluminescence, dengan cara menembakkan laser pada pennukaan sampel. Emisi pandu gelombang diterima, direkam menggunakan optical spectrum analyzer (OSA).

---

This research is focused on photonic devices particularly on fabrication and characteristic of 1.55 gm GaInAsP/InP semiconductor laser materials for an optical amplifier.

The Optical amplifier was designed for a single-mode laser. This layers contains of four layers where two of them ar ,used as 1,17 p.m wave guide and the other are applied as a 1,55 µm active layer and a 1,3 gm anti melt back (AMB) layer. The layers were growth by designing 0.25 gm wave guiding layer thickness, 0,19 gm active layer thickness, and 0.19 gm AMB layer thickness. The layers was grow by LPE (Liquid Phase Epitaxy) with The Two Phase Solution growing technique. Source material InP, GaAs, InAs was grown on InP substrate, form seven layers of intrinsic DH and then via further process, these layers structure ca be made as an optical amplifier or a semiconductor laser diode of 1.55 gm GaInAsPfInP .

The basic structure was made by touching an indium crystal on a sample substrate. Then , some layers were growth by touching other crystal solution consecutively on the sample substrate. The growth process was three step of growth i.e: in the first place of growth, growth of wave guide and growth of DH. The thickness of any layers was arranged by varying the melting temperature and the growth time. The thickness characterization of the layer was carried out by SEM and the wave length measurement was executed by shooting a laser on the sample surface. The emission of the wave guides was received and recorded by an optical spectrum analyzer."