Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Sampai saat ini studi tentang efek individualitas dopant terhadap karakteristik piranti berdimensi nanometer, hanya dilakukan pada piranti berstruktur MOSFET, tetapi tidak dilakukan pada struktur pn junction. Tujuan dari riset ini adalah menginvestigasi efek dari sebuah atom dopant (individualitas dopant) terhadap karakteristik arus-tegangan pada piranti pn junction Silikon berdimensi nanometer. Dua macam piranti pn junction dengan konsentrasi doping yang berbeda telah berhasil difabrikasi. Karakteristik arus-tegangan kemudian diobservasi pada berbagai suhu. Sebagai hasilnya, pada suhu rendah, ditemukan adanya fitur random telegraph signal (RTS) dan/atau fitur multi-tingkat, tergantung dari konsentrasi doping, yang merupakan efek dari adanya individualitas dopant terhadap karakteristik piranti pn junction.

---

So far, studies about effects of dopant individuality on characteristic of nanodevice have been done only for nanodevice in MOSFET structure, but not for pn junction structure. Purpose of this study is to investigate effects of dopants individuality on current-voltage (I-V) characteristics in nanoscale Si pn junction devices. Two types of devices, which have different doping concentration, have been fabricated. Then, I-V characteristics have been observed under several temperatures. As a result, at low temperatures, random telegraphs signal (RTS) and multistep features have been found, which caused by effect of dopants individuality on characteristics of pn junction device."

"Riset ini difokuskan pada karakteristik linier arus-tegangan dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi dalam rentang temperatur dari 50K hingga 250 K serta karakteristik arus-tegangan dan konduktansi dioda P-N Silikon skala nano doping tinggi pada temperatur 5,5K. Untuk itu dioda P-N dan P-I-N dengan konsentrasi doping tinggi difabrikasi pada wafer ultra tipis berstruktur silicon-oninsulator (SOI). Dari hasil fabrikasi telah diperoleh konsentrasi doping tinggi Boron dan Phosphorus pada divais dioda mencapai 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, berturut-turut. Pengukuran karakteristik arus-tegangan dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi dilakukan pada beberapa divais dengan lapisan intrinsik sepanjang 200 nm dan 700 nm. Linieritas arus pada rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V dan rentang temperatur dari 50 K hingga 250 K menunjukkan divais ini sesuai untuk sensor temperatur rendah. Pada pengukuran juga diperoleh data bahwa dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi menghasilkan arus yang lebih tinggi saat temperatur diturunkan dalam rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V. Selain itu juga diperoleh data bahwa divais skala nano dengan lapisan intrinsik yang lebih panjang dan lebih lebar akan menghasilkan arus yang lebih tinggi pada rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V dan temperatur dari 50K hingga 250K. Hasil pengukuran pada dioda P-N silikon skala nano doping tinggi pada rentang forward bias hingga 0,1 Volt maupun rentang reverse bias hingga -0,1 Volt menghasilkan beberapa puncak konduktansi yang menunjukkan kesesuaian nilai dengan level energi density of state dua dimensi (2D DOS) dan level energi kombinasi phonon pada temperatur 5,5K. Pada forward bias, level energi diskret heavy hole, light hole, serta kombinasi phonon TA, LA, TO dan LO berkontribusi signifikan pada puncak konduktansi dalam rentang tegangan hingga 0,1 Volt. Demikian juga halnya pada reverse bias, level energi diskret elektron 2-fold valley, 4-fold valley, serta kombinasi phonon TA, LA, TO dan LO berkontribusi signifikan pada puncak konduktansi dalam rentang tegangan hingga -0,1 Volt. Transport elektron pada dioda P-N Silikon dalam skala nano doping tinggi akan mengalami puncak konduktansi saat elektron memiliki energi yang sama dengan level diskret energi 2D DOS. Hal ini membuktikan adanya phonon-assisted tunneling pada dioda P-N silikon skala nano doping tinggi.

---

This report is focused on linier current-voltage (I?V) characteristic of highly-doped nanoscale Silicon P-I-N diodes at temperature from 50K to 250K and also I-V and conductance characteristics of highly-doped nanoscale Silicon P-N diode at temperature 5.5K. For that purpose, we fabricated nano scale P-I-N and P-N diodes within ultra thin silicon-on-insulator (SOI) structures. From fabrication, we achieved high doping concentrations of Boron and Phosphorus in SOI diodes, 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, respectively.

Measurement of current-voltage characteristics of highly-doped nanoscale silicon PIN diode is performed on devices with intrinsic layer length of 200 nm and 700 nm. The current linearity under forward bias range from 1.5 V to 2.0 V and temperature range from 50K to 250K shows that these devices are suitable for lowtemperature sensor. The measurement data shows also that highly-doped nanoscale silicon PIN diode produces higher current when the temperature is lowered under forward bias from 1.5 V to 2.0 V. In addition, the data shows that nanoscale devices with longer and wider intrinsic layer would generate higher current under forward bias range from 1.5 V to 2.0 V and temperature from 50K to 250K.

Measurement of highly-doped nanoscale silicon P-N diode under forward bias to 0.1 Volt and also reverse bias to -0.1 Volt results conductance peaks that show relationship with two-dimensional density of state (2D DOS) and phonon combination energy level at temperature 5.5K. Under forward bias, discrete energy level of heavy hole, light hole and phonon combination of TA, LA, TO and LO have significant contribution to conductance peaks in range 0.1 Volt. Also under reverse bias, discrete energy level of electron 2-fold valley, 4-fold valley and phonon combination of TA, LA, TO and LO have significant contribution to conductance peaks in range -0.1 Volt. Electron transport of highly-doped nanoscale silicon P-N diode will experience conductance peaks when it has equal energy with 2D DOS discrete energy level. It proves the existence of phonon-assisted tunneling on highly-doped nanoscale silicon P-N diode."

"Seiring dengan kebutuhan listrik Indonesia yang kian meningkat, resiko terjadinya kecelakaan berupa kebakaran kian turut mengikuti. Salah satu faktor yang membuat hal itu dapat terjadi karena adanya arus hubung singkat yang menyebabkan munculnya busur api listrik. Studi ini akan membahas mengenai karakteristik busur api listrik yang muncul dengan tegangan rendah arus searah (direct current) yang dipengaruhi resistansi konduktor. Percobaan dilakukan dengan melakukan simulasi percobaan dengan kondisi yang menyerupai kecelakaan yang kian terjadi menggunakan arc chamber sebagai sarana percobaannya dengan variabel bebas bebas berupa penampang konduktor kabel dan jumlah serabutnya serta variabel kontrolnya akan berupa arus dan tegangan yang diukur menggunakan perangkat pengukuran picoscope. Bentuk gelombang (waveform) tegangan dan arusnya memiliki polaritas yang sama, dimana gelombang arus dan tegangan mengalami laju kenaikan dan penurunan osilasi (spike) sesuai dengan karakteristik bentuk gelombang pada bebannya. Nilai dari resistansi konduktor berpengaruh terhadap karakteristik busur api listrik. Semakin kecil nilai resistansi konduktor maka semakin besar nilai arus busur api yang dihasilkan. Hal ini sesuai dengan nilai yang didapatkan dari penelitian, saat resistansi konduktor terkecil sebesar 0,052 Ω didapatkan nilai tertinggi pada nilai arus dan daya busur api listrik sebesar 29,75 A dan 45,826 W pada penampang konduktor 1,5 mm2 dengan 24 serabut.

---

Electricity power demand in Indonesia will be increased over time, also the risk of accident occurred by fire. One of the factors why would it happen is because short circuit fault which will be causing arching. This research will be finding out about arching characteristic in Direct Current electricity with small voltage. Research conducted by doing a real simulation made as similar as real condition. Wire with different amount of fibers will be the independent variable while current, waveform, and voltage will be dependent variable and measured with a picoscope. Voltage and current waveform will have similar polarity while oscillating depend on load’s waveform. The value of the resistance affects characteristics of the electric arc. The smaller the resistance value, the greater the value of the arc current produced. This is consistent with the values obtained from the study, when the smallest resistance of 0.052 Ω obtained the highest value on the current value and electric arc power of 29.75 A and 45.826 W at the cross section of the conductor 1.5 mm2 with 24 fibers."

"Transformator merupakan salah satu komponen yang memegang peranan penting dalam sistem tenaga listrik. Sebagai sebuah komponen, transformator memiliki spesifikasi tertentu yang telah ditentukan dari pabrik pembuatnya. Hal ini dimaksudkan agar transformator tetap dapat beroperasi pada kondisi yang optial dan terhindar dari resiko kerusakan yang mungkin saja terjadi. Salah satu penyebab kerusakan pada transformator adalah terjadinya arus inrush pada saat proses energisasi. Seringkali pada proses energisasi, arus inrush yang muncul bernilai sangat besar, bahkan nilai dari arus inrush ini dapat mencapai 10 kali lipat dari arus normal atau tunak. Besar nilai dari arus inrush ini dipengaruhi oleh beberapa faktor dan salah satunya adalah sudut fasa tegangan pada saat dilakukannya energisasi pada transformator. Sudut fasa tegangan ini menentukan karakteristik nilai arus inrush dimana sudut fasa tegangan pada titik nol akan memberikan nilai arus inrush yang tinggi dan sudut fasa tegangan pada titik puncak tegangan akan memberikan nilai arus inrush yang rendah. Pemilihan sudut fasa menjadi perhatian yang penting dalam proses energisasi karena didalam proses energisasi tersebut diinginkan nilai arus inrush yang serendah mungkin. Sehingga kerugian atau efek buruk yang diakibatkan oleh arus inrush dapat diminimalisir.

---

Transformer is an important component of an electrical power system. As a component, transformer has certain specifications that have been determined from its manufacturer. This is meant so that the transformer can be operating at the optimal condition and be avoided from any damages. One thing which can cause damage to the transformer is the inrush current. An inrush current with very high magnitude appears when the transformer is energized at its primary side. By oftentimes at the energization process, the magnitude of inrush current can reach ten times or more than the magnitude of steady-state current.

The magnitude of inrush current depends on several factors and one of them is the voltage phase angle or shortly named as the switching angle. The switching angle determines the characteristics of inrush current magnitudes. The switching angle where the voltage source be at the zero voltage point results in high magnitude of inrush current, meanwhile the switching angle where the voltage source be at its positive or negative peak results in low magnitude of inrush current. The selection of appropriate switching angle becomes an important consideration when energizing a transformer, because at the energization process it is desired to get the minimum value of inrush current. So that, the worst effects which are caused by the existence of the inrush current can be minimalized."

"Secara tipikal, di laboratorium tes atau eksperimen untuk pengukuran partial discharge, bentuk gelombang dianggap sinusoidal murni. Namun, dalam praktek sehari-hari, untuk mendapatkan gelombang sinusoidal murni sebagai hampir tidak mungkin. Komponen spektrum tambahan memiliki dampak yang cukup besar kepada karakteristik partial discharge, dalam hal ini tingkat pengulangan adalah parameter yang di fokuskan untuk di bandingkan. Dalam tulisan ini pengaruh distorsi harmonisa tegangan terhadap tingkat pengulangan partial discharge akan diamati dan dianalisa. Total harmonic distortion THD juga akan dijadikan variabel untuk mencari pengaruhnya terhadap tingkat pengulangan partial discharge. Hasil dari eksperimen ini menunjukan variasi dari distorsi harmonik dan THD memiliki dampak kepada tingkat pengulangan partial discharge. Pemahaman terhadap harmonik adalah sebuah kepentingan untuk mendapatkan interpretasi gambaran partial discharge yang tepat. Eksperimen ini diilustrasikan dengan hasil pengukuran yang didapatkan dari sinyal sinusoidal murni dan tegangan terdistorsi harmonik dengan variasi THD.

---

Normally, in laboratory test or experiment for measuring partial discharges, a pure sinusoidal voltage waveform is assumed. However, in practice it is nearly impossible to have such ideal waveform of voltage applied. Additional spectral components have quite an impact or effect to partial discharge characteristic, in this case its repetition rate is the parameter focused to be compared. In this paper the influence of high voltage harmonic to the repetition rate of partial discharged is observed. The total harmonic distortion will also be a varied parameter in order to get the relation between THD and repetition rate of partial discharge.

The experimental results showed the variety of high voltage harmonic and total harmonic distortion have impact on partial discharge rsquo s repetition rate. knowledge of harmonic content is an importance for a proper interpretation of the PD images. This experiment will illustrated by the measurement result obtained by both pure sinusoidal and distorted voltage by higher harmonics with varying THD content."

"ABSTRAKPenelitian dalam bidang nanoteknologi telah berkembang pesat dalam dekade terakhir ini, salah satunya adalah Single-Electron Devices. Dalam skripsi ini, kurva karakteristik arus-tegangan dari divais single-electron transistor (SET) disimulasikan dalam kasus empat parameter kerjanya divariasikan secara satu per satu. Keempat parameter itu adalah kapasitansi, resistansi, temperatur, dan impuritas. Struktur divais SET yang disimulasikan terbagi menjadi dua, satu yang menggunakan dua kapasitor dan lainnya yang menggunakan tiga kapasitor. Ketika simulasi dimulai, hanya satu parameter yang nilainya divariasikan sementara ketiga parameter lainnya tetap dijaga pada nilai awal yang telah ditentukan sebelum simulasi berjalan. Simulasi dijalankan dengan menggunakan Matlab 2008. Metode persamaan diturunkan berdasarkan master equation. Salah satu hasil yang didapat dari riset ini adalah resistansi sebagai parameter yang memberikan pengaruh paling signifikan pada rentang arus yang diukur, yaitu 10-11 A hingga 10-10 A pada struktur dua kapasitor dan 10-9 A hingga 10-8 A pada struktur tiga kapasitor. Adapun beberapa efek yang terjadi pada kurva karakteristik arus-tegangan adalah perubahan kualitas grafik, melemah/menguatnya karakteristik eksponensial dan/atau ideal, dan perubahan nilai step-width dan/atau step-height.

---

ABSTRACTThe research in the field of nanotechnology has advanced rapidly within the last decade, one of them being Single-Electron Devices. In this script, the current-voltage characteristic curve of single-electron transistor (SET) device are simulated in the case of the four working parameters were varied one by one. Those four parameters were capacitances, resistances, temperature, and impurity. The device?s structure of SET being simulated was divided into two, one which was using two capacitors and the other which was using three capacitors. When the simulation was run, there is only one parameter which value was varied while the other three parameters were kept at starting value which had been decided before the simulation was run. The simulation was run by using Matlab 2008. The equation method was derived from master equation. One of the results gained from this research is resistance as the parameter which has the most significant influence over the range of the current being measured, which is 10-11 A to 10-10 A in two capasitors structure and 10-9 A to 10-8 A in three capasitors structure. Some of the effects that happened to the current-voltage characteristic curve are the change of graphical quality, the exponential and/or ideal characteristic becomes strongger/weaker, and the value change of step-width and/or step-height. "

"Partial discharge telah menjadi salah satu masalah yang sering terjadi pada peralatan dan peralatan listrik belakangan ini. Epoxy Resin sebagai sistem isolasi telah digunakan dalam penelitian ini karena keserbagunaannya. Penelitian ini memiliki dua tujuan yaitu menemukan pengaruh variasi frekuensi harmonik dan tingkat distorsi harmonik terhadap partial discharge sebagai tujuan yang pertama, sedangkan yang kedua adalah kita mencoba untuk menemukan efek rongga udara pada insulasi epoxy resin terhadap partial discharge. Penelitian ini menggunakan dua jenis epoxy resin tanpa rongga udara dan dengan adanya rongga udara sebagai objek uji. Ada dua faktor yang divariasikan selama penelitian ini, yaitu distorsi frekuensi dan tingkat total distorsi harmonik. Pekerjaan ini memanfaatkan MATLAB sebagai alat untuk menghasilkan sinyal dan pemrosesan data. Terdapat empat parameter yang dianalisis untuk penelitian ini, meliputi Partial Discharge Inception Voltage, luas area partial discharge, tingkat pengulangan partial discharge dan distribusi fase partial discharge. Hasil penelitian menunjukkan bahwa peningkatan distorsi frekuensi mengarah pada peningkatan luas area partial discharge dan tingkat pengulangan selama 1 siklus, sementara itu mengurangi Partial Discharge Inception Voltage. Adapun untuk distorsi harmonik total, tingkat THD yang lebih tinggi berkontribusi terhadap penurunan Partial Discharge Inception Voltage, tetapi meningkatkan luas area partial discharge. Dalam hal tingkat pengulangan, partial discharge lebih banyak terjadi pada kisaran 61° -120° untuk wilayah positif dan pada 241° -300° untukwilayah negatif. Selain itu, keberadaan rongga udara meningkatkan luas areapartial discharge dan tingkat pengulangan selama 1 siklus. Namun, menurunkan PDIV.

---

Partial discharge has been one of the problems that frequently occurs on electrical devices and equipment lately. Epoxy resins as an insulation system has been utilized in this research due to its versatility. This research has two objectives as finding the influence of variation of harmonic frequency and harmonic distortionlevel to partial discharge being the first one, while the second is we try to find the effects of air cavities in epoxy resin insulation to partial discharge.

It used twotypes of epoxy resins without void cavity and with the presence of void cavity asthe test object. There were two factors that were varied during this research, which were frequency distortions and total harmonic distortion levels. This workmade use of MATLAB as a tool to generate signals and data processing. Four parameters were analyzed for this research, those include Partial Discharge Inception Voltage, apparent charge area, partial discharge repetition rate andpartial discharge phase distribution.

The results showed that the increase offrequency distortion leads to the increase of apparent charge area and repetition rate for 1 cycle, while it decreases the Partial Discharge Inception Voltage. As forthe total harmonic distortion, higher levels contributes to the decrease of Partial Discharge Inception Voltage, but increases the apparent charge. In terms of charge numbers, the charges occurred more at the range of 61° 120° for the positivesequence and at 241° 300° for the negative sequence. In addition, the presence ofvoid cavity increases the apparent charges and repetition rate for 1 cycle. However, it decreases the PDIV."

"Polianilin (PANI) merupakan salah satu polimer konduktif yang menarik karena memiliki karakteristik yang menguntungkan, seperti dapat memiliki konstanta dielektrik. Dengan demikian, PANI konduktif dapat berperan sebagai material dielektrik. Pada penelitian ini, telah dilakukan sintesis PANI konduktif melalui proses reaksi kimia untuk melangsungkan proses polimerisasi. Konduktifitas listrik PANI ditimbulkan melalui doping garam dengan cara mencampurkan PANI-EB sebanyak 8 gram kedalam 20-100 ml larutan kalium klorida 10 %. Keberhasilan sintesis PANI konduktif diindikasikan oleh spectrum FTIR dan pengukuran nilai konduktifitas listriknya. Hasil evaluasi kedua indikator tersebut menujukkan bahwa semua PANI yang telah didoping memiliki puncak karakteristik transmisi IR antara lain pada angka gelombang 835,21, 1440,87 3059,20 cm-1. Sedangkan konduktifitas listrik yang diperoleh dari PANI-EB sebesar 0,006 mS/cm meningkat menjadi 4,3; 6,7 dan 11,2 mS/cm setelah didoping dengan KCl konsentrasi 10 % berturut-turut sebanyak 100mL, 60 mL dan 20 mL. Sifat konduktif ini mucul karena adanya pengikatan ion Cl- pada rantai polimernya. PANI hasil sintesis melalui proses polimerisasi dan doping KCL ini bersifat dielektrik dengan nilai permitivitas listriknya adalah 0,05 ≤ ε? ≤ 19,97 dan 0,60 ≤ ε?? ≤ 18,69 dalam rentang frekuensi 8-12 GHz. Sebagai konsekuensi sifat dielektrik, PANI hasil sintesis memilki kemampuan menyerap gelombang elektromagnetik, meskipun pada jangkau frekuensi pengujian, nilai Reflection Loss (RL) yang baik diperoleh pada PANI dengan nilai konduktifitas yang rendah.

---

Polyaniline (PANI) is one of the conductive polymer which interesting because it has attractive characteristics like dielectric constant in addition to electric conductivity. Thus, conductive PANI can also be considered as dielectric materials. In this study, conductive PANI has been synthesized through the chemical reaction process to allow the polymerization process. Physical property of electrical conductivity in PANI was generated through doping treatment by mixing between PANI-EB of 8 grams in mass and 20-100 ml of 10 % potassium chloride salt solution. The success of the synthesis of conductive PANI was indicated by FTIR spectrum and their respective electrical conductivity values.

Results of evaluation for both indicators showed that all doped PANI have an infra-red spectrum characteristic of PANI indicated by absorptions at wave numbers 835.21, 1440.87 and 3059.20 cm-1. Whereas the electrical conductivity value obtained from PANI-EB was 0.006 mS /cm then increased to 4.3; 6.7 and 11.2 mS /cm after doped with KCl salt solutions with the amount respectively100mL, 60 mL and 20 mL. The electrical conductivity of PANI apparently presents due to the formation of ionic binding of Cl- ions in the polymer chains.

Hence, the synthesized PANI through polymerization and doping with KCL salt solution has resulted in the dielectric materials with a typical of the electric permittivity value of 0,05 ≤ ε? ≤ 19,97 and 0,60 ≤ ε?? ≤ 18,69 in the frequency range of 8-12 GHz. Consequently, the Synthesized PANI has the ability to absorb electromagnetic waves, though the value of Reflection Loss (RL) which obtained in current frequency low was relatively low. "

"Teknologi fabrikasi semikonduktor yang berkembang pesat memungkinkan pengecilan dimensi divais hingga mendekati skala nanometer. Pemodelan klasik menyatakan bahwa konduktivitas suatu penghantar akan berkurang seiring dengan penurunan luas area dan panjang dari penghantar tersebut hingga batasan tertentu di mana efek kuantum mulai berlaku dalam menganalisis pergerakan muatan. Skripsi ini mengobservasi pengaruh miniaturisasi dimensi panjang dan lebar terhadap parameter arus dalam karakteristik I-V nanodioda Si lateral berdasarkan hasil riset terkini. Dari hasil perbandingan data, skripsi ini berhasil menganalisis hubungan kesebandingan terbalik antara dimensi lebar dioda dengan jumlah arus yang mengalir sebagai akibat dari transisi mekanisme transpor muatan dari difusif menjadi balistik. Batasan antara ranah klasik dan kuantum diperkirakan terjadi ketika lebar dioda mendekati ukuran 500 nm.

---

As semiconductor processing technology has been rapidly developed,fabrication of tiny devices approaching a few nanometer is now being possible. Classic theory states that device conductivity will be decreased linearly as device dimensionality getting shrunk until a point where quantum effect is introduced into carrier motion analysis. This thesisobserved the effect of lateral Si nanodiode length and width miniaturization in respect to current level in I-V characteristic based on a newest research. From comparations provided, this paper has analyzed an inversely proportional correlation between diode width to current level significant change due to transition regime from diffusive transport to ballistic mechanism. Boundary between these two is supposed to occur when diode width approaching 500 nm in size."

"Penelitian teori ini bertujuan untuk menginvestigasi pengaruh medan listrik dan medan magnet terhadap transpor elektron pada molekul DNA poli(dA)-poli(dT). Mekanisme transpor elektron dimodelkan menggunakan pendekatan hamiltonian ikatan kuat dengan melibatkan pengaruh temperatur dan frekuensi gerak memutar. Arus listrik yang melalui DNA dihitung menggunakan formula Landauer-Buttiker dengan perhitungan probabilitas transmisi menggunakan pendekatan fungsi green. Kemudian, faktor eksternal medan listrik dilibatkan mengikuti model Miller-Abraham. Sedangkan faktor eksternal medan magnet, dimodelkan menggunakan model Pierls. Hasil yang diperoleh menunjukan bahwa pengaruh medan listrik berdampak pada pelemahan probabilitas transmisi. Sebaliknya, pengaruh medan magnet memiliki dampak pada peningkatan arus listrik maksimum. Kemudian secara keseluruhan, frekuensi gerak memutar menyebabkan peningkatan pada probabilitas transmisi.

---

This theoretical study aims to investigate the electric field and magnetic field influence on electron transport through DNA poly(dA)-poly(dT). The electron transport mechanism is modeled by the tight-binding Hamiltonian approach involving temperature and twisting motion frequency. The accumulation of electron current flowing through DNA is calculated using Landauer-Buttiker Formula from transmission probability obtained using green function. Then, the external disturbance, electric field, is considered using the Miller-Abraham model. On the other sides, the magnetic field effect is modeled by Pierls model. The results show that the electric field causes decrement on transmission probability. In contrast, magnetic field increases transmission probability. In contrast, the magnetic field increases the current. Furthermore, twisting motion frequency causes higher transmission probability."